一种用于TFT-LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种用于TFT

【技术实现步骤摘要】
一种用于TFT
‑
LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺


[0001]本专利技术属于玻璃基板处理
，具体涉及一种用于TFT
‑
LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺。

技术介绍

[0002]现有生产技术中，TFT
‑
LCD玻璃基板生产流程一般包括磨边
‑
倒角
‑
清洗
‑
面磨
‑
清洗
‑
检查
‑
包装。其中，最重要的环节是面磨，面磨过程一般通过研磨盘对玻璃基板表面进行旋转研磨，如中国专利CN112813287A公开一种玻璃基板表面研磨方法，该专利通过将待研磨的玻璃基板固定于旋转座上，再通过研磨盘进行面磨。
[0003]面磨过程需要控制半成品玻璃基板表面的缺陷，保证经过面磨处理以后，得到合格率更高的成品玻璃。随着市场对于成品玻璃表面质量要求的逐渐增加，面磨时间逐渐增加，生产效率亟需进一步提高。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种用于TFT
‑
LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺，以解决
技术介绍
中提及的如何提高TFT
‑
LCD玻璃基板生产效率的问题。
[0005]本专利技术的目的可以通过以下技术方案实现：
[0006]一种用于TFT
‑
LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺，包括如下步骤：
[0007]步骤S1、将玻璃基板置于化学处理装置中，玻璃基板经辊轴带动浸没于混酸溶液内，洗刷浸泡0.5h，经挤干后，完成玻璃基板的混酸处理；
[0008]步骤S2、混酸处理后的玻璃基板经引导进入清洗区，玻璃基板经辊轴带动浸没于碱式清洗剂内，70
‑
80℃条件下洗刷浸泡10
‑
15m i n，经挤干后，完成TFT
‑
LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺。
[0009]进一步地，步骤S1中所述混酸溶液由氢氟酸、硫酸、硝酸、磷酸和纯水搅拌混合而成，以质量百分数计，氢氟酸：24％
‑
30％、硫酸：10％
‑
15％、硝酸：8％
‑
10％、磷酸：8％
‑
10％、纯水：35％
‑
50％，其中，混酸溶液的各原料的质量百分比之和为100％。
[0010]进一步地，步骤S2中所述碱式清洗剂为1
‑
3wt％的氢氧化钠溶液。
[0011]进一步地，所述化学处理装置包括底座，底座上方固定安装有箱体，箱体内包括超声波处理区和清洗区；
[0012]所述超声波处理区的一侧开设有进样口，所述清洗区远离超声波处理区的一侧开设有出样口，超声波处理区和清洗区内均包括有若干辊轴，辊轴由电机带动旋转，辊轴转动安装于箱体的内部，辊轴分上下两层安装，上下辊轴为相反方向运转，超声波处理区内的辊轴的垂直高度低于进样口的垂直高度，清洗区内的辊轴的垂直高度低于出样口的垂直高度，箱体的内侧开设有若干加液口。
[0013]上述结构中，本专利技术的玻璃基板首先通过进样口进入装置内进行研磨前的化学处理，上下辊轴的转动带动玻璃基板移动，同时，由于辊轴的垂直高度较低，可以保证玻璃基
板完全浸没在混酸溶液或是碱式清洗剂中，其中，混酸溶液或碱式清洗剂通过加液口加入箱体内。
[0014]进一步地，所述箱体为透明PP材质。
[0015]上述结构中，透明材质方便操作人员观察内部玻璃基板的传输情况。
[0016]进一步地，所述辊轴为上下滚刷压入式辊轴。
[0017]上述结构中，上下滚刷压入式辊轴不仅用于传输玻璃基板，也用于玻璃基板表面的滚刷处理。
[0018]进一步地，所述箱体内侧的底部设置有斜坡，斜坡的倾角为20
‑
30
°
。
[0019]上述结构中，设置斜坡结构有利于清理箱体底部沉积的玻璃粉等杂质。
[0020]进一步地，所述箱体的顶部开设有若干通风管道。
[0021]上述结构中，通风管道连通有通风系统，用于排出箱体内产生的废气，废气引入厂区废气处理系统内进行处理。
[0022]本专利技术的有益效果：
[0023]本专利技术对TFT
‑
LCD玻璃基板生产流程进行了创新，通过增加化学处理工艺，主要包括化学超声波处理
‑
清洗工艺，其中，通过化学超声波处理能够处理玻璃基板表面残留的点状黏附或者嵌入表面的缺陷，通过清洗工艺，清洗玻璃基板经过混酸超声波处理以后表面残留的混酸溶液。同时，本专利技术提供了与化学处理工艺相配套的化学处理装置，通过合理设置化学处理装置内的辊轴转速和混酸溶液的配比，TFT玻璃的蚀刻速率可达到0.004mm/mi n，最终实现提高TFT
‑
LCD玻璃基板生产效率的目的。
附图说明
[0024]下面结合附图对本专利技术做进一步的说明。
[0025]图1是本专利技术化学处理装置的结构示意图；
[0026]图2是本专利技术化学处理装置的侧视图；
[0027]图3是图2的内部结构示意图；
[0028]图4是辊轴和玻璃基板的位置关系结构示意图。
[0029]图中：1、箱体；2、底座；3、玻璃基板；4、超声波处理区；41、进样口；42、加液口；43、辊轴；5、清洗区；51、出样口；6、通风管道。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]实施例1
[0032]制备混酸溶液：
[0033]以质量百分数计，混酸溶液由：24％氢氟酸、10％硫酸、10％硝酸、10％磷酸和46％纯水搅拌混合而成，其中，混酸溶液的各原料的质量百分比之和为100％。
[0034]实施例2
[0035]制备混酸溶液：
[0036]混酸溶液由：24％氢氟酸、10％硫酸、8％硝酸、8％磷酸和50％纯水搅拌混合而成，其中，混酸溶液的各原料的质量百分比之和为100％。
[0037]实施例3
[0038]制备混酸溶液：
[0039]混酸溶液由：30％氢氟酸、15％硫酸、10％硝酸、10％磷酸和35％纯水搅拌混合而成，其中，混酸溶液的各原料的质量百分比之和为100％。
[0040]实施例4
[0041]TFT
‑
LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺：
[0042]S1、将玻璃基板3置于化学处理装置中，玻璃基板3经辊轴43带动浸没于实施例1制备的混酸溶液内，洗刷浸泡0.5h，经挤干后，完成玻璃基板3的混酸处理；
[0043]S2、混酸处理后的玻璃本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于TFT
‑
LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、将玻璃基板(3)置于化学处理装置中，玻璃基板(3)经辊轴(43)带动浸没于混酸溶液内，洗刷浸泡0.5h，经挤干后，完成玻璃基板(3)的混酸处理；步骤S2、混酸处理后的玻璃基板(3)经引导进入清洗区(5)，玻璃基板(3)经辊轴(43)带动浸没于碱式清洗剂内，70
‑
80℃条件下洗刷浸泡10
‑
15min，经挤干后，完成TFT
‑
LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺。2.根据权利要求1所述的一种用于TFT
‑
LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺，其特征在于，步骤S1中所述混酸溶液由氢氟酸、硫酸、硝酸、磷酸和纯水搅拌混合而成，以质量百分数计，氢氟酸：24％
‑
30％、硫酸：10％
‑
15％、硝酸：8％
‑
10％、磷酸：8％
‑
10％、纯水：35％
‑
50％。3.根据权利要求1所述的一种用于TFT
‑
LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺，其特征在于，步骤S2中所述碱式清洗剂为1
‑
3wt％的氢氧化钠溶液。4.根据权利要求1所述的一种用于TFT
‑
LCD玻璃基板研磨前的化学处理工艺，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒众众，曹志强，张晓东，宋长刚，张叶，宫传艳，
申请(专利权)人：玻璃新材料创新中心安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：