高频电路制造技术

本发明专利技术使高频电路的工作稳定化并且抑制高频电路的特性劣化。高频电路具备：晶体管，具有供高频信号输入的输入电极和供高频信号输出的输出电极；传输线路(18)，连接于所述输入电极和所述输出电极中的任一个电极，供高频信号传输；耦合线路(16)，被设为以能与所述传输线路电磁场耦合的程度与所述传输线路电隔离；以及谐振电路(12)，连接于所述耦合线路的第一端与基准电位之间，在谐振频率下使所述第一端与基准电位之间的阻抗极小。与基准电位之间的阻抗极小。与基准电位之间的阻抗极小。

【技术实现步骤摘要】
高频电路


[0001]本专利技术涉及一种高频电路。

技术介绍

[0002]已知：将开路短截线的第一端连接于高频电路中的供高频信号传输的主要线路，使传输线路接近开路短截线，使传输线路的两端经由电阻接地(例如专利文献1)。已知在向晶体管供给偏置电压的偏置电路设置并联谐振电路(例如专利文献2)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平9－284051号公报
[0006]专利文献2：日本特开2000－183773号公报
[0007]在专利文献1、2中，能使高频电路的工作稳定化。然而，若将使高频电路的工作稳定化的稳定化电路直接连接于供高频信号传输的线路，则会影响高频电路的特性，高频电路的特性会劣化。

技术实现思路

[0008]本公开是鉴于上述问题而完成的，其目的在于使高频电路的工作稳定化并且抑制高频电路的特性劣化。
[0009]本公开的一个实施方式是一种高频电路，具备：晶体管，具有供高频信号输入的输入电极和供高频信号输出的输出电极；传输线路，连接于所述输入电极和所述输出电极中的任一个电极，供高频信号传输；耦合线路，被设为以能与所述传输线路电磁场耦合的程度与所述传输线路电隔离；以及谐振电路，连接于所述耦合线路的第一端与基准电位之间，在谐振频率下使所述第一端与基准电位之间的阻抗极小。
[0010]专利技术效果
[0011]根据本公开，能使高频电路的工作稳定化并且抑制高频电路的特性劣化。
附图说明/>[0012]图1是实施例1的高频电路的电路图。
[0013]图2是实施例1中的稳定化电路的俯视图。
[0014]图3是图2的A－A剖视图。
[0015]图4是图2的B－B剖视图。
[0016]图5是比较例1的高频电路的电路图。
[0017]图6是实施例1的变形例1的高频电路的电路图。
[0018]图7是实施例2的高频电路的电路图。
[0019]图8是表示电路A中的相对于频率的S21的图。
[0020]图9是表示电路A中的相对于频率的稳定系数K的图。
[0021]附图标记说明
[0022]10：稳定化电路
[0023]12：谐振电路
[0024]14：电阻元件
[0025]16：耦合线路
[0026]18：传输线路
[0027]20：放大器
[0028]21：晶体管
[0029]22、24：偏置电路
[0030]23、25：偏置端子
[0031]26、28：匹配电路
[0032]27：CR滤波器
[0033]30：电介质基板
[0034]32、34：金属层
[0035]32a～32g：图案
[0036]35：接合件
[0037]36：贯通电极
[0038]38a～38c：电子部件
[0039]50、52：高频信号
[0040]54：工作频带
[0041]100、102、104、110：高频电路
[0042]S：源极
[0043]G：栅极(输入电极)
[0044]D：漏极(输出电极)。
具体实施方式
[0045][本公开的实施方式的说明][0046]首先，列举本公开的实施方式的内容来进行说明。
[0047](1)本公开的一个实施方式是一种高频电路，具备：晶体管，具有供高频信号输入的输入电极和供高频信号输出的输出电极；传输线路，连接于所述输入电极和所述输出电极中的任一个电极，供高频信号传输；耦合线路，被设为以能与所述传输线路电磁场耦合的程度与所述传输线路电隔离；以及谐振电路，连接于所述耦合线路的第一端与基准电位之间，在谐振频率下使所述第一端与基准电位之间的阻抗极小。通过将谐振电路连接于耦合线路，能使高频电路的工作稳定化并且能抑制高频电路的特性劣化。
[0048](2)优选的是，所述高频电路具备电阻元件，所述电阻元件的第一端连接于所述耦合线路的第二端，所述电阻元件的第二端连接于基准电位，所述电阻元件的电阻值为所述高频电路的工作频率频带的中心频率下的所述耦合线路的特性阻抗的1/2倍以上且2倍以下。
[0049](3)优选的是，所述高频电路具备：输入端子，供高频信号输入；以及匹配电路，使
所述输入端子的输入阻抗与所述输入电极的输入阻抗匹配，所述传输线路的第一端连接于所述匹配电路，所述传输线路的第二端连接于所述输入电极。
[0050](4)优选的是，所述高频电路具备：输出端子，供高频信号输出；以及匹配电路，使所述输出电极的输出阻抗与所述输出端子的输出阻抗匹配，所述传输线路的第一端连接于所述输出电极，所述传输线路的第二端连接于所述匹配电路。
[0051](5)优选的是，所述输入电极是栅极，所述输出电极是漏极。
[0052](6)优选的是，所述谐振电路的谐振频率下的未设置所述耦合线路和所述谐振电路时的所述高频电路的稳定系数小于1。
[0053](7)优选的是，所述谐振电路的谐振频率比所述高频电路的工作频率频带低。
[0054](8)优选的是，所述谐振电路具备串联连接于所述耦合线路的第一端与基准电位之间的电感器和电容器。
[0055][本公开的实施方式的详情][0056]以下，参照附图对本公开的实施方式的高频电路的具体例进行说明。需要说明的是，本公开并不限定于这些示例，而是由权利要求书示出，意图在于包括与权利要求书等同的含义和范围内的所有变更。
[0057][实施例1][0058]在实施例1中，作为高频电路以用于移动通信的基站的高频功率放大器为例进行说明。图1是实施例1的高频电路的电路图。如图1所示，高频电路100具备稳定化电路10、放大器20、匹配电路26和28。放大器20具备晶体管21。晶体管21例如是GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor：氮化镓高电子迁移率晶体管)等FET(Field Effect Transistor：场效应晶体管)。高频电路100的频带的中心频率例如为0.5GHz～10GHz。
[0059]输入端子Tin经由匹配电路26连接于晶体管21的栅极G，晶体管21的漏极D经由匹配电路28连接于输出端子Tout。晶体管21的源极S连接于接地电位(基准电位)。晶体管21将输入至输入端子Tin的高频信号50放大并输出至输出端子Tout。要由放大器20放大的高频信号50的频率f1例如是高频电路100的工作频带的中心频率。匹配电路26是使频率f1下的从外部电路看向输入端子Tin的输入阻抗与从匹配电路26看向栅极G的放大器20的输入阻抗匹配的电路。匹配电路28是使频率f1下的从漏极D看向匹配电路28的放大器20的输出阻抗与从输出端子Tout看向外部电路的输出阻抗匹配的电路。在匹配电路26与栅极G之间设有传输线路18本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高频电路，具备：晶体管，具有供高频信号输入的输入电极和供高频信号输出的输出电极；传输线路，连接于所述输入电极和所述输出电极中的任一个电极，供高频信号传输；耦合线路，被设为以能与所述传输线路电磁场耦合的程度与所述传输线路电隔离；以及谐振电路，连接于所述耦合线路的第一端与基准电位之间，在谐振频率下使所述第一端与基准电位之间的阻抗极小。2.根据权利要求1所述的高频电路，具备电阻元件，所述电阻元件的第一端连接于所述耦合线路的第二端，所述电阻元件的第二端连接于基准电位，所述电阻元件的电阻值为所述高频电路的工作频率频带的中心频率下的所述耦合线路的特性阻抗的1/2倍以上且2倍以下。3.根据权利要求1或2所述的高频电路，具备：输入端子，供高频信号输入；以及匹配电路，使所述输入端子的输入阻抗与所述输入电极的输入阻抗匹配，所述传输线路的第一端连接于所述匹...

【专利技术属性】
技术研发人员：住吉高志，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：