本发明专利技术涉及闪存芯片技术领域，具体公开了一种闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取第一阈值电压差和第二阈值电压差；根据第一阈值电压差和第二阈值电压差分别更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值；该方法基于第一阈值电压差和第二阈值电压差更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值能在存储单元的使用特性下降时及时更新合适的擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值，以确保擦除操作能高效、顺利地完成执行。顺利地完成执行。顺利地完成执行。
【技术实现步骤摘要】
闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质
[0001]本申请涉及闪存芯片
，具体而言，涉及一种闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
[0002]对于nor flash这类闪存芯片的操作来说，擦除操作普遍占据比较长的时间，而nor flash的擦除特性一般表现为随着使用次数越多越难擦除，尤其到了闪存芯片的生命周期的末期，基于出厂配置的擦除操作的相关电压难以擦除闪存芯片中的存储区域的数据，使得用户感觉到该闪存芯片用的时间越久便越慢。
[0003]针对上述问题，目前尚未有有效的技术解决方案。
技术实现思路
[0004]本申请的目的在于提供一种闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质，以根据闪存芯片的使用情况配置擦除操作的相关电压以确保闪存芯片在整个生命周期内均能高效地完成擦除操作。
[0005]第一方面，本申请提供了一种闪存芯片的擦除电压配置方法，用于配置闪存芯片执行擦除操作的相关电压，所述方法包括以下步骤：获取第一阈值电压差和第二阈值电压差，所述第一阈值电压差为目标存储区域在上一cycle次数区间中首尾两次擦除操作中的第一次擦除脉冲后产生的最高存储单元阈值电压之差，所述第二阈值电压差为所述目标存储区域在上一cycle次数区间中首尾两次擦除操作中的第一次弱编程脉冲后产生的最高存储单元阈值电压之差；根据所述第一阈值电压差和所述第二阈值电压差分别更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值。
[0006]本申请的闪存芯片的擦除电压配置方法获取的第一阈值电压差和第二阈值电压差分别反映了当前的擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值对目标存储区域的适用性变化情况，能综合反映目标存储区域中存储单元的使用特性的下降情况。
[0007]所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其中，所述cycle次数区间基于cycle次数划分，所述方法在cycle次数切换cycle次数区间时执行。
[0008]在该示例中，基于cycle次数切换cycle次数区间触发本申请的方法运行的方式能实现闪存芯片的擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值的自动化更新调节。
[0009]所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其中，所述方法通过更新配置信息以更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值。
[0010]所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其中，所述根据所述第一阈值电压差和所述第二阈值电压差分别更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值的步骤包括：在所述第一阈值电压差大于第一预设阈值时，增大所述擦除脉冲的电压值；在所述第二阈值电压差大于第二预设阈值时，减小所述弱编程脉冲的电压值。
[0011]所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其中，所述闪存芯片中预存有多个级别的呈电压递增设置的擦除脉冲的电压值和多个级别的呈电压递减设置的弱编程脉冲的电压值；所述增大所述擦除脉冲的电压值的步骤包括：将所述擦除脉冲的电压值切换至下一级别的擦除脉冲的电压值；所述减小所述弱编程脉冲的电压值的步骤包括：将所述弱编程脉冲的电压值切换至下一级别的弱编程脉冲的电压值。
[0012]所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其中，所述增大所述擦除脉冲的电压值的步骤包括：根据第一阈值电压差与所述第一预设阈值的差值设定所述擦除脉冲的电压值的增大值以更新所述擦除脉冲的电压值；所述减小所述弱编程脉冲的电压值的步骤包括：根据第二阈值电压差与所述第二预设阈值的差值设定所述弱编程脉冲的电压值的减小值以更新所述弱编程脉冲的电压值。
[0013]所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其中，所述目标存储区域为所述闪存芯片中的若干块或若干扇区。
[0014]第二方面，本申请还提供了 一种闪存芯片的擦除电压配置装置，用于配置闪存芯片执行擦除操作的相关电压，所述装置包括：获取模块，用于获取第一阈值电压差和第二阈值电压差，所述第一阈值电压差为目标存储区域在上一cycle次数区间中首尾两次擦除操作中的第一次擦除脉冲后产生的最高存储单元阈值电压之差，所述第二阈值电压差为所述目标存储区域在上一cycle次数区间中首尾两次擦除操作中的第一次弱编程脉冲后产生的最高存储单元阈值电压之差；调节模块，用于根据所述第一阈值电压差和所述第二阈值电压差分别更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值。
[0015]本申请的闪存芯片的擦除电压配置装置获取的第一阈值电压差和第二阈值电压差分别反映了当前的擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值对目标存储区域的适用性变化情况，能综合反映目标存储区域中存储单元的使用特性的下降情况。
[0016]第三方面，本申请还提供了一种电子设备，包括处理器以及存储器，所述存储器存储有计算机可读取指令，当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时，运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
[0017]第四方面，本申请还提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如上述第一方面提供的所述方法中的步骤。
[0018]由上可知，本申请提供了一种闪存芯片的擦除电压配置方法、装置、设备及存储介质，其中，方法获取的第一阈值电压差和第二阈值电压差分别反映了当前的擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值对目标存储区域的适用性变化情况，能综合反映目标存储区域中存储单元的使用特性的下降情况，该方法基于第一阈值电压差和第二阈值电压差更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值能在存储单元的使用特性下降时及时更新合适的擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值，以确保擦除操作能高效、顺利地完成执行。
附图说明
[0019]图1为本申请实施例提供的闪存芯片的擦除电压配置方法的流程图。
[0020]图2为本申请实施例提供的闪存芯片的擦除电压配置装置的结构示意图。
[0021]图3为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
[0022]附图标记：201、获取模块；202、调节模块；301、处理器；302、存储器；303、通信总线。
具体实施方式
[0023]下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0024]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]第一方面，请参照图1，本申请一些实施例提供了一种闪存芯片的擦除电压配置方法，用于配置闪存本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种闪存芯片的擦除电压配置方法，用于配置闪存芯片执行擦除操作的相关电压，其特征在于，所述方法包括以下步骤：获取第一阈值电压差和第二阈值电压差，所述第一阈值电压差为目标存储区域在上一cycle次数区间中首尾两次擦除操作中的第一次擦除脉冲后产生的最高存储单元阈值电压之差，所述第二阈值电压差为所述目标存储区域在上一cycle次数区间中首尾两次擦除操作中的第一次弱编程脉冲后产生的最高存储单元阈值电压之差；根据所述第一阈值电压差和所述第二阈值电压差分别更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值。2.根据权利要求1所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其特征在于，所述cycle次数区间基于cycle次数划分，所述方法在cycle次数切换cycle次数区间时执行。3.根据权利要求1所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其特征在于，所述方法通过更新配置信息以更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值。4.根据权利要求1所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其特征在于，所述根据所述第一阈值电压差和所述第二阈值电压差分别更新调节擦除脉冲的电压值和弱编程脉冲的电压值的步骤包括：在所述第一阈值电压差大于第一预设阈值时，增大所述擦除脉冲的电压值；在所述第二阈值电压差大于第二预设阈值时，减小所述弱编程脉冲的电压值。5.根据权利要求4所述的闪存芯片的擦除电压配置方法，其特征在于，所述闪存芯片中预存有多个级别的呈电压递增设置的擦除脉冲的电压值和多个级别的呈电压递减设置的弱编程脉冲的电压值；所述增大所述擦除脉冲的电压值的步骤包括：将所述擦除脉冲的电压值切换至下一级别的擦除脉冲的电压值；所述减小所述弱编程脉冲的电压值的步骤包括：将所述弱...
【专利技术属性】
技术研发人员：李文菊，黎永健，彭永林，饶锦航，
申请(专利权)人：芯天下技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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