具有嵌入式元件的基板及其制造方法技术

技术编号:3723469 阅读:213 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种具有嵌入式元件的基板,包括核心层、第一重叠层、第二重叠层、至少一个嵌入元件和多个镀孔。其中,核心层具有第一表面和第二表面,并且核心层是由多层绝缘层堆叠而成,而绝缘层中至少包括一层半固态绝缘层。此外,第一重叠层位于第一表面上,而且第一重叠层包括第一表面线路层;第二重叠层位于第二表面上,而且第二重叠层具有第二表面线路层。另外,嵌入元件位于核心层中,半固态的绝缘层包裹嵌入元件,而镀孔分别贯穿核心层、第一重叠层和第二重叠层,并且镀孔电性连接第一表面线路层、第二表面线路层和嵌入元件。由此可以增加基板之间的空隙填充率和基板的表面利用性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基板及其制造方法,特别是一种可减少空孔数量的。
技术介绍
一般而言,线路基板主要是由多层经过图案化的线路层(patterned circuitlayer)以及绝缘层(dielectric layer)交替重叠形成。其中,图案化的线路层是由铜箔层(copper foil)经过光刻和蚀刻形成,而绝缘层位于图案化的电路层之间,用于隔离图案化的电路层。此外,重叠的图案化的线路层之间是通过贯穿绝缘层的镀通孔(Plating Through Hole,PTH)或导电路径(conductive via)彼此电性连接。最后,在线路基板的表面配置各种电子元件(有源元件、无源元件),并通过内部线路的电路设计而达到电子信号传递(electrical signalpropagation)的目的。然而,随着市场对轻薄短小并且携带方便的电子产品的需求,因此在目前的电子产品中,将原来焊接于线路基板的电子元件设计成可嵌入线路基板内部的嵌入元件,这样可以增加基板表面的布局面积,以达到电子产品薄型化的目的。但是在现有的使用嵌入式电子元件的技术中,在压合电路层和绝缘层以形成基板时,由于绝缘层经过高温固化处理后,多为不易产生形变的固态,因此容易造成嵌入元件与绝缘层之间仍有许多未填满的空隙,这些空隙不但容易影响压合时基板与嵌入元件的结合性,也会影响压合时嵌入元件与接点的对位。此外,由于两块基板之间需要通过贯穿绝缘层的镀通孔或导电孔道做为路径传递电子信号,因而造成基板上的空孔数量过多等问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在提供一种具有嵌入式元件的基板的制造方法,以改善基板与嵌入元件之间的结合性。本专利技术的另一目的在提供一种具有嵌入式元件的基板,以减少基板内的空孔数量。为达上述或其它目的,本专利技术提出具有嵌入式元件的基板的制造方法,包括下列步骤首先提供核心层,其中核心层由多层半固态的绝缘层堆叠而成;然后在核心层中形成埋孔,并将至少具有一个电极的嵌入元件置入埋孔中;之后,分别在核心层的两个表面上提供金属层;然后,压合核心层与两层金属层,使绝缘层填入埋孔中并包裹嵌入元件的周围表面。最后,电性导通嵌入元件与两层金属层,并将两层金属层形成图案,以分别形成第一信号层和第二信号层。其中,绝缘层的总厚度可以大于等于嵌入元件的厚度。其中,形成埋孔的方法可以是机械钻孔或激光成孔。此外,埋孔可以是贯穿绝缘层的通孔或是凹陷于部分绝缘层的凹孔。其中,在压合核心层和金属层的步骤前,更可以包括在核心层和形成在核心层上下表面的金属层之间分别形成半固态的第一绝缘层和第二绝缘层。其中,进一步包括在第一信号层上形成第一重叠层,并且第一重叠层包括第一金属层和第四绝缘层;在第二信号层上形成第二重叠层,并且第二重叠层包括第二金属层和第五绝缘层;最后压合第一重叠层、核心层和第二重叠层,并且电性导通第一金属层和该第一信号层,以及电性导通第二金属层和第二信号层。此外,进一步包括在第一重叠层、核心层和第二重叠层形成多个镀通孔,并且镀通孔贯穿第一重叠层、核心层以及第二重叠层,并电性连接第一金属层和第二金属层。其中,电性导通嵌入元件和两层金属层的步骤可以是利用激光钻孔在核心层的上表面和下表面形成多个钻孔,并暴露出嵌入元件的电极;然后可以利用电镀在每个钻孔中形成导电柱,以使嵌入元件和两层金属层电性导通。其中,嵌入元件可以是有源元件或是无源元件。本专利技术提出另一种具有嵌入式元件的基板的制造方法,包括下列步骤首先提供核心层,此核心层由多层半固态的绝缘层堆叠而成;然后,在核心层中形成埋孔,并将嵌入元件放置在埋孔中,而且嵌入元件至少具有一个电极;之后,分别在核心层的上表面和下表面上形成金属层,并且压合核心层和金属层,使绝缘层填入埋孔中,并且使绝缘层将嵌入元件的周围表面包裹住;然后,将金属层形成图案,以分别在核心层的上表面和下表面上形成第一信号层和第二信号层;之后,在第一信号层上形成第一重叠层,第一重叠层包括第一金属层和第四绝缘层;在第二信号层上形成第二重叠层,第二重叠层包括第二金属层和第五绝缘层,并且压合第一重叠层、核心层和第二重叠层;最后,电性导通嵌入元件和第一金属层与第二金属层,并将第一与第二金属层形成图案,以形成第一表面线路层和第二表面线路层。其中,绝缘层的总厚度大于或等于嵌入元件的厚度。此外,形成埋孔的方法可以是机械钻孔或激光成孔。形成的埋孔可以是贯穿绝缘层的通孔,或是凹陷于部分绝缘层的凹孔。其中,在压合核心层和金属层的步骤前,进一步包括在核心层与金属层之间分别形成半固态的第一绝缘层和半固态的第二绝缘层。其中,在电性导通嵌入元件和第一与第二金属层的步骤中,进一步包括形成多个贯穿第一重叠层、核心层和第二重叠层的镀通孔,并且镀通孔电性连接第一金属层和第二金属层。其中,电性导通嵌入元件和第一金属层与第二金属层的步骤包括利用激光钻孔在核心层和第一重叠层与第二重叠层中形成多个钻孔,用于暴露出嵌入元件的电极;以及利用电镀法在每个钻孔中形成导电柱,导电柱用于导通嵌入元件和第一金属层与第二金属层。其中,嵌入元件包括有源元件或无源元件。本专利技术提出的另一种具有嵌入式元件的基板的制造方法,包括下列步骤首先提供核心层,且核心层由第一信号层、第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第二信号层依次堆叠而成,其中第一绝缘层和第三绝缘层呈固态,而第二绝缘层呈半固态;然后,在核心层中形成埋孔,并将至少具有一个电极的嵌入元件放置在埋孔中;之后,在第一信号层上形成第一重叠层,而第一重叠层包括第一金属层和第四绝缘层;在第二信号层上形成第二重叠层,第二重叠层包括第二金属层和第五绝缘层;以及压合第一重叠层、核心层和第二重叠层,以使第二绝缘层填入埋孔中,并包裹嵌入元件的周围表面;最后,电性导通嵌入元件和第一金属层与第二金属层,并将第一与第二金属层形成图案,以分别形成第一表面线路层和第二表面线路层。其中,提供核心层的步骤包括预先将位于第一绝缘层上的金属层形成图案,以在第一绝缘层上形成第一信号层;以及预先将位于第三绝缘层上的金属层形成图案,以在第三绝缘层上形成第二信号层。然后,在第一绝缘层与第三绝缘层之间形成第二绝缘层,并相互堆叠以形成核心层。其中,可以利用机械钻孔或激光成孔形成埋孔,并且埋孔可以是贯穿第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层的通孔,或是凹陷于第一绝缘层和第二绝缘层或第二绝缘层和第三绝缘层内的凹孔。其中,第四绝缘层和第五绝缘层可以是半固态。另外,在电性导通嵌入元件和第一与第二金属层的步骤中,可以形成贯穿第一重叠层、核心层以及第二重叠层的多个镀通孔,镀通孔用于电性连接第一金属层和第二金属层。其中,电性导通嵌入元件和该第一金属层与第二金属层包括下列步骤首先,利用激光钻孔在核心层形成多个钻孔,并暴露出嵌入元件的电极;然后,利用电镀法在每个钻孔中形成导电柱,以导通嵌入元件和第一金属层与第二金属层。其中,嵌入元件包括有源元件或无源元件。本专利技术提出另一种具有嵌入式元件的基板,包括核心层、第一重叠层、第二重叠层、至少一个嵌入元件以及多个镀孔。其中,核心层具有第一表面和第二表面,并且核心层是由多层绝缘层堆叠而成,而且多层的绝缘层中至少包括一层半固态绝缘层。此外,第一重叠层位于第一表面上,第一重叠层具有第一表面线路层;而第二重叠层位于第二表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有嵌入式元件的基板的制造方法,其特征在于包括下述步骤:提供一核心层,该核心层由多层绝缘层堆叠而成,该多层绝缘层呈半固态;在该核心层中形成一个埋孔,并在该埋孔中放置一个嵌入元件,而该嵌入元件至少具有一个电极;分别 在该核心层的两个表面上各形成一层金属层;压合该核心层和该两层金属层,并使该多层半固态绝缘层填入该埋孔中,并包裹该嵌入元件的周围表面;电性导通该嵌入元件和该两层金属层;以及将该两层金属层形成图案,以分别形成第一信号层和 第二信号层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:洪清富林素玉薛彬佑
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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