灵敏放大器及存储芯片制造技术

本申请公开了一种灵敏放大器及存储芯片，该灵敏放大器包括预充电晶体管、第一钳位晶体管、侦测单元以及反馈单元，通过侦测单元侦测流经预充电晶体管的电流并转化为对应的电压，然后反馈单元根据该电压输出更低的电压，进而控制流经第一钳位晶体管的电流，不仅可以削弱流经第一钳位晶体管的电流峰值，缓解了对总位线或者位线充电的电流峰值较大的技术问题；而且侦测单元同时也起到了分压作用，预充电过程中也可以承受更大的电源电压，进而扩大了电源电压的允许使用范围。电压的允许使用范围。电压的允许使用范围。

【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器及存储芯片


[0001]本申请涉及存储
，具体涉及一种灵敏放大器及存储芯片。

技术介绍

[0002]在存储芯片或者存储器中，灵敏放大器用于读出存储单元中的存储数据。然而，传统灵敏放大器对总位线或者位线的充电无法跟随电源电压进行有效的峰值控制，从而导致可使用的电源电压的范围较窄；同时，也会导致对总位线或者位线充电的电流峰值较大。

技术实现思路

[0003]本申请提供一种灵敏放大器及存储芯片，以缓解电源电压的允许使用范围较小及对总位线或者位线充电的电流峰值较大的技术问题。
[0004]第一方面，本申请提供一种灵敏放大器，该灵敏放大器包括预充电晶体管、第一钳位晶体管、侦测单元以及反馈单元，预充电晶体管的第一极与电源端电连接，预充电晶体管的控制极与预充电控制端电连接；第一钳位晶体管的第一极与预充电晶体管的第二极电连接，第一钳位晶体管的第二极与总位线电连接；侦测单元耦接于电源端与预充电晶体管的第一极之间，用于侦测流经预充电晶体管的电流并转化为对应的电压；反馈单元的输入端与预充电晶体管的第一极电连接，反馈单元的输出端与第一钳位晶体管的控制极电连接，用于削减流经第一钳位晶体管的电流峰值。
[0005]在其中一些实施方式中，侦测单元包括侦测电阻，侦测电阻的一端与电源端电连接，侦测电阻的另一端与预充电晶体管的第一极、反馈单元的输入端电连接。
[0006]在其中一些实施方式中，侦测单元包括侦测晶体管，侦测晶体管的第一极与电源端电连接，侦测晶体管的控制极与侦测晶体管的第二极、预充电晶体管的第一极电连接，侦测晶体管为P沟道型晶体管。
[0007]在其中一些实施方式中，反馈单元包括第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管，第一晶体管的第一极与电源端电连接，第一晶体管的控制极与侦测电阻的另一端或者侦测晶体管的第二极电连接；第二晶体管的第一极与第一晶体管的第二极、第二晶体管的控制极电连接，第二晶体管的第二极与接地端电连接；第三晶体管的第一极与第一钳位晶体管的控制极电连接，第三晶体管的第二极与接地端电连接，第三晶体管的控制极与第一晶体管的第二极电连接。
[0008]在其中一些实施方式中，第一晶体管为P沟道型晶体管；第二晶体管、第三晶体管均为N沟道型晶体管。
[0009]在其中一些实施方式中，流经第一晶体管的电流与流经第三晶体管的电流之比为1：M，其中，M为正数。
[0010]在其中一些实施方式中，灵敏放大器还包括第四晶体管和第二钳位晶体管，第四晶体管的第一极与电源端电连接，第四晶体管的控制极与第一偏置电压端电连接，第四晶体管为P沟道型晶体管；第二钳位晶体管的第一极与第四晶体管的第二极、第一钳位晶体管
的控制极电连接，第二钳位晶体管的第二极与接地端电连接，第二钳位晶体管的控制极与第一钳位晶体管的第二极电连接。
[0011]在其中一些实施方式中，灵敏放大器还包括第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管以及缓冲器，第五晶体管的第一极与电源端电连接，第五晶体管的控制极与第二偏置电压端电连接，第五晶体管的第二极与预充电晶体管的第二极电连接；第六晶体管的第一极与电源端电连接，第六晶体管的控制极与第五晶体管的第二极电连接，第六晶体管为P沟道型晶体管；第七晶体管的第一极与第六晶体管的第二极电连接，第七晶体管的控制极与第三偏置电压端电连接，第七晶体管的第二极与接地端电连接；缓冲器的输入端与第六晶体管的第二极、第七晶体管的第一极电连接，缓冲器的输出端用于输出读出数据。
[0012]第二方面，本申请提供一种存储芯片，该存储芯片包括上述至少一实施方式中的灵敏放大器，存储芯片为异或型闪存。
[0013]在其中一些实施方式中，存储芯片还包括译码晶体管和存储晶体管，译码晶体管的第一极与总位线电连接，译码晶体管的控制极与译码选择端电连接，译码晶体管的第二极与位线电连接；存储晶体管的第一极与位线电连接，存储晶体管的控制极与字线电连接，存储晶体管的第二极与接地端电连接。
[0014]本申请提供的灵敏放大器及存储芯片，通过侦测单元侦测流经预充电晶体管的电流并转化为对应的电压，然后反馈单元根据该电压输出更低的电压，进而控制流经第一钳位晶体管的电流，不仅可以削弱流经第一钳位晶体管的电流峰值，缓解了对总位线或者位线充电的电流峰值较大的技术问题；而且侦测单元同时也起到了分压作用，预充电过程中也可以承受更大的电源电压，进而扩大了电源电压的允许使用范围。
附图说明
[0015]下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0016]图1为本申请实施例提供的灵敏放大器的一种电路图。
[0017]图2为本申请实施例提供的灵敏放大器的另一种电路图。
[0018]图3为图1、图2所示灵敏放大器中部分参数随时间变化的示意图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0020]有鉴于上述提及的灵敏放大器中电源电压的允许使用范围较小及对总位线DBL或者位线BL充电的电流峰值较大的技术问题，本实施例提供了一种灵敏放大器，请参阅图1至图3，如图1、图2所示，该灵敏放大器包括预充电晶体管M1、第一钳位晶体管M2、侦测单元10以及反馈单元20，预充电晶体管M1的第一极与电源端VCC电连接，预充电晶体管M1的控制极与预充电控制端PREb电连接；第一钳位晶体管M2的第一极与预充电晶体管M1的第二极电连接，第一钳位晶体管M2的第二极与总位线DBL电连接；侦测单元10耦接于电源端VCC与预充
电晶体管M1的第一极之间，用于侦测流经预充电晶体管M1的电流并转化为对应的电压；反馈单元20的输入端与预充电晶体管M1的第一极电连接，反馈单元20的输出端与第一钳位晶体管M2的控制极电连接，用于削减流经第一钳位晶体管M2的电流峰值。
[0021]可以理解的是，本实施例提供的灵敏放大器，通过侦测单元10侦测流经预充电晶体管M1的电流并转化为对应的电压，然后反馈单元20根据该电压输出更低的电压，进而控制流经第一钳位晶体管M2的电流，不仅可以削弱流经第一钳位晶体管M2的电流峰值，缓解了对总位线DBL或者位线BL充电的电流峰值较大的技术问题；而且侦测单元10同时也起到了分压作用，预充电过程中也可以承受更大的电源电压，进而扩大了电源电压的允许使用范围。
[0022]需要进行说明的是，在未增加侦测单元10之前，预充电晶体管M1的第一极的电压与电源端VCC的电压在忽略两者之间连接导线的压降的情况下几乎相等；而在增加侦测单元10之后，由于侦测单元10自身电阻的原因，预充电晶体管M1的第一极的电压等于电源端VCC的电压减去侦测单元10的压降，当电源端VCC的电压增大时，侦测单元10的自身电阻基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，所述灵敏放大器包括：预充电晶体管，所述预充电晶体管的第一极与电源端电连接，所述预充电晶体管的控制极与预充电控制端电连接；第一钳位晶体管，所述第一钳位晶体管的第一极与所述预充电晶体管的第二极电连接，所述第一钳位晶体管的第二极与总位线电连接；侦测单元，所述侦测单元耦接于所述电源端与所述预充电晶体管的第一极之间，用于侦测流经所述预充电晶体管的电流并转化为对应的电压；以及反馈单元，所述反馈单元的输入端与所述预充电晶体管的第一极电连接，所述反馈单元的输出端与所述第一钳位晶体管的控制极电连接，用于削减流经所述第一钳位晶体管的电流峰值。2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述侦测单元包括侦测电阻，所述侦测电阻的一端与所述电源端电连接，所述侦测电阻的另一端与所述预充电晶体管的第一极、所述反馈单元的输入端电连接。3.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述侦测单元包括侦测晶体管，所述侦测晶体管的第一极与所述电源端电连接，所述侦测晶体管的控制极与所述侦测晶体管的第二极、所述预充电晶体管的第一极电连接，所述侦测晶体管为P沟道型晶体管。4.根据权利要求2或者3所述的灵敏放大器，其特征在于，所述反馈单元包括：第一晶体管，所述第一晶体管的第一极与所述电源端电连接，所述第一晶体管的控制极与所述侦测电阻的另一端或者所述侦测晶体管的第二极电连接；第二晶体管，所述第二晶体管的第一极与所述第一晶体管的第二极、所述第二晶体管的控制极电连接，所述第二晶体管的第二极与接地端电连接；以及第三晶体管，所述第三晶体管的第一极与所述第一钳位晶体管的控制极电连接，所述第三晶体管的第二极与所述接地端电连接，所述第三晶体管的控制极与所述第一晶体管的第二极电连接。5.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一晶体管为P沟道型晶体管；所述第二晶体管、所述第三晶体管均为N沟道型晶体管。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：管小进，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：