【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、处理容器、半导体器件的制造方法及记录介质
[0001]本专利技术涉及基板处理装置、处理容器、半导体器件的制造方法及记录介质。
技术介绍
[0002]在半导体器件的制造方法中所利用的基板处理装置中，存在具有将处理气体相对于处理室内的基板供给的喷管的基板处理装置(例如专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2018/179157号
[0006]专利文献2：日本特开平9
‑
97767号公报
技术实现思路
[0007]存在进行消耗的喷管的更换和多种喷管的评价的情况。在该情况下，需要在防止喷管倒伏的同时将石英制的喷管连接于石英制的反应管并进行固定的技术。
[0008]本专利技术的课题在于提供一种能够在防止喷管倒伏的同时将喷管连接于反应管并进行固定的技术。
[0009]其他课题和新特征将根据本说明书的记述及附图而得以明确。
[0010]若简单说明本专利技术中的具有代表性的方案的概要则如下所述。
[0011]根据本专利技术的一个方案，提供一种技术，具备：
[0012]非金属制的气体导入部，其将处理容器的侧壁贯穿且与上述侧壁一体地设置，具有向上述处理容器内突出的前端；
[0013]非金属制的喷管，其具有插入在上述气体导入部的内侧且与上述气体导入部流体性连通的第1直线部、和与上述第1直线部流体性连通且沿着上述处理容器的内壁配置的第2直线部；以及>[0014]固定块，其设在上述处理容器的上述侧壁的内侧且上述气体导入部的上方，具有能够使上述喷管在上述处理容器的半径方向上移动的槽。
[0015]专利技术效果
[0016]根据本专利技术的技术，能够在防止喷管倒伏的同时将喷管连接于反应管并进行固定。
附图说明
[0017]图1是在本专利技术的一个实施方式中优选使用的基板处理装置的纵式处理炉的概略结构图，是以纵剖视图表示处理炉部分的图。
[0018]图2是表示在本专利技术的一个实施方式中优选使用的基板处理装置的反应管的炉口周边构造的概略结构图，是以水平剖视图表示炉口周边的图。
[0019]图3是表示在本专利技术的一个实施方式中优选使用的基板处理装置的反应管内的喷
管的概略结构图。
[0020]图4是在本专利技术的一个实施方式中优选使用的基板处理装置的固定块的概略结构图。
[0021]图5是在本专利技术的一个实施方式中优选使用的基板处理装置的气体导入部的前端部分的概略结构图。
[0022]图6是在本专利技术的一个实施方式中优选使用的基板处理装置的反应管的设在炉口周边的概略结构图，是以纵剖视图表示气体导入部的图。
[0023]图7是在本专利技术的一个实施方式中优选使用的基板处理装置的控制器的概略结构图，是表示控制器的控制系统的框图。
[0024]图8是表示在本专利技术的一个实施方式中优选使用的基板处理工序的一个例子的流程图。
[0025]附图标记说明
[0026]1：基板处理装置
[0027]30：喷管
[0028]40：固定块
[0029]45：限制板
[0030]55：止动板
[0031]203：反应管
[0032]232a、232b：气体供给管
具体实施方式
[0033]以下，使用附图说明实施方式。其中，在以下的说明中，存在对相同的结构要素标注相同的附图标记并省略重复说明的情况。此外，为了使说明更加明确，存在附图与实际形态相比示意地表示的情况，但原则上是一个例子，并不限定本专利技术的解释。
[0034](1)基板处理装置的结构例
[0035]图1是在本专利技术的一个实施方式中优选使用的基板处理装置的纵式处理炉的概略结构图，是以纵剖视图表示处理炉部分的图。如图1所示，基板处理装置1具有纵式的处理炉202。处理炉202具备作为处理容器的反应管203。反应管203是例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热耐腐蚀性材料制，构成为下端具有炉口(开口)的圆筒部件。在反应管203的筒中空部形成有处理室201。处理室201在内部具备收纳作为基板的晶片200的作为第1区域的晶片收纳区域A(以下称为区域A)、以及设在区域A的铅垂方向下方的作为第2区域的炉口周边区域B(以下称为区域B)。
[0036]在反应管203的下方设有能够将反应管203的下端开口气密地封堵的作为盖部的密封盖219。在密封盖219的下方设置有旋转机构267。密封盖219形成为圆盘状，以构成上表面侧的上表面基座部219a和构成下表面侧的下表面基座部219b层叠的方式构成。上表面基座部219a由例如石英等非金属部件构成，其厚度为10～20mm左右。下表面基座部219b由例如不锈钢(SUS)等金属部件构成。旋转机构267的旋转轴255将密封盖219贯穿且与舟皿217连接。旋转机构267构成为通过使舟皿217旋转而使晶片200旋转。对旋转轴255开设的旋转轴255的轴承部219s构成为磁密封件等流体密封件。密封盖219通过设置在反应管203下方
的舟皿升降机115而在垂直方向上升降。舟皿升降机115构成为通过使密封盖219升降而将舟皿217即晶片200向处理室201内外搬入及搬出(搬送)的搬送机构。
[0037]作为基板支承件的舟皿217构成为将多片例如25～200片的晶片200以水平姿势且以在彼此中心对齐的状态下沿垂直方向排列的方式多层地支承，即，使其隔开间隔地排列。舟皿217为例如石英或SiC等耐热性材料制，上下具备顶板217a、底板217b。以水平姿势多层地支承于舟皿217下部的隔热体218为例如石英或SiC等耐热性材料制，构成为抑制区域A与区域B之间的热传导。也能够将隔热体218认为是舟皿217的结构部件的一部分。
[0038]在反应管203的外侧设有作为第1加热部的加热器207、和作为第2加热部的加热器208。从加热器电源单元210(参照图6)向加热器207、208供给电力。
[0039]加热器207以至少包围区域A的方式垂直地安装。加热器207在后述的基板处理工序中以将收纳在区域A中的晶片200加热到规定温度的方式被控制。
[0040]加热器208以包围区域B的至少一部分的方式设在加热器207的铅垂方向下方。
[0041]加热器208由沿反应管203的外周方向排列(分割)的多个加热器单元构成。加热器208在后述的基板处理工序中，以特别将反应管203的炉口周边的侧壁的温度和配管的温度分别维持在规定温度的方式被控制。此外，以下将反应管203的炉口周边的侧壁仅称为炉口部侧壁。
[0042]在处理室201内，设有从反应管203的侧壁的外侧贯穿到内侧、并且沿着反应管203的内壁延伸的温度传感器保护管263a。在温度传感器保护管263a的管内，以从反应管203的外侧穿插的方式设有作为温度检测部的温度传感器263。基于由温度传感器263检测出的温度信息，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：非金属制的气体导入部，其将处理容器的侧壁贯穿且与所述侧壁一体地设置，具有向所述处理容器内突出的前端；非金属制的喷管，其具有插入在所述气体导入部的内侧且与所述气体导入部流体性连通的第1直线部、和与所述第1直线部流体性连通且沿着所述处理容器的内壁配置的第2直线部；以及固定块，其设在所述处理容器的所述侧壁的内侧且所述气体导入部的上方，具有能够使所述喷管在所述处理容器的半径方向上移动的槽。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体导入部的在处理容器内侧的端部构成为与所述喷管相比向所述处理容器的内侧方向延伸，在所述端部插入有止动件。3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述固定块与所述处理容器一体地形成，所述槽朝向所述处理容器的内侧方向开放。4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，所述槽具有扩宽部，所述基板处理装置还具备非金属制的限制件，该限制件在将喷管与扩宽部相比配置到所述槽的底侧的状态下插入于扩宽部，限制所述喷管的移动。5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述固定块设在所述处理容器的隔热区域中的高度或比所述喷管的高度方向上的中央低的高度。6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，所述固定块设在距所述处理容器的炉口40cm以内的距离。7.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述扩宽部构成为不贯穿至所述固定块的下端。8.如权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷管通过被所述槽的外周侧的端部和所述限制板夹着而在水平方向上被定位。9.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体导入部具有导入管，该导入管具有与所述喷管的外径大致相对应的内径，在所述导入管的前端且上端具有与内径大致相对应的宽度的U字型的切口。10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷管的下端具有与所述气体导入部的相对的表面相对应的形状，具有使所述喷管的内部和所述导入管流体性连通的开口。11.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述喷管的下端具有与所述气体导入部的相对的表面相对应的形状，具有使所述喷...
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