电子设备和制造电子设备的方法技术

在传统的电子设备和制造电子设备的方法中，减少电子设备的成本受到阻碍因为用于焊球侧上的互连层中的树脂受到限制。电子设备包括互连层（第一互连层）和互连层（第二互连层）。在第一互连层的下表面上形成第二互连层。从上面看第二互连层在面积上大于第一互连层并且从第一互连层上延伸至外部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。技术背景作为已知的制造电子设备的方法，例如已提供一种在日本特开专 利公开第2003-309215号中公开的方法。在该文件中描述的制造方法 中，通过在支持衬底上叠放个互连层而形成多层互连层，然后，移除 支持衬底。然后，在通过移除支持衬底而露出的多层互连层的一个表 面上，形成焊球作为外部电极端子。此外，在多层互连层的另一个表 面上，以倒装晶片(flip chip)结构安装电子元件。这样可以获得这样 的电子设备在该电子设备上，电子元件被放置在多层互连层上。此外，作为与本专利技术相关的常规技术文件，除了日本特开专利公 开第2003-309215号之外，还包括日本特开专利公开第57-7147号，第 9-321408号，第11-126978号，第2001-53413号。顺便提及，在上述电子设备中，为了实现互连层和电子元件之间 的细微连接，需要适用于显微机械加工的树脂，以便在构成多层互连 层的互连层中的电子元件侧上的互连层中使用。相反，存在很多这样 的情况，其中不需要将适用于显微机械加工的树脂用于焊球侧上的互 连层中。在这种情况下，最好是在焊球侧上的互连层中使用具有相对 低成本的树脂，以便降低电子设备的成本。然而，在日本特开专利公开第2003-309215号中公开的制造方法 中，如上所述，通过在支持衬底上按次序叠放多个互连层来形成多层 互连层。因此，焊球侧上的互连层是在形成电子元件侧上的互连层之 前形成的。结果，存在这样一种限制，即不能把分解温度比构成电子 元件侧上的互连层的树脂低的树脂用作构成焊球侧上的互连层的树 脂。用在焊球侧上的互连层中的树脂受限于这样一种约束，因此，电 子设备成本的降低受到阻碍。
技术实现思路
在一个实施例中，提供一种制造电子设备的方法，包括在支持 衬底上形成第一互连层；移除所述支持衬底；以及形成第二互连层， 所述第二互连层在所述第一互连层的已移除了支持衬底的表面上形 成，并延伸至比第一互连层更靠外侧的地方。提供一种制造电子设备的方法，包括其中在所述形成第二互连 层的步骤中，把分解温度低于构成所述第一互连层的树脂的树脂用作 构成所述第二互连层的树脂。因此，适用于显微机械加工的树脂可用 于第一互连层；另一方面，具有相对低成本的树脂可用于第二互连层。此外，在一个实施例中，提供一种电子设备，包括第一互连层； 以及第二互连层，该第二互连层是在所述第一互连层上提供的，并且 延伸至比所述第一互连层更靠外侧的地方。在这个电子设备中，作为构成第二互连层的树脂，可以使用分解 温度低于构成第一互连层的树脂的树脂。因此，适用于显微机械加工 的树脂可用于第一互连层；另一方面，具有相对低成本的树脂可用于 第二互连层。根据本专利技术，提供执行一种，其 中两者都能够用低成本获得互连层和电子元件之间的细微连接。附图说明本专利技术的上述及其他目的、优点和特征将通过结合附图对下列采 用的某些最佳实施例的说明而变得更加显而易见，其中附图1是示出根据本专利技术的电子设备的第一实施例的剖视图；附图2是用于解释在第一互连层和第二互连层之间的接口附近的 结构的例子的剖视图；附图3A到3E是示出根据本专利技术制造电子设备的方法的第一实施 例的大纲的过程图；附图4A和4B是示出根据本专利技术制造电子设备的方法的第一实施 例的过程图；附图5A和5B是示出根据本专利技术制造电子设备的方法的第一实施 例的过程图；附图6A和6B是示出根据本专利技术制造电子设备的方法的第一实施 例的过程图；附图7是示出根据本专利技术制造电子设备的方法的第一实施例的过程图；附图8是示出根据本专利技术的电子设备的第二实施例的剖视图； 附图9A和9B是示出根据本专利技术制造电子设备的方法的第二实施 例的过程图；附图IOA到IOC是示出根据本专利技术制造电子设备的方法的第二实 施例的过程图；附图IIA和IIB是示出根据本专利技术制造电子设备的方法的第二实 施例的过程图；附图12A和12B是示出根据本专利技术制造电子设备的方法的第二实 施例的过程图；附图13是示出根据本专利技术的电子设备的第三实施例的剖视图； 附图14A和14B是示出根据本专利技术制造电子设备的方法的第三实 施例的过程图；附图15是用于解释一种实施例的修改的例子的平面图；以及 附图16A到16C是用于解释实施例的修改例子的平面图。具体实施方式现在将参考例证性的实施例在这里描述本专利技术。本领域中的那些 技术人员将要考虑到可以使用本专利技术的教导实现很多可替换的实施例 并且本专利技术不局限于为了解释的目的举例说明的实施例。将参考附图在下面详细说明根据本专利技术的电子设备和制造电子设 备的方法的最佳实施例。此外，在附图说明中把相同的附图标记给那 些相同构成的元件并且将不会重复地详细描述它们。第一实施例附图1是示出根据本专利技术的电子设备的第一实施例的剖视图。电 子设备l包括互连层10 (第一互连层)和互连层20 (第二互连层)。互连层10具有通用接口适配器插头12 (第一导电插头)，绝缘树 脂14，和导体互连16。通用接口适配器插头12是在绝缘树脂14中形 成的。可以从附图中看出，通用接口适配器插头12具有如下锥形形状， 直径随着接近互连层20而逐渐变小。因此，通用接口适配器插头12 的互连层20侧上的末端表面面积小于与之相对的末端表面面积，即集 成电路芯片32和36侧上的末端表面面积(稍后将对其描述)。例如通用接口适配器插头12的导体是铜，镍，金，或银。绝缘树 脂14例如是聚酰亚胺树脂(polyimide resin )，聚苯并恶唑 (polybenzoxazole，被称为PBO)树脂，苯并环丁烯(benzocyclobutene， 被称为BCB)树脂，阳茎基环(cardo)树脂(阳茎基环类聚合物)， 或环氧树脂。聚酰亚胺树脂可以是感光性的聚酰亚胺树脂，或非感光 性的聚酰亚胺树脂。连接到通用接口适配器插头12的导体互连16是 在绝缘树脂14上形成的。集成电路芯片32和36 (电子元件)被放置在互连层IO的上表面 (第一表面)。集成电路芯片32和36中的每一个都是以倒装晶片结构， 经由凸起33和37连接到导体互连16的。在集成电路芯片32和互连 层10之间的缝隙中填充未充满(underfill)树脂34。以同样的方式， 在集成电路芯片36和互连层10之间的缝隙中填充未充满树脂38。提 供多个数目的集成电路芯片36，并且那些芯片彼此互相叠放。集成电 路芯片32和集成电路芯片36分别是中央处理器和叠层存储器。叠层 存储器是一种其中集成电路芯片(存储器)被三维叠层并被电连接于 芯片(存储器)之间的存储器。此外，还用在互连层10上形成的密封树脂52来覆盖该集成电路 芯片32和36。更详细地，集成电路芯片32的侧面、集成电路芯片36 的侧面和上表面都用密封树脂52覆盖。在互连层10的下表面(第二表面)上形成互连层20。从上面看起 来，互连层20的面积大于互连层10，并且延伸到比互连层10更靠外 的外侧。也就是说，互连层20从互连层IO上突出。互连层20具有通用接口适配器插头22 (第二导电插头)和绝缘树 脂24。通用接口适配器插头22是在绝缘树脂24中形成的。通用接口 适配器插头22连接到上述的通用接口适配器插头12。可以从附图中看 出，通用接口适配器插头22具有如下锥形形状，本文档来自技高网...

【技术保护点】
制造电子设备的方法，包括：在支持衬底上形成第一互连层；移除支持衬底；以及形成第二互连层，所述第二互连层在所述第一互连层的已移除了支持衬底的表面上形成，并延伸至比第一互连层更靠外侧的地方。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：栗田洋一郎，川野连也，副岛康志，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]