半导体封装结构及其软性电路板制造技术

本发明专利技术是一种半导体封装结构及其软性电路板。所述半导体封装结构包含软性电路板及覆晶单元，该软性电路板具有软性基板及多个内引线，该软性基板具有上表面，所述内引线设置于该上表面，各该内引线具有第一连接面及第二连接面，所述第一连接面连接该上表面，其中该第一连接面的宽度大于该第二连接面的宽度，该覆晶单元具有晶片及多个凸块，各该凸块具有第一接合面及第二接合面，所述第一接合面连接该晶片，各该第二接合面连接各该内引线的该第二连接面。接面。接面。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其软性电路板


[0001]本专利技术是关于一种半导体封装结构，特别是关于一种具有软性电路板的半导体封装结构及其软性电路板。

技术介绍

[0002]覆晶制程是在晶片的主动面上形成凸块，再将晶片倒置使凸块与软性基板上的线路连接，使得晶片可经由凸块及线路进行信号的传输，由于覆晶制程形成的半导体封装结构具有体积小及可弯曲的功效，目前被大量使用于可携式个人行动装置中。也因为被使用于可携式个人行动装置中，覆晶制程的半导体封装结构仍朝向缩小体积的趋势发展，不论是设置于晶片上的凸块或是设置于软性基板的线路宽度皆越来越细小，但又必须维持高电流的承载能力，导致电迁移效应所导致的线路故障更趋严重，因此，如何在缩小体积的同时避免电迁移效应的影响已经成为覆晶制程的半导体封装结构必须重视的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于借由内引线的第一连接面的宽度大于内引线的第二连接面的宽度，可有效地提高内引线的电迁移寿命，并降低覆晶制程中内引脚接合时所需的压合力，以减少因压合力过大所导致的接合滑移(Bond shift)的风险。
[0004]本专利技术的一种半导体封装结构包含软性电路板及覆晶单元，该软性电路板具有软性基板及多个内引线，该软性基板具有上表面，所述内引线设置于该上表面，各该内引线具有第一连接面及第二连接面，所述第一连接面连接该上表面，其中该第一连接面的宽度大于该第二连接面的宽度，且各该第二连接面的该宽度大于等于各该第一连接面的该宽度的0.7倍，该覆晶单元具有晶片及多个凸块，各该凸块具有第一接合面及第二接合面，所述第一接合面连接该晶片，各该第二接合面连接各该内引线的该第二连接面。
[0005]较佳地，各该第二连接面的该宽度小于各该第一连接面的该宽度的0.75倍。
[0006]较佳地，各该内引线的该第二连接面的该宽度小于各该凸块的该第二接合面的宽度。
[0007]较佳地，各该第二连接面的该宽度介于该第二接合面的该宽度的0.4倍及该第二接合面的该宽度的0.8倍之间。
[0008]较佳地，各该凸块的横截面为矩形。
[0009]本专利技术的一种半导体封装结构的软性电路板包含软性基板及多个内引线，该软性基板具有上表面，所述内引线设置于该上表面，各该内引线具有第一连接面及第二连接面，所述第一连接面连接该上表面，该第一连接面的宽度大于该第二连接面的宽度，且各该第二连接面的该宽度大于等于各该第一连接面的该宽度的0.7倍。
[0010]较佳地，各该第二连接面的该宽度小于各该第一连接面的该宽度的0.75倍。
[0011]较佳地，各该内引线的该第二连接面用以与凸块的接合面连接。
[0012]较佳地，各该内引线的该第二连接面的该宽度小于该凸块的该接合面的宽度。
[0013]较佳地，各该第二连接面的该宽度介于该接合面的该宽度的0.4倍及该接合面的该宽度的0.8倍之间。
[0014]本专利技术借由各该内引线的该第二连接面的该宽度小于该第一连接面的该宽度以提高所述内引线的电迁移寿命，而可增加该半导体封装结构的可靠度，此外，该第二连接面的该宽度小于该第一连接面的该宽度还可降低所述内引线于覆晶制程中所需的压合力，减少接合滑移的风险，而改善该半导体封装结构的制程良率。
附图说明
[0015]图1：依据本专利技术的一实施例，一种半导体封装结构的俯视图。
[0016]图2：依据本专利技术的一实施例，该半导体封装结构的侧视图。
[0017]【主要元件符号说明】
[0018]100：半导体封装结构
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110：软性电路板
[0019]111：软性基板
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111a：上表面
[0020]112：内引线
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112a：第一连接面
[0021]112b：第二连接面
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120：覆晶单元
[0022]121：晶片
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122：凸块
[0023]122a：第一接合面
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122b第二接合面
[0024]W1：第一连接面的宽度
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W2：第二连接面的宽度
[0025]W3：第二接合面的宽度
具体实施方式
[0026]请参阅图1，其为本专利技术的一实施例，一种半导体封装结构100的俯视图，该半导体封装结构100包含软性电路板110及覆晶单元120，该软性电路板110具有软性基板111、多个内引线112、多个传输线113及多个外引线114，该软性基板111具有上表面111a，所述内引线112、所述传输线113及所述外引线114设置于该上表面111a。在本实施例中，该软性基板111的材料可为聚酰亚胺(Po lyimide)薄膜，或其他具有可挠性、高耐热、耐化学腐蚀及高介电强度的材料，而所述内引线112、所述传输线113及所述外引线114则为电镀于该软性基板111的该上表面111a上的铜层经由图案化蚀刻而成。
[0027]请再参阅图1，图中所述内引线112、所述传输线113及所述外引线114仅揭示其设置的区域，实际上所述内引线112、所述传输线113及所述外引线114为间距极窄的细微线路，所述线路用以提供该覆晶单元120与外部电子元件(例如玻璃基板、控制电路板
…
等)之间进行信号传输。其中，所述内引线112位于该覆晶单元120设置于该软性基板111的区域中，且所述内引线112用以在覆晶制程中与该覆晶单元120共晶连接，所述外引线114邻近该软性基板111的边缘，所述外引线114用以与外部电子元件电性连接，各该传输线113位于各该内引线112及各该外引线114之间，且各该传输线113用以电性连接各该内引线112及各该外引线114。
[0028]请参阅图2，为该覆晶单元120与所述内引线112连接的侧视示意图，各该内引线112具有第一连接面112a及第二连接面112b，所述第一连接面112a连接该软性基板111的该上表面111a。该覆晶单元120具有晶片121及多个凸块122，各该凸块122具有第一接合面
122a及第二接合面122b，所述第一接合面122a连接该晶片121，各该第二接合面122b连接各该内引线112的该第二连接面112b，在本实施例中，该覆晶单元120的各该凸块122是通过覆晶制程的热压合与各该内引线112共晶连接，其中，所述凸块122的材料可选自为铜、镍、金、锡、其他金属或其合金。
[0029]请参阅图2中的局部放大图，在本实施例中，该第一连接面112a的宽度W1大于该第二连接面112b的宽度W2，使得各该内引线112的横截面呈梯形，借此可提高该内引线112的电迁移寿命并降低该内引线112于覆晶制程中所需的压合力。较佳的，在本实施例中，各本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包含：软性电路板，具有软性基板及多个内引线，该软性基板具有上表面，所述内引线设置于该上表面，各该内引线具有第一连接面及第二连接面，所述第一连接面连接该上表面，其中该第一连接面的宽度大于该第二连接面的宽度，且各该第二连接面的该宽度大于等于各该第一连接面的该宽度的0.7倍；以及覆晶单元，具有晶片及多个凸块，各该凸块具有第一接合面及第二接合面，所述第一接合面连接该晶片，各该第二接合面连接各该内引线的该第二连接面。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，各该第二连接面的该宽度小于各该第一连接面的该宽度的0.75倍。3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，各该内引线的该第二连接面的该宽度小于各该凸块的该第二接合面的宽度。4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其特征在于，各该第二连接面的该宽度介于该第二接合面的该宽度的0.4倍及该第二接合面的该宽度的0.8倍之间。5.根据权利要求1所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢依凌，郭庭宜，李东昇，李佩萤，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：