一种可改善DALI电源EMI的控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种可改善DALI电源EMI的控制电路，包括信号端子P1、保险丝FU1、双向瞬态稳压二极管TV1、电感L1、整流桥DB1以及DALI信号处理模块，信号端子P1接入DALI总线，保险丝FU1的一端与信号端子P1的一端连接，保险丝FU1的另一端分别与双向瞬态稳压二极管TV1的一端以及电感L1的第一端连接，电感L1的第二端分别与双向瞬态稳压二极管TV1的另一端以及信号端子P1的另一端连接，电感L1的第三端和第四端分别接入整流桥DB1的第一输入端和第二输入端，整流桥DB1的第一输出端和第二输出端分别与DALI信号处理模块连接；DALI系统发送的DALI脉冲信号和DALI电源上其它干扰信号混合到DALI信号线上时，会通过电感L1抑制干扰信号，从而改善DALI信号线的EMI效果。从而改善DALI信号线的EMI效果。从而改善DALI信号线的EMI效果。

【技术实现步骤摘要】
一种可改善DALI电源EMI的控制电路


[0001]本技术涉及电源电路以及控制器电路领域，特别涉及一种可改善DALI电源EMI的控制电路。

技术介绍

[0002]随着LED照明产业的快速发展，现在各家各户以及户外照明都装进了LED，也使得LED电源市场蓬勃发展，也对LED电源的EMI要求越来越高；目前，在市面上DALI电源的应用也十分广泛，DALI电源的信号线是连接DALI系统上的总线电源，DALI系统会经常给DALI电源的信号线发送DALI脉冲信号，并且也会混合着在DALI电源上的其它干扰信号到DALI电源的信号线上，会导致DALI电源的信号线EMI效果很差，从而使得DALI信号线EMI测试不过；因此，研发一种可改善DALI电源EMI的控制电路十分有必要。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种可改善DALI电源EMI的控制电路。
[0004]本技术的一种实施例解决其技术问题所采用的技术方案是：一种可改善DALI电源EMI的控制电路，包括信号端子P1、保险丝FU1、双向瞬态稳压二极管TV1、电感L1、整流桥DB1以及DALI信号处理模块，信号端子P1接入DALI总线，保险丝FU1的一端与信号端子P1的一端连接，保险丝FU1的另一端分别与双向瞬态稳压二极管TV1的一端以及电感L1的第一端连接，电感L1的第二端分别与双向瞬态稳压二极管TV1的另一端以及信号端子P1的另一端连接，电感L1的第三端和第四端分别接入整流桥DB1的第一输入端和第二输入端，整流桥DB1的第一输出端和第二输出端分别与DALI信号处理模块连接。
[0005]进一步地，DALI信号处理模块包括MOS管Q1、三极管Q2、光耦U1
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2、电阻R2
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2、电阻R5
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7、电容C1
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3、稳压管Z1以及控制芯片U3，MOS管Q1的漏极分别与整流桥DB1的第一输出端、三极管Q2的基极、发射极以及电阻R7的一端连接，MOS管Q1的栅极分别与电阻R3的一端、电阻R6的一端以及电容C2的一端连接，MOS管Q1的源极分别与整流桥DB1的第二输出端、电容C2的另一端、电阻R6的另一端、电阻R7的另一端、电容C3的一端、稳压管Z1的一端以及接地端连接，电阻R3的另一端与光耦U1受光器的一端连接，光耦U1受光器的另一端分别与电容C3的另一端、稳压管Z1的另一端以及光耦U2发光器的一端连接，三极管Q2的集电极与光耦U2发光器的另一端连接，光耦U1发光器的一端经电阻R2与主控芯片U3的输出脚连接，光耦U1发光器的另一端和光耦U2受光器的一端接地，光耦U2受光器的另一端与主控芯片U3的检测脚连接以及经电阻R5接入电源VDD，主控芯片U3的8脚与电源VDD连接以及经电容C1接地。
[0006]本技术的有益效果：一种可改善DALI电源EMI的控制电路，包括信号端子P1、保险丝FU1、双向瞬态稳压二极管TV1、电感L1、整流桥DB1以及DALI信号处理模块，信号端子P1接入DALI总线，保险丝FU1的一端与信号端子P1的一端连接，保险丝FU1的另一端分别与
双向瞬态稳压二极管TV1的一端以及电感L1的第一端连接，电感L1的第二端分别与双向瞬态稳压二极管TV1的另一端以及信号端子P1的另一端连接，电感L1的第三端和第四端分别接入整流桥DB1的第一输入端和第二输入端，整流桥DB1的第一输出端和第二输出端分别与DALI信号处理模块连接；DALI系统发送的DALI脉冲信号和DALI电源上其它干扰信号混合到DALI信号线上时，会通过电感L1抑制干扰信号，从而改善DALI信号线的EMI效果。
附图说明
[0007]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
[0008]图1为一种可改善DALI电源EMI的控制电路的原理框图；
[0009]图2为一种可改善DALI电源EMI的控制电路的电路图。
具体实施方式
[0010]本部分将详细描述本技术的具体实施例，本技术之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本技术的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本技术保护范围的限制。
[0011]在本技术的描述中，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
[0012]在本技术的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0013]本技术中，除非另有明确的限定，“设置”、“安装”、“连接”等词语应做广义理解，例如，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连；可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，还可以是一体成型；可以是机械连接；可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。所属
技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本技术中的具体含义。
[0014]参照图1至图2，一种可改善DALI电源EMI的控制电路，包括信号端子P1、保险丝FU1、双向瞬态稳压二极管TV1、电感L1、整流桥DB1以及DALI信号处理模块10，信号端子P1接入DALI总线，保险丝FU1的一端与信号端子P1的一端连接，保险丝FU1的另一端分别与双向瞬态稳压二极管TV1的一端以及电感L1的第一端连接，电感L1的第二端分别与双向瞬态稳压二极管TV1的另一端以及信号端子P1的另一端连接，电感L1的第三端和第四端分别接入整流桥DB1的第一输入端和第二输入端，整流桥DB1的第一输出端和第二输出端分别与DALI信号处理模块10连接。
[0015]DALI信号处理模块10包括MOS管Q1、三极管Q2、光耦U1
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2、电阻R2
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2、电阻R5
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7、电容C1
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3、稳压管Z1以及控制芯片U3，MOS管Q1的漏极分别与整流桥DB1的第一输出端、三极管
Q2的基极、发射极以及电阻R7的一端连接，MOS管Q1的栅极分别与电阻R3的一端、电阻R6的一端以及电容C2的一端连接，MOS管Q1的源极分别与整流桥DB1的第二输出端、电容C2的另一端、电阻R6的另一端、电阻R7的另一端、电容C3的一端、稳压管Z1的一端以及接地端连接，电阻R3的另一端与光耦U1受光器的一端连接，光耦U1受光器的另一端分别与电容C3的另一端、稳压管Z1的另一端以及光耦U2发光器的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可改善DALI电源EMI的控制电路，其特征在于：包括信号端子P1、保险丝FU1、双向瞬态稳压二极管TV1、电感L1、整流桥DB1以及DALI信号处理模块(10)，所述信号端子P1接入DALI总线，保险丝FU1的一端与信号端子P1的一端连接，保险丝FU1的另一端分别与双向瞬态稳压二极管TV1的一端以及电感L1的第一端连接，电感L1的第二端分别与双向瞬态稳压二极管TV1的另一端以及信号端子P1的另一端连接，电感L1的第三端和第四端分别接入整流桥DB1的第一输入端和第二输入端，整流桥DB1的第一输出端和第二输出端分别与所述DALI信号处理模块(10)连接。2.根据权利要求1所述的一种可改善DALI电源EMI的控制电路，其特征在于：所述DALI信号处理模块(10)包括MOS管Q1、三极管Q2、光耦U1
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2、电阻R2
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2、电阻R5
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7、电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈耿圳，
申请(专利权)人：珠海市圣昌电子有限公司，
类型：新型
国别省市：