本发明专利技术涉及一种半塞孔沉金板前处理方法，包括以下步骤：将半塞孔沉金板进行沉金前处理，采用微蚀液处理铜面，所述微蚀液采用Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］＋Ｈ↓［２］ＳＯ↓［４］微蚀体系；将半塞孔沉金板进行预处理流程。所述预处理流程包括除油、后浸及活化，跳过微蚀缸生产。本发明专利技术半塞孔沉金板前处理方法采用Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］＋Ｈ↓［２］ＳＯ↓［４］微蚀体系，易挥发，避免残留于半塞孔位置，从而能有效减少原电池反应的产生，对缺镀有明显的改善作用，且微蚀后体系容易清洗，残余极少，适合半塞孔沉金板各种化学镀的前处理。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及印制电路领域，尤其涉及一种。
技术介绍
沉金工艺的目的的是在印制线路表面上沉积颜色稳定，光亮度好，镀层平 整，可焊性良好的镍金镀层。基本可分为五个阶段沉金前处理、预处理(除 油，微蚀，后浸、活化)，沉镍，沉金，后处理(废金水洗，DI水洗，烘干)。现有沉金前处理采用Na2S20s+H2S04微蚀体系。沉金预处理一般有以下几个步骤除油、微蚀、活化及后浸。以除去铜面氧化物，并在铜面沉钯，以作沉镍活化中心。其中某个环节处理不好，将会影响随后的沉镍和沉金，并导致 批量性的报废。生产过程中，各种药水必须定期分析和补加，控制在要求范围 内。半塞孔(一面开窗一面塞孔)板为沉金制作难点之一，因Na2S208+H2S04 微蚀体系容易藏于半塞孔位置，在孔内半塞孔侧蚀(undercut)位置发生原电 池反应，影响沉镍过程中的电极电位(沉镍为自催化氧化还原反应)，导致缺 镀。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，采用H202+H2S04 微蚀体系，易挥发，避免残留于半塞孔位置，从而能有效减少原电池反应的产 生，对缺镀有明显的改善作用。为实现上述目的，本专利技术提供一种，包括以下步骤步骤一将半塞孔沉金板进行沉金前处理，采用微蚀液处理铜面，所述微 蚀液采用H202+H2S04微蚀体系； 步骤二将半塞孔沉金板进行预处理。所述的，其中，所述预处理流程包括除油、后浸 及活化。所述H202+H2S04微蚀体系中&02的浓度为1%-5%， H2S04的浓度为5%-10%。本专利技术的有益效果采用H202+H2S04微蚀体系，易挥发，避免残留于半塞孔位置，从而能有效减少原电池反应的产生，对缺镀有明显的改善作用，且 微蚀后体系容易清洗，残余极少，适合半塞孔沉金板各种化学镀的前处理。附图说明下面结合附图,通过对本专利技术的具体实施方式详细描述,将使本专利技术的技术 方案及其他有益效果显而易见。 附图中，图1为本专利技术的的流程图。 具体实施例方式如图1所示，本专利技术，包括以下几个步骤 步骤一将半塞孔沉金板进行沉金前处理，采用微蚀液处理铜面，所述微 蚀液采用H202+H2S04微蚀体系。此药水中11202与H2S04共同作用，产生1.0-1.5微米的微蚀量。所述H202+H2S04微蚀体系中H202的浓度为1%-5%， 1^04的浓度为5%-10%。其中，使用11202作为氧化剂，用于铜的氧化，浓度 低，则蚀刻速率太慢，效率低；若浓度过高，则蚀铜速率太快，难于控制蚀铜 量，故在药水中添加一定的稳定剂，保证微蚀速率稳定；使用H2S04作为氧化 剂，用于铜的氧化，浓度小于5%，则蚀刻速率太慢，效率低；若浓度大于10%, 则蚀铜速率太快，难于控制蚀铜量；其余为去离子水稀释剂，通过去离子水稀 释剂进行11202、 H2S04的浓度配比。本步骤的工作温度控制在25-35'C，温度太高，H202分解太快；温度太低，微蚀速率太慢，微蚀效果不佳。步骤二将半塞孔沉金板进行预处理，该预处理包括除油、后浸及活化。预处理流程中，跳过现有生产线的微蚀缸，其余按正常流程操作，以防止沉金线微蚀缸影响；其中，除油可通过常规的酸性除油除去沉金板表面的氧化物及油脂；活化通过化学沉钯的方式在铜面上沉上一层钯，活化镍面，为沉镍提供 催化剂，除油、后浸及活化可通过现有技术实现。综上所述，半塞孔沉金板进入沉金线前，先通过一次微蚀前处理，所述微蚀液采用H202+H2S04微蚀体系。在沉金预处理过程中，进行除油、除油后跳过微蚀缸生产，其余按正常流程制作，防止沉金线微蚀缸的影响，以避免原电 池反应的产生。本专利技术采用H202+H2S04微蚀体系，易挥发，避免残留于半塞孔位置，从而能有效减少原电池反应的产生，对缺镀有明显的改 善作用，且微蚀后体系容易清洗，残余极少，适合半塞孔沉金板各种化学镀的 前处理。以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本专利技术的技术方案 和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于 本专利技术后附的权利要求的保护范围。权利要求1、一种，其特征在于，包括以下步骤步骤一将半塞孔沉金板进行沉金前处理，采用微蚀液处理铜面，所述微蚀液采用H2O2+H2SO4微蚀体系；步骤二将半塞孔沉金板进行预处理。2、 如权利要求1所述的，其特征在于，所述预 处理流程包括除油、后浸及活化。3、 如权利要求1所述的，其特征在于，所述 H202+H2S04微蚀体系中&02的浓度为1°/。-5%， H2SCU的浓度为5%-10%。4、 如权利要求1所述的，其特征在于，步骤一 的工作温度为25-35'C。全文摘要本专利技术涉及一种，包括以下步骤将半塞孔沉金板进行沉金前处理，采用微蚀液处理铜面，所述微蚀液采用H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>+H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>微蚀体系；将半塞孔沉金板进行预处理流程。所述预处理流程包括除油、后浸及活化，跳过微蚀缸生产。本专利技术采用H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>+H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>微蚀体系，易挥发，避免残留于半塞孔位置，从而能有效减少原电池反应的产生，对缺镀有明显的改善作用，且微蚀后体系容易清洗，残余极少，适合半塞孔沉金板各种化学镀的前处理。文档编号C23G1/02GK101338436SQ20081014232公开日2009年1月7日 申请日期2008年8月8日 优先权日2008年8月8日专利技术者袁继旺, 邢玉伟 申请人:东莞生益电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半塞孔沉金板前处理方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：将半塞孔沉金板进行沉金前处理，采用微蚀液处理铜面，所述微蚀液采用Ｈ↓［２］Ｏ↓［２］＋Ｈ↓［２］ＳＯ↓［４］微蚀体系； 步骤二：将半塞孔沉金板进行预处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：袁继旺，邢玉伟，
申请(专利权)人：东莞生益电子有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]
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