一种提高成膜质量的进气结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种提高成膜质量的进气结构，涉及半导体生产设备技术领域，包括进气室、反应室和基座；进气室内设置有多个保护气体流道和多个反应气体流道；多个保护气体流道和多个反应气体流道的进气端均位于进气室外侧，多个保护气体流道和多个反应气体流道的出气端均位于进气室底部；且相邻的反应气体流道的出气端被保护气体流道的出气端完全隔开。本实用新型专利技术中的提高成膜质量的进气结构，采用多个相互独立的密闭流道进气，保护气体将多种反应气体隔离，并通过设置调整件，改变每种反应气流道的横截面积，以改变反应气的在出气端的流速避免沉积。流速避免沉积。流速避免沉积。

【技术实现步骤摘要】
一种提高成膜质量的进气结构


[0001]本技术涉及半导体生产设备
，特别是涉及一种提高成膜质量的进气结构。

技术介绍

[0002]立式设备依照化学气相沉积原理进行外延膜片制备，设备反应腔室内部处于常压或者负压状态，多种工艺气体通入腔室在高温环境下与基板晶圆接触反应沉积。
[0003]晶片制备通常为长时间连续进行，反应室进气导管喷嘴端部可能由于反应气体反流导致喷嘴处发生反应沉积影响后续进气速率。同时考虑工艺过程中产生的损耗和进气导管自身尺寸以及安装误差等影响，致使过程中反应气体进气不够均匀。

技术实现思路

[0004]为解决以上技术问题，本技术提供一种提高成膜质量的进气结构，通过调整进气导管两端的截面积，加快出气端的气体流速降低尺寸误差的影响。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了如下方案：
[0006]本技术提供一种提高成膜质量的进气结构，包括进气室、反应室和基座；所述进气室底部设置有所述反应室，且所述进气室与所述反应室相连通；所述基座位于所述反应室内下部，且所述基座位于所述进气室正下方；所述基座顶部用于承托晶片；所述基座内设置有基座热场，所述基座热场用于对所述晶片加热；所述反应室底部设置有排气口；所述反应室内设置有套筒，所述套筒与所述反应室的侧壁之间设置有上部热场；所述进气室内设置有多个保护气体流道和多个反应气体流道；所述多个保护气体流道和所述多个反应气体流道的进气端均位于所述进气室外侧，所述多个保护气体流道和所述多个反应气体流道的出气端均位于所述进气室底部；且相邻的所述反应气体流道的出气端被所述保护气体流道的出气端完全隔开。
[0007]可选的，所述进气室内设置有多层石墨盘，每层所述石墨盘上方均设置有一石墨盖板，每个所述石墨盘与其上方对应的所述石墨盖板之间设置有一所述反应气体流道；且每个所述反应气体流道均通过一进气导管连通至所述进气室底部；位于最上层的所述石墨盖板与所述进气室的内顶部之间以及每层所述石墨盘下方分别设置有一所述保护气体流道。
[0008]可选的，所述进气导管的顶部位于所述石墨盘和所述石墨盖板之间，所述进气导管的另一端延伸至所述进气室底部。
[0009]可选的，所述进气导管的顶部沿周向设置有向外延伸的横向限位环，所述石墨盘上设置有的安装孔，所述石墨盖板上与所述横向限位环相对应的设置有容纳槽，所述容纳槽的内尺寸大于所述横向限位环的外尺寸。
[0010]可选的，所述横向限位环周围设置有一外调节环，所述外调节环的外尺寸小于所述容纳槽的内尺寸。
[0011]可选的，所述外调节环采用高纯石墨制作。
[0012]可选的，所述进气导管的内壁顶端设置有第一调节槽，所述第一调节槽内设置有内调节环，所述内调节环中部沿轴向设置有通气孔。
[0013]可选的，所述内调节环采用高纯石墨制作。
[0014]可选的，所述进气导管的内壁顶端设置有第二调节槽，所述第二调节槽内设置有调节管；所述调节管上部沿径向设置有横向通孔，所述调节管中部沿轴向设置有竖向通孔，所述竖向通孔的顶部与所述横向通孔相连通。
[0015]可选的，所述进气导管、所述石墨盖板和所述石墨盘均采用石墨制作，且外表面设置有碳化硅涂层。
[0016]本技术相对于现有技术取得了以下技术效果：
[0017]本技术中的提高成膜质量的进气结构，采用多个相互独立的密闭流道进气，保护气体将多种反应气体隔离，并通过设置调整件，改变每种反应气流道的横截面积，以改变反应气的在出气端的流速避免沉积。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为采用侧面进气结构成膜装置的剖面示意图；
[0020]图2为成膜装置进气室放大后的剖面示意图；
[0021]图3为进气导管外周调节环结构和安装位置的示意图；
[0022]图4为进气导管内部调节环结构和安装位置的示意图；
[0023]图5为进气导管端部调节管结构和安装位置的示意图。
[0024]附图标记说明：1、进气室；2、反应室；3、热场；4、套筒；5、晶片；6、基板；7、基座；8、旋转机构；9、石墨盖板；10、石墨盘；11、进气导管；12、外调节环；13、内调节环；14、调节管。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]实施例一：
[0027]如图1至3所示，本实施例提供一种提高成膜质量的进气结构，包括进气室1、反应室2和基座7；进气室1底部设置有反应室2，且进气室1与反应室2相连通；基座7位于反应室2内下部，且基座7位于进气室1正下方；基座7顶部用于承托晶片5；基座7内设置有基座热场，基座热场用于对晶片5加热；反应室2底部设置有排气口；反应室2内设置有套筒4，套筒4与反应室2的侧壁之间设置有上部热场；进气室1内设置有三个保护气体流道和两个反应气体流道，两个反应气体流道分别通入硅源反应气和碳源反应气；三个保护气体流道和两个反
应气体流道的进气端均位于进气室1外侧，三个保护气体流道和两个反应气体流道的出气端均位于进气室1底部；且相邻的反应气体流道的出气端被保护气体流道的出气端完全隔开。
[0028]于本具体实施例中，反应室2内中上部设置有套筒4，套筒4与反应室2内壁之间设置有热场3，通过热场3和套筒4能够对进气进行均匀的预热。基座7顶部设置有基板6，基板6顶部用于承托晶片5。基座7底部与旋转机构8连接，由旋转机构8驱动基座7进行旋转。
[0029]进气室1内设置有两层石墨盘10，每层石墨盘10上方均设置有一石墨盖板9，每个石墨盘10与其上方对应的石墨盖板9之间设置有一反应气体流道；且每个反应气体流道均通过一进气导管11连通至进气室1底部；位于最上层的石墨盖板9与进气室1的内顶部之间以及每层石墨盘10下方分别设置有一保护气体流道。
[0030]进气导管11的顶部位于石墨盘10和石墨盖板9之间，进气导管11的另一端延伸至进气室1底部。具体的，进气导管11的顶部沿周向设置有向外延伸的横向限位环，石墨盘10上设置有的安装孔，石墨盖板9上与横向限位环相对应的设置有容纳槽，容纳槽的内尺寸大于横向限位环的外尺寸。于本具体实施例中，容纳槽为圆柱形凹槽，横向限位环为圆环形结构，且横向限位环的厚度小于容纳槽的深度。
[0031]进气导管11的顶端设置有调整件，调整件安装前后截面积变化为原始流道通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高成膜质量的进气结构，其特征在于，包括进气室、反应室和基座；所述进气室底部设置有所述反应室，且所述进气室与所述反应室相连通；所述基座位于所述反应室内下部，且所述基座位于所述进气室正下方；所述基座顶部用于承托晶片；所述基座内设置有基座热场，所述基座热场用于对所述晶片加热；所述反应室底部设置有排气口；所述反应室内设置有套筒，所述套筒与所述反应室的侧壁之间设置有上部热场；所述进气室内设置有多个保护气体流道和多个反应气体流道；所述多个保护气体流道和所述多个反应气体流道的进气端均位于所述进气室外侧，所述多个保护气体流道和所述多个反应气体流道的出气端均位于所述进气室底部；且相邻的所述反应气体流道的出气端被所述保护气体流道的出气端完全隔开。2.根据权利要求1所述的提高成膜质量的进气结构，其特征在于，所述进气室内设置有多层石墨盘，每层所述石墨盘上方均设置有一石墨盖板，每个所述石墨盘与其上方对应的所述石墨盖板之间设置有一所述反应气体流道；且每个所述反应气体流道均通过一进气导管连通至所述进气室底部；位于最上层的所述石墨盖板与所述进气室的内顶部之间以及每层所述石墨盘下方分别设置有一所述保护气体流道。3.根据权利要求2所述的提高成膜质量的进气结构，其特征在于，所述进气导管的顶部位于所述石墨盘和所述石墨盖板之间，所述进气导管的另一端延伸至...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘鹏，徐文立，沈磊，
申请(专利权)人：宁波恒普真空科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：