用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器技术

本申请涉及谐振器技术领域，公开一种用于制作声表面波滤波器的方法，包括：在预设的衬底上淀积第一光刻胶层；刻蚀第一光刻胶层形成通孔；在暴露出的衬底和刻蚀后的第一光刻胶层上依次淀积第一金属层和第一温度补偿层；在第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层；去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层，获得被第一温度补偿层覆盖的叉指电极结构，且第一温度补偿层的待设置区域形成金属凸起。这样，通过设置第一光刻胶层、第二光刻胶层和第二金属层，并去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层的方式形成金属凸起。金属凸起与叉指电极结构的电极指的末端边缘垂直对齐，从而提高声表面波滤波器对杂波的抑制效果。本申请还公开一种声表面波滤波器。波滤波器。波滤波器。

【技术实现步骤摘要】
用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器


[0001]本申请涉及谐振器
，例如涉及一种用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器。

技术介绍

[0002]传统的声表面波滤波器通常在由钽酸锂或者铌酸锂制成的衬体上生长叉指电极结构。这种方式形成的声表面波滤波器会生成较多的杂波，从而影响器件的性能。为了减少声表面波滤波器的杂波，通常在叉指电极结构的电极指末端区域设置金属凸起。相关技术中，通过Lift
‑
off剥离工艺将金属凸起附加在叉指电极结构的电极指末端区域。但是，由于金属凸起与叉指电极结构为通过Lift
‑
off工艺叠加在一起的独立的两部分，而Lift
‑
off工艺中使用的光刻工艺的开窗线宽存在一定的差异性，导致金属凸起并不能刚好覆盖电极指末端区域，使得金属凸起不能和叉指电极结构的电极指末端的边缘完全垂直对齐，使得这种工艺制作的声表面波滤波器对杂波抑制的效果较差。

技术实现思路

[0003]为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
[0004]本专利技术实施例提供一种用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器，以提高声表面波滤波器对杂波的抑制效果。
[0005]在一些实施例中，用于制作声表面波滤波器的方法，包括：在预设的衬底上淀积第一光刻胶层；刻蚀所述第一光刻胶层形成通孔，所述通孔暴露出所述衬底；在暴露出的衬底和刻蚀后的第一光刻胶层上依次淀积第一金属层和第一温度补偿层；在所述第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层；去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层，获得被第一温度补偿层覆盖的叉指电极结构，且第一温度补偿层的待设置区域形成金属凸起；所述金属凸起与叉指电极结构的电极指在垂直方向上对齐；所述第一温度补偿层的待设置区域为第一温度补偿层上与叉指电极结构的电极指末端区域对应的区域；所述电极指末端区域包括叉指电极结构的电极指的末端所处的区域，以及与所述末端所处的区域齐平的电极指的区域。
[0006]在一些实施例中，在所述第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层，包括：在第一温度补偿层的非待设置区域淀积第二光刻胶层；在第一温度补偿层的待设置区域和所述第二光刻胶层上淀积第二金属层。
[0007]在一些实施例中，在所述第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层，包括：在第一温度补偿层上淀积第二金属层；在第二金属层的待设置区域淀积第二光刻胶层；第二金属层的待设置区域为第二金属层上与叉指电极结构的电极指末端区域对应的区域；刻蚀未被第二光刻胶层覆盖的第二金属层。
[0008]在一些实施例中，去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层后，还包括：在第一温度补偿层和金属凸起上淀积第二温度补偿层，使第二温度补偿层包裹第一温度补偿层、叉指电极结构和金属凸起；刻蚀第二温度补偿层和第一温度补偿层，暴露出叉指电极结构的第一汇流条和叉指电极结构的第二汇流条。
[0009]在一些实施例中，暴露出叉指电极结构的第一汇流条和叉指电极结构的第二汇流条后，还包括：在所述第一汇流条上形成第三金属层；在所述第二汇流条上形成第四金属层。
[0010]在一些实施例中，在第一汇流条上形成第三金属层，且第二汇流条上形成第四金属层后，还包括：在所述第三金属层、所述第四金属层和所述第二温度补偿层上淀积钝化层；刻蚀所述钝化层，暴露出所述第三金属层和所述第四金属层。
[0011]在一些实施例中，所述衬底由铌酸锂或者钽酸锂制成。
[0012]在一些实施例中，所述第一温度补偿层由二氧化硅制成。
[0013]在一些实施例中，所述声表面波滤波器由执行上述的用于制作声表面波滤波器的方法制得。
[0014]在一些实施例中，声表面波滤波器，包括：衬底；叉指电极结构，用于声电换能；所述叉指电极结构设置在所述衬底与第一温度补偿层之间；第一温度补偿层，设置在所述叉指电极结构和金属凸起之间；金属凸起，设置在所述第一温度补偿层上的待设置区域；所述金属凸起与叉指电极结构的电极指在垂直方向上对齐；所述待设置区域为第一温度补偿层上与叉指电极结构的电极指末端区域对应的区域；所述电极指末端区域包括叉指电极结构的电极指的末端所处的区域，以及与所述末端所处的区域齐平的电极指的区域。
[0015]本专利技术实施例提供一种用于制作声表面波滤波器的方法、声表面波滤波器。可以实现以下技术效果：通过在预设的衬底上淀积第一光刻胶层。刻蚀第一光刻胶层形成通孔，通孔暴露出衬底。在暴露出的衬底和刻蚀后的第一光刻胶层上依次淀积第一金属层和第一温度补偿层。在第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层。去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层，获得被第一温度补偿层覆盖的叉指电极结构，且待设置区域形成金属凸起。第一温度补偿层的待设置区域为第一温度补偿层上与叉指电极结构的电极指末端区域对应的区域。电极指末端区域包括叉指电极结构的电极指的末端所处的区域，以及与末端所处的区域齐平的电极指的区域。这样，通过设置第一光刻胶层、第二光刻胶层和第二金属层，并去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层的方式形成金属凸起，而不是采用Lift
‑
off工艺叠加金属凸起。能够形成与叉指电极结构的电极指的末端边缘垂直对齐的金属凸起，从而能够提高声表面波滤波器对杂波的抑制效果。
[0016]以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
[0018]一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
[0019]图1是本专利技术实施例提供的一种叉指电极结构和金属凸起的平面示意图；
[0020]图2是本专利技术实施例提供的第一种声表面波滤波器沿着图1所示的α
‑
α
’
截面线的
剖视图；
[0021]图3是本专利技术实施例提供的第二种声表面波滤波器沿着图1所示的α
‑
α
’
截面线的剖视图；
[0022]图4是本专利技术实施例提供的第三种声表面波滤波器沿着图1所示的α
‑
α
’
截面线的剖视图；
[0023]图5是本专利技术实施例提供的第四种声表面波滤波器沿着图1所示的α
‑
α
’
截面线的剖视图；
[0024]图6是本专利技术实施例提供的第一种声表面波滤波器沿着图1所示的β
‑
β
’
截面线的剖视图；
[0025]图7是本专利技术实施例提供的第二种声表面波滤波器沿着图1所示的β
‑
β
’
截面线的剖视图；
[0026]图8是本专利技术实施例提供的一个理想状态的第一电极指、第二电极指和第一温度补偿层的结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制作声表面波滤波器的方法，其特征在于，包括：在预设的衬底上淀积第一光刻胶层；刻蚀所述第一光刻胶层形成通孔，所述通孔暴露出所述衬底；在暴露出的衬底和刻蚀后的第一光刻胶层上依次淀积第一金属层和第一温度补偿层；在所述第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层；去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层，获得被第一温度补偿层覆盖的叉指电极结构，且第一温度补偿层的待设置区域形成金属凸起；所述金属凸起与叉指电极结构的电极指在垂直方向上对齐；所述第一温度补偿层的待设置区域为第一温度补偿层上与叉指电极结构的电极指末端区域对应的区域；所述电极指末端区域包括叉指电极结构的电极指的末端所处的区域，以及与所述末端所处的区域齐平的电极指的区域。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层，包括：在第一温度补偿层的非待设置区域淀积第二光刻胶层；在第一温度补偿层的待设置区域和所述第二光刻胶层上淀积第二金属层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一温度补偿层上设置第二光刻胶层和第二金属层，包括：在第一温度补偿层上淀积第二金属层；在第二金属层的待设置区域淀积第二光刻胶层；第二金属层的待设置区域为第二金属层上与叉指电极结构的电极指末端区域对应的区域；刻蚀未被第二光刻胶层覆盖的第二金属层。4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，去掉第一光刻胶层和第二光刻胶层后，还包括：在第一温度补偿层和金属凸起上淀积第二温度补偿层，使第二温度补偿层包裹第一温度补偿层、叉指电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：