光学临近修正方法技术

本发明专利技术提供了一种光学临近修正方法，通过从所有主图形中筛选出所有金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形，形成第一图形组；然后，从所有主图形中筛选出所有相邻两个主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组，形成第二图形组；接着，从第二图形组中筛选出与第一图形组有重叠的主图形组，形成第三图形组；最后，调整第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。本发明专利技术提供的方法能够同时兼顾光刻工艺窗口和OPC收敛度，并且可以避免电路连接问题，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
光学临近修正方法


[0001]本专利技术涉及及半导体制造
，特别涉及一种光学临近修正方法。

技术介绍

[0002]基于模型的光学临近效应修正（model
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based OPC，MB
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OPC)从90nm技术节点开始广泛使用。 然而，随着节点的一步步推进，版图布局也变得越来越复杂。在OPC修正过程中难免会遇到工艺窗口和OPC收敛度形成冲突的情况。目前业界的做法是牺牲OPC收敛度，以保证晶圆上的光刻胶不会出现桥接的现象。具体方法是，设定OPC修正后图形的线宽CD或者间距space的最小值为X，以避免出现在OPC修正后图形的线宽CD或间距space小于X而导致晶圆上光刻胶上的图形出现桥接的问题。然而，这种做法会出现一些缺陷，特别对于金属层，容易出现上下层套刻精度差的问题，同时金属层可能没有完全覆盖接触孔或者通孔，导致电路连接问题，影响产品良率。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种光学临近修正方法，以在保证版图的工艺窗口的同时，改善版图的OPC收敛度，还能够避免电路连接问题，提高产品良率。
[0004]为了实现上述目的以及其他相关目的，本专利技术提供了一种光学临近修正方法，包括以下步骤：确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图包括多个主图形，且每个所述主图形包括金属层图形和被所述金属层图形覆盖的孔结构图形；从所有所述主图形中筛选出所有所述金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形，形成第一图形组；从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组，形成第二图形组；从所述第二图形组中筛选出与所述第一图形组有重叠的主图形组，形成第三图形组；调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。
[0005]可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组的步骤包括：对所有所述主图形进行光学临近修正，获得光学临近修正后的图形；从所述光学临近修正后的图形中筛选出所有相邻两个所述光学临近修正后的图形之间的线端间距位于所述第一预设范围内的光学临近修正后的图形组；根据筛选出的所述光学临近修正后的图形组确定出对应的主图形组。
[0006]可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述从所有所述主图形中筛选出所有相
邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组的步骤包括：确定所述主图形对应的符合相邻主图形的版图设计规则的第二版图规则值，且根据所述第二版图规则值获取第二预设范围，并筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距位于所述第二预设范围内的主图形组，以保证所述主图形组中的所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内。
[0007]可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述第二预设范围为所述第二版图规则值~所述第二版图规则值+N，且N的范围为1/4的所述第二版图规则值~1/3的所述第二版图规则值。
[0008]可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述第一预设范围为掩膜规则值~掩膜规则值+m，所述m的范围为1nm~2nm，所述掩膜规则值是根据所述主图形对应的版图掩膜设计规则确定的。
[0009]可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述预设值的范围为1.5倍的第一版图规则值~2倍的第一版图规则值，所述第一版图规则值是根据所述主图形中的所述金属层图形和所述孔结构图形对应的版图设计规则确定的。
[0010]可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度的步骤包括：利用基于模型的光学临近修正软件，对所述第三图形组中的每个所述主图形的线边进行光学临近修正，并在光学临近修正的过程中通过调整所述主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。
[0011]可选的，在所述的光学临近修正方法中，在从所述第二图形组中筛选出与所述第一图形组有重叠的主图形组的步骤中，确认出重叠的主图形；在调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度的步骤中，限制所述重叠的主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形均完全覆盖孔结构图形。
[0012]可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述重叠的主图形的末端线条迭代时向外生长的长度为5nm~10nm。
[0013]可选的，在所述的光学临近修正方法中，所述孔结构图形包括接触孔图形和/或通孔图形。
[0014]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：本专利技术提供了一种光学临近修正方法，通过从所有主图形中筛选出所有金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形，形成第一图形组；然后，从所有主图形中筛选出所有相邻两个主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组，形成第二图形组；接着，从第二图形组中筛选出与第一图形组有重叠的主图形组，形成第三图形组；最后，调整第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形，以保证修正后的主图形的OPC收敛度和工艺窗口符合设计要求，同时解决了由于金属层没有完全覆盖孔结构造成的电路连接问题，提高套刻精度以及产品良率。
附图说明
[0015]图1是一种光学临近修正后的图形；图2是相邻两个光学临近修正后的图形之间的线端间距小于X时的结构示意图；图3根据图2中的图形对晶圆进行曝光后获得的光刻胶的图形的扫描电镜图；图4是相邻两个光学临近修正后的图形之间的线端间距不小于X时的结构示意图；图5是根据图4中的图形对晶圆进行曝光后获得的光刻胶的图形的扫描电镜图；图6是仿真出曝光后的光刻胶图形的结构示意图；图7是本专利技术一实施例的光学临近修正方法的流程图；图8是本专利技术一实施例中的选中两个主图形的金属层图形的末端线条的结构示意图；图9是本专利技术一实施例中的筛选出的金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形的结构示意图；图10是本专利技术一实施例中的筛选出的相邻的两个光学临近修正后的图形的结构示意图；图11是根据图10中筛选出的相邻的两个光学临近修正后的图形确定出对应的相邻的两个主图形以及该两个主图形的末端线条的结构示意图；图12是本专利技术另一实施例中的筛选出的两个主图形的结构示意图；图13是本专利技术一实施例中的筛选出的重叠的主图形的结构示意图；图14是本专利技术一实施例中的限制末端线条迭代时向外生长的结构示意图；图1~图6中：01
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测试版图，0111
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第一金属层图形，0112
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本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光学临近修正方法，其特征在于，包括以下步骤：确定预制作版图对应的测试版图，所述测试版图包括多个主图形，且每个所述主图形包括金属层图形和被所述金属层图形覆盖的孔结构图形；从所有所述主图形中筛选出所有所述金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形，形成第一图形组；从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组，形成第二图形组；从所述第二图形组中筛选出与所述第一图形组有重叠的主图形组，形成第三图形组；调整所述第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。2.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组的步骤包括：对所有所述主图形进行光学临近修正，获得光学临近修正后的图形；从所述光学临近修正后的图形中筛选出所有相邻两个所述光学临近修正后的图形之间的线端间距位于所述第一预设范围内的光学临近修正后的图形组；根据筛选出的所述光学临近修正后的图形组确定出对应的主图形组。3.如权利要求1所述的光学临近修正方法，其特征在于，所述从所有所述主图形中筛选出所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组的步骤包括：确定所述主图形对应的符合相邻主图形的版图设计规则的第二版图规则值，且根据所述第二版图规则值获取第二预设范围，并筛选出所有相邻两个所述主图形之间的线端间距位于所述第二预设范围内的主图形组，以保证所述主图形组中的所有相邻两个所述主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线...

【专利技术属性】
技术研发人员：王康，罗招龙，苏正龙，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：