传热气体供给机构、供给方法及基板处理装置、处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及传热气体供给机构、供给方法及基板处理装置、处理方法。其能在短时间内供给使载置台与玻璃基板间的空间变成设定压力的量的传热气体，并能将该空间正确保持在设定压力。传热气体供给机构（３）包括：用于向基座与基板间的空间（Ｄ）供给传热气体的传热气体供给源（３０）；用于暂时贮存来自该传热气体供给源的传热气体的传热气体罐（３１）；一端与该传热气体供给源连接，另一端与该空间连接着的第一传热气体流路（３４）；及从该第一传热气体流路分支并与该传热气体罐连接着的第二传热气体流路（３５），经由该第一及第二传热气体流路，传热气体从传热气体供给源暂时贮存在该传热气体罐，贮存在该传热气体罐的传热气体被供给该空间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传热气体供给机构及传热气体供给方法、以及包括这 样的传热气体供给机构及传热气体供给方法的基板处理装置及基板处理方法，这些机构、装置及方法按照能够对平板显示器(FPD)用玻 璃基板等的被处理基板进行温度调节的方式，向载置台和被处理基 板之间的空间供给传热气体，其中上述被处理基板在载置于处理容 器内的上述载置台上的状态下被实施规定处理，
技术介绍
在FPD的制造工艺过程中，为了对作为被处理基板的FPD用的玻 璃基板实施蚀刻处理或成膜处理等规定的处理，使用等离子体蚀刻装 置或等离子体CVD成膜装置等的等离子体处理装置。在等离子体处理 装置中， 一般情况下，是在玻璃基板被载置在处理容器内的载置台上 的状态下，通过在向处理容器内供给处理气体的同时产生高频电场而 生成的处理气体的等离子体，对玻璃基板进行处理。在现有技术中，在进行上述这种处理时，为了避免所生成的等离 子体等导致玻璃基板的温度变化，例如为了避免温度上升，利用被设 置在载置台上的调温机构对玻璃基板进行调温，例如对其进行冷却， 为了确保进行调温机构与玻璃基板之间的热传导、保持玻璃基板的面 内温度的均一，向载置台与玻璃基板之间的空间供给He气体等传热气 体。 一般，传热气体是按照下述方式供给的，经由一端与传热气体供 给源连接、另一端与载置台和玻璃基板的空间连接着的配管等流路， 利用压力控制阀(PCV)等压力检测部以及流量调整阀，将其保持在 规定的压力例如200 1330Pa (1.5 10Torr)。但是，近来，FPD朝着大型化的方向发展，甚至也出现了一边超 过2m的巨大玻璃基板，载置台与玻璃基板之间的空间或流路等被传热 气体充满的空间容量(以下，记作传热气体充满空间)也随之变大。另外，为了进一步提高由传热气体而导致的玻璃基板面内温度的均一性，也使用有上面被锤压凸出(emboss)加工过的载置台，载置台与玻璃基板之间的空间有进一步扩大的趋势。因此，从开始供给传热气 体至达到设定压力则需要很长的时间，于是就会出现装置的处理能力 下降这样的问题。因此，为了使从开始供给传热气体快速达到设定压力，已经提出 一种技术方案，该方案是构成如下结构，在流路的中间部设置可暂时填充传热气体的罐(tank)，在该罐中按照与设定压力对应的压力填充 来自供给源的传热气体，通过打开罐而使传热气体充满空间瞬间被压 力为设定压力或接近设定压力的传热气体充满(例如参照专利文献l)。 如果使用上述这种技术，那么，通常情况下，由于传热气体从载 置台与玻璃基板的缝隙漏出等而发生压力损失，因此，如果仅打开罐 来放出被填充的传热气体，则难以将传热气体充满空间调整为设定压 力，必须从供给源重新补充压力不足部分的传热气体。因此，为了能 够在测定流路压力的同时调整来自供给源的传热气体的供给，多数情 况下是在流路的供给源与罐之间设置PCV。但是，在这种情况下，由 于在PCV的下游侧存在成为较大空间的罐，因此，在传热气体充满空 间中充满着传热气体时，PCV无法检测出在玻璃基板的载置状态有异 常的情况等时所产生的微妙的压力变化，PCV的压力响应性受损，于 是就有可能与实际的压力出现偏差。如果包括载置台与玻璃基板之间 的空间的传热气体充满空间的压力出现偏差，那么，就会导致玻璃基 板的处理质量下降。专利文献1日本特开平7-321184号公报
技术实现思路
本专利技术就是鉴于上述这种情况产生的，其目的在于，提供一种能 够在短时间内供给使载置台与被处理基板之间的空间变成设定压力的 这样的量的传热气体，而且能够正确地将该空间保持在设定压力的传 热气体供给机构以及传热气体供给方法、具备这样的传热气体供给机 构的基板处理装置、包括这样的传热气体供给方法的基板处理方法、 以及存储着用于执行这样的基板处理方法的控制程序的计算机可读取的存储介质。为了解决上述课题，在本专利技术的第一观点中提供一种传热气体供 给机构，其特征在于，上述传热气体供给机构，按照能够对被处理基 板进行温度调节的方式，向载置台和被处理基板之间的空间供给传 热气体，其中上述被处理基板在载置于处理容器内的上述载置台上 的状态下被实施规定处理，该传热气体供给机构包括用于向上述 空间供给传热气体的传热气体供给源；用于暂时贮存来自上述传热 气体供给源的传热气体的传热气体罐；第一传热气体流路，其一端 与上述传热气体供给源连接，另一端与上述空间连接，并且将来自上述传热气体供给源的传热气体导入上述空间；和第二传热气体流路，其从上述第一传热气体流路分支并与上述传热气体罐连接，将 上述第一传热气体流路的传热气体导入上述传热气体罐，并将贮存 在上述传热气体罐中的传热气体导入上述第一传热气体流路，其中， 传热气体从上述传热气体供给源被暂时贮存在上述传热气体罐中， 贮存在上述传热气体罐中的传热气体被供给上述空间。在本专利技术的第一观点中，有一种优选实施方式，包括设置在上述 第一传热气体流路中，对上述空间以及上述传热气体流路内的压力 进行检测的压力检测部，并按照使上述压力检测部的检测值成为规 定值的方式，将贮存在上述传热气体罐中的传热气体供给上述空间， 根据需要从上述传热气体供给源向上述空间供给传热气体。在这种 情况下，还有一种优选实施方式，上述压力检测部被设置在比上述第 一传热气体流路的与上述第二传热气体流路的分支部还靠向上游的、、、另外，在本专利技术的第二观点中提供一种基板处理装置，其特征在于，包括收容被处理基板的处理容器；设置在上述处理容器内， 载置被处理基板的载置台；对载置在上述载置台上的被处理基板实 施规定处理的处理机构；和至少在上述处理机构的处理时，按照调 节被处理基板的温度的方式，向在上述载置台与被处理基板之间形 成的调温空间供给传热气体的传热气体供给机构，其中，上述传热 气体供给机构包括用于向上述空间供给传热气体的传热气体供给 源；用于暂时贮存来自上述传热气体供给源的传热气体的传热气体罐；第一传热气体流路，其一端与上述传热气体供给源连接，另一 端与上述空间连接，并且将来自上述传热气体供给源的传热气体导 入上述空间；和第二传热气体流路，其从上述第一传热气体流路分支并与上述传热气体罐连接，将上述第一传热气体流路的传热气体 导入上述传热气体罐，并将贮存在上述传热气体罐中的传热气体导 入上述第一传热气体流路，其中，传热气体从上述传热气体供给源 被暂时贮存在上述传热气体罐中，贮存在上述传热气体罐中的传热 气体被供给上述空间。在本专利技术的第二观点中，有一种优选实施方式，上述传热气体供给机构包括设置在上述第一传热气体流路中，对上述空间以及上 述传热气体流路内的压力进行检测的压力检测部，并，按照使上述 压力检测部的检测值成为规定值的方式，将贮存在上述传热气体罐 中的传热气体供给上述空间，根据需要从上述传热气体供给源向上 述空间供给传热气体。在这种情况下，还有另一种优选实施方式，上 述压力检测部被设置在比上述第一传热气体流路的与上述第二传热 气体流路的分支部还靠向上游的上游侧。另外，在这种情况下，还有另一种优选实施方式，包括根据上述 压力检测部的检测值对上述处理机构以及上述传热气体供给机构进 行控制的控制部，上述控制部进行如下控制在上述处理机构的处 理前，通过上述传热气体供给机构供给传本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种传热气体供给机构，其特征在于，所述传热气体供给机构，按照能够对被处理基板进行温度调节的方式，向载置台和被处理基板之间的空间供给传热气体，其中所述被处理基板在载置于处理容器内的所述载置台上的状态下被实施规定处理，该传热气体 供给机构包括：用于向所述空间供给传热气体的传热气体供给源；用于暂时贮存来自所述传热气体供给源的传热气体的传热气体罐；第一传热气体流路，其一端与所述传热气体供给源连接，另一端与所述空间连接，并且将来自所述传热气体供给源 的传热气体导入所述空间；和第二传热气体流路，其从所述第一传热气体流路分支并与所述传热气体罐连接，将所述第一传热气体流路的传热气体导入所述传热气体罐，并将贮存在所述传热气体罐中的传热气体导入所述第一传热气体流路，其中，传热气体 从所述传热气体供给源被暂时贮存在所述传热气体罐中，贮存在所述传热气体罐中的传热气体被供给所述空间。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤亮，齐藤均，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]