一种硅基OLED微显示器件及其制备方法技术

一种硅基OLED微显示器件及其制备方法，属于OLED微显示技术领域，该硅基OLED微显示器件，包括CMOS基板，所述CMOS基板上设置发光功能层，所述发光功能层上依次设置封装层和滤光层，所述封装层包括封装层Ⅰ、封装层Ⅱ及之间的导电胶层，所述导电胶层的底端穿过所述封装层Ⅰ后与所述发光功能层相连，本发明专利技术的有益效果是，本发明专利技术通过刻蚀的方法，将封装层Ⅰ与阴极之间刻开，在阴极与封装层Ⅰ断开的导电通道制备一层导电胶来连接，给阴极供电，这样能有效的减小OLED显示器的边框宽度，从而减小OLED显示器的尺寸大小，提升产品竞争力。提升产品竞争力。提升产品竞争力。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基OLED微显示器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及OLED显示器件
，尤其涉及一种硅基OLED微显示器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]Micro OLED(Organic Light Emitting Display)是一种微型OLED显示技术，主要应用于特种军用显示(枪支瞄准镜、单兵作战头盔显示器、飞行员头盔等)以及民用消费电子领域(AR、VR、微型投影仪、航空拍摄等)，Micro OLED具有体积小、重量轻、功耗低、对比度高、分辨率高等优点。
[0003]在Micro OLED的产品中，阴极供电一般是在阴极层的外周设置阴极环来供电。但是这种供电结构会增大整个产品的边框宽度，导致产品的尺寸变大，不能满足产品微型化的要求。
[0004]如公布号为CN114188384A的专利公开了一种彩色显示的硅基OLED显示器，该OLED显示器包括像素区，像素区的外侧为间隔区，间隔区的外侧为阴极环区，阴极环区的外侧为绑定区，像素区包括第一像素区，第二像素区和第三像素区，第一像素区布置在像素区的中心区域，第二像素区和第三像素区依次布置在第一像素区外侧。该OLED显示器的外周由于设置阴极环区和绑定区，使整个显示器的尺寸变大，不能满足产品微型化的要求。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种硅基OLED微显示器件及其制备方法，通过改变阴极的供电结构，可减小产品的边框尺寸，使产品尺寸变小，可提升产品的竞争力。
[0006]为实现上述目的，本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：所述硅基OLED微显示器件，包括CMOS基板，所述CMOS基板上设置发光功能层，所述发光功能层上依次设置封装层和滤光层，所述封装层包括封装层Ⅰ、封装层Ⅱ及之间的导电胶层，所述导电胶层的底端穿过所述封装层Ⅰ后与所述发光功能层相连。
[0007]所述发光功能层包括设置在所述CMOS基板表面的阳极层和像素定义层，所述阳极层和像素定义层的上表面依次覆盖有包括有机发光层和阴极的OLED层。
[0008]所述阴极表面间隔设置有多个凹槽，所述封装层Ⅰ上间隔设置有与对应凹槽相对的通孔，相对的通孔与凹槽形成使所述导电胶层通过的导电通道。
[0009]所述阳极层的每个阳极单元的周向均布设置多个所述导电通道。
[0010]所述阴极的厚度为20～30nm，所述导电通道的深度为100～110nm。
[0011]所述封装层Ⅰ和封装层Ⅱ的材质相同，包括Al2O3、TiO2、ATO、SiN、SiON、SiO、亚克力、环氧树脂中的一种或多种之间的组合，所述封装层Ⅰ的厚度为500～1000nm，所述封装层Ⅱ的厚度为100～120nm，所述导电胶层的厚度为70～90nm。
[0012]所述封装层表面通过OC1层与滤光层相连，所述滤光层表面依次覆盖OC2层和玻璃
盖板。
[0013]一种所述的硅基OLED微显示器件的制备方法，包括以下步骤：
[0014]1)在CMOS基板上制备阳极层、像素定义层；
[0015]2)蒸镀制备OLED层；
[0016]3)制备封装层Ⅰ；
[0017]4)在封装层Ⅰ和OLED层的阴极上蚀刻多个导电通道，在封装层Ⅰ上制备导电胶层，使导电胶层填充导电通道；
[0018]5)制备封装层Ⅱ后完成后续黄光及模组制程。
[0019]所述步骤3)和步骤5)中制备封装层Ⅰ和封装层Ⅱ的方法包括ALD、PECVD的气相沉积法，制备导电胶层的方法包括旋涂或喷墨打印的方法。
[0020]所述步骤5)中的黄光制程包括在封装层Ⅱ上依次制备OC1层、滤光层和OC2层，模组制程包括玻璃盖板的贴合和切割。
[0021]本专利技术的有益效果是：
[0022]本专利技术在制备封装层时，在封装层Ⅰ表面覆盖导电胶层，并对封装层Ⅰ和发光功能层的阴极上蚀刻导电通道，使导电胶层填充导电通道，从而实现给阴极供电，而无需在产品外周设置阴极环，可有效减小产品的边框宽度，从而可减小产品的尺寸大小，提升了产品的竞争力。
附图说明
[0023]下面对本专利技术说明书各幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明：
[0024]图1为本专利技术硅基OLED微显示器件的俯视图；
[0025]图2为本专利技术硅基OLED微显示器件的截面示意图；
[0026]上述图中的标记均为：1.CMOS基板，2.发光功能层，21.阳极层，22.像素定义层，23.OLED层，231.有机发光层，232.阴极，3.封装层，31.封装层Ⅰ，32.封装层Ⅱ，33.导电胶层，4.导电通道，5.OC1层，6.滤光层，7.OC2层，8.玻璃盖板。
具体实施方式
[0027]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。
[0028]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0029]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0030]本专利技术具体的实施方案为：如图1和图2所示，本专利技术提供了一种硅基OLED微显示
器件，该微显示器件包括CMOS基板1，CMOS基板1上设置发光功能层2，发光功能层2上依次设置封装层3和滤光层6，该封装层3包括封装层Ⅰ31、封装层Ⅱ32及之间的导电胶层33，导电胶层33的底端穿过封装层Ⅰ31后与发光功能层2相连，从而实现给发光功能层2的阴极232供电，而无需在产品外周设置阴极232环，可有效减小产品的边框宽度，从而可减小产品的尺寸大小，提升了产品的竞争力。
[0031]具体地，其中的发光功能层2包括设置在CMOS基板1表面的阳极层21和像素定义层22，阳极层21和像素定义层22的上表面依次覆盖有包括有机发光层231和阴极232的OLED层23。其中的阴极232表面间隔设置有多个凹槽，封装层Ⅰ31上间隔设置有与对应凹槽相对的通孔，相对的通孔与凹槽形成使导电胶层33通过的导电通道4。其中的阳极层21的每个阳极单元的周向均布设置多个导电通道4，保证了对阴极232的有效供电。其中的阴极232的厚度为20～30nm，导电通道的深度为100～110nm。
[0032]具体地，其中的封装层Ⅰ31和封装层Ⅱ32的材质相同，包括Al2O3、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基OLED微显示器件，其特征在于，包括CMOS基板，所述CMOS基板上设置发光功能层，所述发光功能层上依次设置封装层和滤光层，所述封装层包括封装层Ⅰ、封装层Ⅱ及之间的导电胶层，所述导电胶层的底端穿过所述封装层Ⅰ后与所述发光功能层相连。2.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述发光功能层包括设置在所述CMOS基板表面的阳极层和像素定义层，所述阳极层和像素定义层的上表面依次覆盖有包括有机发光层和阴极的OLED层。3.根据权利要求2所述的硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述阴极表面间隔设置有多个凹槽，所述封装层Ⅰ上间隔设置有与对应凹槽相对的通孔，相对的通孔与凹槽形成使所述导电胶层通过的导电通道。4.根据权利要求3所述的硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述阳极层的每个阳极单元的周向均布设置多个所述导电通道。5.根据权利要求3所述的硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述阴极的厚度为20～30nm，所述导电通道的深度为100～110nm。6.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器件，其特征在于：所述封装层Ⅰ和封装层Ⅱ的材质相同，包括Al2O3、TiO2、ATO、SiN、SiON、Si...

【专利技术属性】
技术研发人员：何靖，曹君，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：