耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法技术

本发明专利技术涉及镀膜技术领域，尤其是涉及一种耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法。耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，包括如下步骤：（a）对待镀膜的复合板基材进行等离子活化处理；（b）再进行预沉积形成碳层，然后在所述碳层上沉积Si、Zr、Ti和Mo中的任一种或多种，形成第二沉积层；其中，步骤（a）中，所述等离子活化处理的气氛中包括含碳气体。本发明专利技术的镀膜方法，在镀膜前增加预处理并沉积过渡层，实现从有机类材料到无机材料的过渡，膜层与复合板基材的结合力得到有效提升，可以有效提升耐氙灯测试性能，并兼顾保持原有的光学性能。并兼顾保持原有的光学性能。

【技术实现步骤摘要】
耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法


[0001]本专利技术涉及镀膜
，尤其是涉及一种耐氙灯测试的复合板材及其镀膜方法。

技术介绍

[0002]随着5G时代的到来，因为信号问题，手机后盖不再使用金属材质，转而使用玻璃或复合板。但采用玻璃材质时，特别是采用3D玻璃，成本高，工艺难，因而在手机后盖占比越来越少。而复合板/膜片材料因为工艺简单，性价比高，越来越受到欢迎。但是复合板本身光泽感不足，需要进行镀膜增加光泽感，再印刷油墨衬底膜层。但生产工艺中复合板与镀膜层的结合力不好，一直未得到彻底解决。结合力差的根本原因是复合板是有机材质而镀膜膜层是无机非金属材质。由于物相不相似，结合力差。一般的镀膜只能通过紫外72h测试，而随着客户端要求的提升，增加了的氙灯72h测试的要求。紫外测试的光谱是只有紫外段，而氙灯测试是全光谱波段，氙灯测试对产品的要求更加严格，原来的镀膜工艺无法满足要求。
[0003]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一个目的在于提供耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，以解决现有技术中存在的镀膜工艺无法满足氙灯测试要求的技术问题。
[0005]本专利技术的另一目的在于提供采用上述耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法制备得到的含过渡层的中间板。
[0006]本专利技术的又一目的在于提供一种含过渡层的复合板材。
[0007]为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术方案：耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，包括如下步骤：（a）对待镀膜的复合板基材进行等离子活化处理；（b）再进行预沉积形成碳层，然后在所述碳层上沉积Si、Zr、Ti和Mo中的任一种或多种，形成第二沉积层；其中，步骤（a）中，所述等离子活化处理的气氛中包括含碳气体。
[0008]在本专利技术的具体实施方式中，所述含碳气体包括CO2和/或C2H2。进一步的，所述等离子活化处理的气氛中还包括氩气。
[0009]在本专利技术的具体实施方式中，所述等离子活化处理的气氛中包括氩气和含碳气体。进一步的，所述氩气和所述含碳气体的体积比为1﹕（0.25~1）。
[0010]在本专利技术的具体实施方式中，所述碳层的厚度为1~5nm。
[0011]在本专利技术的具体实施方式中，所述第二沉积层的厚度为1~5nm。
[0012]在本专利技术的具体实施方式中，所述等离子活化处理中，真空度为1
×
10
‑1~1
×
100Pa，优选为1
×
10
‑1~5
×
10
‑1Pa。
[0013]在本专利技术的具体实施方式中，所述等离子活化处理的时间为1~15min。
[0014]在本专利技术的具体实施方式中，所述预沉积形成碳层的方法为PVD镀膜。进一步的，所述PVD镀膜的参数包括：真空度为1
×
100~1
×
10
‑1Pa，优选为1
×
10
‑1~5
×
10
‑1Pa；工作气体包括氩气；靶材为石墨靶材。
[0015]在本专利技术的具体实施方式中，所述形成第二沉积层的方法为PVD镀膜。进一步的，所述PVD镀膜的参数包括：真空度为1
×
100~1
×
10
‑1Pa，优选为1
×
10
‑1~5
×
10
‑1Pa；工作气体包括氩气；靶材为Si靶材、Zr靶材、Ti靶材和Mo靶材中的任一种或多种。
[0016]本专利技术还提供了采用上述任意一种所述方法制备得到的含过渡层的中间板。
[0017]在本专利技术的具体实施方式中，所述含过渡层的中间板包括复合板基材和形成于所述复合板基材表面的过渡层；所述过渡层包括顺次设置的等离子活化层、碳层和第二沉积层；所述碳层与所述第二沉积层相接触的部分形成有碳化物层；碳化物为SiC、ZrC、TiC和MoC中的任一种或多种。
[0018]本专利技术还提供了一种含过渡层的复合板材，包括上述任意一种所述含过渡层的中间板和镀设于所述中间板的过渡层表面的膜层。
[0019]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：（1）本专利技术的镀膜方法，在镀膜前增加预处理并沉积过渡层，实现从有机类材料到无机材料的过渡，从而提升膜层与复合板结合力；并且本专利技术的方法操作方便，可以连续稳定生产；（2）采用本专利技术的镀膜方法得到的复合板材，膜层与复合板基材的结合力得到有效提升，可以有效提升耐氙灯测试性能，由不满足24h氙灯测试，提升至可通过72h以上的氙灯测试，并兼顾保持原有的光学性能。
具体实施方式
[0020]下面将结合具体实施方式对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，但是本领域技术人员将会理解，下列所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例，仅用于说明本专利技术，而不应视为限制本专利技术的范围。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0021]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0022]耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，包括如下步骤：（a）对待镀膜的复合板基材进行等离子活化处理；（b）再进行预沉积形成碳层，然后在所述碳层上沉积Si、Zr、Ti和Mo中的任一种或多种，形成第二沉积层；其中，所述等离子活化处理的气氛中包括含碳气体。
[0023]本专利技术的镀膜方法中，在镀膜前先对复合板基材在含碳气体的气氛下进行等离子活化，等离子离化的C键与复合板基材的有机分子链结合；然后预沉积形成碳层，再沉积Si、Zr、Ti和/或Mo，形成稳定的中间化合物如SiC、TiC、ZrC、MoC等，从而实现由复合板基材的有机材质向镀膜层的SiO2、Nb2O5等无机非金属材质的过渡，为后续的镀膜奠定良好的基础。
[0024]本专利技术的镀膜方法，在常用无机膜层与有机复合板基材之间，增加了原子分子级别的过渡层，提升膜层和复合板基材的结合力，进而有效提升产品的耐氙灯测试性能，并兼顾保持原有的光学性能等。
[0025]在本专利技术的具体实施方式中，所述含碳气体包括CO2和/或C2H2。进一步的，所述等离子活化处理的气氛中还包括氩气。
[0026]在本专利技术的具体实施方式中，所述等离子活化处理的气氛中包括氩气和含碳气体。进一步的，所述氩气和所述含碳气体的体积比为1﹕（0.25~1）。
[0027]如在不同实施方式中，示例性的，所述氩气和所述含碳气体的体积比可以为1﹕0.25、1﹕0.3、1﹕0.4、1﹕0.5、1﹕0.6、1﹕0.7、1﹕0.8、1﹕0.9、1﹕1等等。
[0028]在本专利技术的具体实施方式中，所述碳层的厚度为1~5nm，优选为1~3nm。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，其特征在于，包括如下步骤：（a）对待镀膜的复合板基材进行等离子活化处理；（b）再进行预沉积形成碳层，然后在所述碳层上沉积Si、Zr、Ti和Mo中的任一种或多种，形成第二沉积层；其中，步骤（a）中，所述等离子活化处理的气氛中包括含碳气体。2.根据权利要求1所述的耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，其特征在于，所述含碳气体包括CO2和/或C2H2。3.根据权利要求1所述的耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，其特征在于，所述等离子活化处理的气氛中包括氩气和含碳气体；所述氩气和所述含碳气体的体积比为1﹕（0.25~1）。4.根据权利要求1所述的耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，其特征在于，所述碳层的厚度为1~5nm；所述第二沉积层的厚度为1~5nm。5.根据权利要求1所述的耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，其特征在于，所述等离子活化处理中，真空度为1
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100Pa；所述等离子活化处理的时间为1~15min。6.根据权利要求1所述的耐氙灯测试的复合板材的镀膜方法，其特征在于，所述预沉积形成碳...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永涛，
申请(专利权)人：北京华锐臻隆技术有限公司，
类型：发明
国别省市：