本发明专利技术提供一种等离子体处理装置，能够减小在等离子体处理时可能产生的、设置于聚焦环的外侧附近的导电性构件与聚焦环之间的电位差。导电性环载置于覆盖环。高频电源与载置台耦合。第一供电线路与聚焦环电连接。第二供电线路与导电性环电连接。直流电源装置经由第一供电线路而与聚焦环电连接，并经由第二供电线路而与导电性环电连接。直流电源装置构成为对聚焦环和导电性环分别施加相同或不同的直流电压。处于聚焦环的外周部的第一面与处于导电性环的内周部的第二面彼此相向且并分离。覆盖环具有使聚焦环与导电性环分离的分离部。环具有使聚焦环与导电性环分离的分离部。环具有使聚焦环与导电性环分离的分离部。
【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
[0001]本公开的例示的实施方式涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
[0002]例如专利文献1所公开的那样，进行基板处理的等离子体处理装置能够具有具备聚焦环(focus ring)和覆盖环(cover ring)的结构。通过以包围半导体基板的周围的方式配置导电性的聚焦环，来使基板端部处的偏压电位的不连续性得到缓和，从而提高等离子体处理的均匀性。在该聚焦环(也称为边缘环)的周围设置有石英的覆盖环。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2018
‑
206913号公报
技术实现思路
[0006]专利技术要解决的问题
[0007]本公开提供一种用于减小在等离子体处理时能够产生的、设置于聚焦环的外侧附近的导电性构件与聚焦环之间的电位差的技术。
[0008]用于解决问题的方案
[0009]在一个例示的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备载置台、聚焦环、覆盖环、导电性环、高频电源、第一供电线路、第二供电线路以及直流电源装置。载置台具有用于载置基板的基板载置部和包围基板载置部的周缘部。聚焦环载置于载置台的周缘部，该聚焦环具有导电性。覆盖环包围载置台的外周，该覆盖环由电介质构成。导电性环载置于覆盖环。高频电源与载置台耦合。第一供电线路与聚焦环电连接。第二供电线路与导电性环电连接。直流电源装置经由第一供电线路而与聚焦环电连接，并经由第二供电线路而与导电性环电连接。直流电源装置构成为对聚焦环和导电性环分别施加相同或不同的直流电压。处于聚焦环的外周部的第一面与处于导电性环的内周部的第二面彼此相向且分离。覆盖环具有使聚焦环与导电性环分离的分离部。
[0010]专利技术的效果
[0011]根据一个例示的实施方式，提供一种用于减小在等离子体处理时能够产生的、设置于聚焦环的外侧附近的导电性构件与聚焦环之间的电位差的技术。
附图说明
[0012]图1是表示一个例示的实施方式所涉及的等离子体处理装置的结构的一例的图。
[0013]图2是表示一个例示的实施方式所涉及的导电性环的结构的一例的图。
[0014]图3是表示图1所示的直流电源装置DC的结构的一例的图。
[0015]图4是表示图1所示的直流电源装置DC的结构的另一例的图。
[0016]图5是表示一个例示的实施方式所涉及的导电性环的结构的另一例的图。
[0017]图6是表示一个例示的实施方式所涉及的导电性环的结构的另一例的图。
[0018]图7是表示一个例示的实施方式所涉及的导电性环的结构的另一例的图。
[0019]图8是表示一个例示的实施方式所涉及的导电性环的结构的另一例的图。
[0020]图9是表示一个例示的实施方式所涉及的导电性环的结构的另一例的图。
具体实施方式
[0021]下面，对各种例示的实施方式进行说明。
[0022]对于使用了等离子体处理装置的蚀刻技术，会要求改善生产率所需的高功率化。在该情况下，例如要求应对腔室内零件的消耗加速、伴随溅射的增加而产生的微粒增加等问题。为了应对这些问题，有时使用材料为耐久性高的导体材料的导电性环(导电性构件)。导电性环设置于覆盖环上，能够与聚焦环的外周部形成电容器。在进行等离子体处理时，在导电性环能够与聚焦环同样地产生偏移电位(Vdc)。在沉积物(deposit)多的工艺中，为了增加溅射，考虑使聚焦环与导电性环之间的电容更小以产生更高的Vdc。但是，在这样的情况下，可能会在聚焦环与导电性环之间产生放电，以使聚焦环与导电性环之间的电位差(电容器内的电场)变得更强。
[0023]在一个例示的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置具备载置台、聚焦环、覆盖环、导电性环、高频电源、第一供电线路、第二供电线路以及直流电源装置。载置台具有用于载置基板的基板载置部和包围基板载置部的周缘部。聚焦环载置于载置台的周缘部，该聚焦环具有导电性。覆盖环包围载置台的外周，该覆盖环由电介质构成。导电性环载置于覆盖环。高频电源与载置台耦合。第一供电线路与聚焦环电连接。第二供电线路与导电性环电连接。直流电源装置经由第一供电线路而与聚焦环电连接，并经由第二供电线路而与导电性环电连接。直流电源装置构成为对聚焦环和导电性环分别施加相同或不同的直流电压。处于聚焦环的外周部的第一面与处于导电性环的内周部的第二面彼此相向且分离。覆盖环具有使聚焦环与导电性环分离的分离部。
[0024]像这样，上述结构的等离子体处理装置具有能够从直流电源装置经由第一供电线路和第二供电线路分别向聚焦环和导电性环施加相同或不同的直流电压的结构。因而，能够通过经由第一供电线路和第二供电线路分别供给的直流电压来减小或消除聚焦环与导电性环之间的电位差。
[0025]在一个例示的实施方式中，聚焦环的内周部被载置台的周缘部被支承。聚焦环的外周部覆盖覆盖环的内周部上表面。
[0026]在一个例示的实施方式中，聚焦环与导电性环通过第一面及第二面而电容耦合。
[0027]在一个例示的实施方式中，第一面与第二面之间的距离大于零且小于聚焦环的厚度。
[0028]在一个例示的实施方式中，导电性环的内周部下表面位于比聚焦环的外周部下表面更靠下方的位置。
[0029]在一个例示的实施方式中，分离部构成为与导电性环的内周部侧面抵接，该分离部是形成于覆盖环的表面的台阶部。
[0030]在一个例示的实施方式中，分离部为形成于覆盖环的表面的槽部。导电性环的内周部下表面被收容在槽部内。
[0031]在一个例示的实施方式中，第一面是聚焦环的外周部侧面。第二面是导电性环的内周部侧面。
[0032]在一个例示的实施方式中，第一面是聚焦环的外周部下表面。第二面是导电性环的内周部上表面。
[0033]在一个例示的实施方式中，聚焦环的外周部侧面与导电性环的内周部侧面彼此相向且分离。
[0034]在一个例示的实施方式中，导电性环的与聚焦环的外周部下表面相向的内周部上表面的面积比导电性环的与聚焦环的外周部侧面相向的内周部侧面的面积大。
[0035]在一个例示的实施方式中，聚焦环的外周部下表面与导电性环的内周部上表面之间的间隙比聚焦环的外周部侧面与导电性环的内周部侧面之间的间隙窄。
[0036]在一个例示的实施方式中，第一面是聚焦环的外周部上表面，第二面是导电性环的内周部下表面。
[0037]在一个例示的实施方式中，直流电源装置具备第一滤波器、第二滤波器以及直流电源。第一滤波器经由第一供电线路而与聚焦环电连接。第二滤波器经由第二供电线路而与导电性环电连接。直流电源经由第一滤波器及第一供电线路而与聚焦环电连接。直流电源经由第二滤波器及第二供电线路而与导电性环电连接。直流电源构成为对聚焦环和导电性环施加共同的直流电压。第一滤波器和第二滤波器构成为切断从高频电源输出的高频向直流电源的输入。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，具备：载置台，其具有用于载置基板的基板载置部和包围该基板载置部的周缘部；聚焦环，其载置于所述载置台的所述周缘部，所述聚焦环具有导电性；覆盖环，其包围所述载置台的外周，所述覆盖环由电介质构成；导电性环，其载置于所述覆盖环；高频电源，其与所述载置台耦合；与所述聚焦环电连接的第一供电线路及与所述导电性环电连接的第二供电线路；以及直流电源装置，其经由所述第一供电线路而与所述聚焦环电连接，并经由所述第二供电线路而与所述导电性环电连接，其中，所述直流电源装置构成为对所述聚焦环和所述导电性环分别施加相同或不同的直流电压，处于所述聚焦环的外周部的第一面与处于所述导电性环的内周部的第二面彼此相向且分离，所述覆盖环具有使所述聚焦环与所述导电性环分离的分离部。2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述聚焦环的内周部被所述载置台的所述周缘部支承，所述聚焦环的所述外周部覆盖所述覆盖环的内周部上表面。3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述聚焦环与所述导电性环通过所述第一面及所述第二面而电容耦合。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一面与所述第二面之间的距离大于零且小于所述聚焦环的厚度。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电性环的内周部下表面位于比所述聚焦环的外周部下表面更靠下方的位置。6.根据权利要求1至5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述分离部构成为与所述导电性环的内周部侧面抵接，所述分离部是形成于所述覆盖环的表面的台阶部。7.根据权利要求1至5中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述分离部为形成于所述覆盖环的表面的槽部，所述导电性环的内周部下表面被收容在所述槽部内。8.根据权利要求1至7中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一面是所述聚焦环的外周部侧面，所述第二面是所述导电性环的内周部侧面。9.根据权利要求1至6中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一面是所述聚焦环的外周部下表面，所述第二面是所述导电性环的内周部上表面。10.根据权利要求1至8中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述聚焦环的外周部侧面与所述导电性环的内周部侧面彼此相向且分离。11.根据权利要求1至6、9中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述导电性环的与所述聚焦环的外周部下表面相向的内周部上表...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木良，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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