电子装置制造方法及图纸

本揭露提供一种电子装置。所述电子装置包括半导体元件以及像素电路。所述像素电路包括第一比较器、第二比较器以及减法单元。所述第一比较器产生第一比较信号。所述第二比较器产生第二比较信号。所述减法单元耦接到所述半导体元件且被配置成接收第一比较信号及第二比较信号，且产生减法信号。且产生减法信号。且产生减法信号。

【技术实现步骤摘要】
电子装置


[0001]本揭露一般来说涉及一种电子装置，且更具体来说涉及一种包括减小由晶体管造成的电压误差的像素电路(pixel circuit)的电子装置。

技术介绍

[0002]一般来说，包括像素电路的电子装置需要对晶体管进行复位来将像素电路上的电压值复位。然而，复位晶体管的寄生电容造成电压误差。电压误差导致脉冲宽度调制(pulse
‑
width modulation，PWM)的发射时间误差。如何减小由电子装置中的像素电路的晶体管造成的电压误差是所属领域中的技术人员的研究与开发重点之一。

技术实现思路

[0003]本揭露涉及一种包括减小由晶体管造成的电压误差的像素电路的电子装置。
[0004]本揭露提供一种电子装置。所述电子装置包括半导体元件以及像素电路。所述像素电路包括第一比较器、第二比较器以及减法单元。所述第一比较器产生第一比较信号。所述第二比较器产生第二比较信号。所述减法单元耦接到所述半导体元件且被配置成接收第一比较信号及第二比较信号，且产生减法信号。
[0005]为使前述内容更易于理解，以下结合附图详细阐述若干实施例。
附图说明
[0006]本文包括附图以提供对本揭露的进一步理解，且附图被并入本说明书并构成本说明书的一部分。附图示出本揭露的示例性实施例且与说明一同用于阐释本揭露的原理。
[0007]图1示出根据本揭露第一实施例的电子装置的示意图。
[0008]图2示出电子装置的操作时序图。
[0009]图3示出根据本揭露第二实施例的电子装置的示意图。
[0010]图4示出图3的操作时序图。
[0011]图5示出图3的减法信号、第一数据信号及第二数据信号的脉冲宽度之间的关系的示意图。
[0012]图6示出根据本揭露第三实施例的电子装置的示意图。
[0013]图7示出图6的减法信号、第一数据信号及第二数据信号的脉冲宽度之间的关系的另一示意图。
[0014]图8示出根据本揭露第四实施例的电子装置的示意图。
[0015]图9示出图8的操作时序图。
[0016]图10示出根据本揭露第五实施例的电子装置的示意图。
[0017]图11示出根据本揭露第六实施例的电子装置的示意图。
[0018]图12示出根据本揭露第七实施例的电子装置的示意图。
[0019]图13示出根据本揭露第八实施例的减法单元的示意图。
[0020]图14示出根据本揭露第九实施例的减法单元的示意图。
[0021]附图标记说明
[0022]100、200、200
’
、200”、300、400、500、600、700：电子装置
[0023]110、210、310、410、510、610_1、610_2、710_1、710_2、710_3：半导体元件
[0024]120、210、220、220
’
、220”、320、420、520、620、720：像素电路
[0025]121_A、121_B、221_A、221_B、221_B
’
、321_A、321_B、421_A、421_B、521_A、521_B、621_A、621_B、721_A1、721_A2、721_A3、721_B：比较器
[0026]122、222、222
’
、322、422、522、622、722_1、722_2、722_3：减法单元
[0027]123、323、523、623_1、623_2、723_1、723_2、723_3：发射控制单元
[0028]130、230、330、430、530、630、730_1、730_2、730_3：电流源
[0029]C1、C2：电容器
[0030]CE1、CE2：比较元件
[0031]CL：共用线
[0032]CP1、CP2：寄生电容
[0033]DL1、DL2：数据线
[0034]EM：发射使能信号
[0035]EM1：第一发射使能信号/发射使能信号
[0036]EM2：第二发射使能信号/发射使能信号
[0037]EML、EML1、EML2：发射使能线
[0038]IE、IE1、IE2、IE3：发射电流
[0039]IVT、IVT1、IVT2：反相器
[0040]L1、L2、L3：光
[0041]N1、N2、N3、N4、N5：节点
[0042]PW、PW1、PW2、PW3：脉冲宽度
[0043]REF、SD_A：第一数据信号
[0044]SC_A：第一比较信号
[0045]SC_A1、SC_A2、SC_A3：第二比较信号
[0046]SC_B：第二比较信号/第一比较信号
[0047]SD_A1、SD_A2、SD_A3、SD_B：第二数据信号
[0048]SN1：第一控制信号
[0049]SN2：第二控制信号
[0050]SS、SS1、SS2、SS3：减法信号
[0051]SWP：扫描信号
[0052]T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、T10、T11、T12、T13、Tem、TI1、TI2、TI3、TI4：薄膜晶体管(TFT)
[0053]TD1：复位时间间隔
[0054]TD2：发射时间间隔
[0055]tp1、tp2、tp3、tp4：时间点
[0056]V1、V2、V3、V4、V5、V6：电压值
[0057]VDD：高参考电压
[0058]VDD_LEU、VSS_LEU：电源
[0059]VL：参考信号
[0060]VSS：低参考电压
[0061]VSWPH：最大电压值
[0062]Vth：阈值
具体实施方式
[0063]可通过结合以下阐述的附图而参照以下详细说明来理解本揭露。应注意，为使例示清晰且便于读者理解起见，本揭露的各种附图示出电子装置的一部分，且各种附图中的某些元件可能并未按比例绘制。另外，附图中示出的每一装置的数目及尺寸仅是例示性的，且不旨在对本揭露的范围进行限制。
[0064]在说明及随附的权利要求通篇中使用某些用语来指代特定的组件。如所属领域中的技术人员将理解，电子设备制造商可使用不同的名称来指代组件。本文不旨在对名称不同但功能相同的组件进行区分。在以下说明以及权利要求中，用语“包括(include)”、“包含(comprise)”及“具有(have)”以开放式的方式使用，且因此应被解释成意指“包括但不限于
…”
。因此，当在本揭露的说明中使用用语“包括”、“包含”和/或“具有”时，对应的特征、区域、步骤、操作和/或组件将表明存在，但不限于一个或多个对应的特征、区域、步骤、操作和/或组件的存在。
[0065]应理解，当称一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括：至少一个半导体元件；以及像素电路，耦接到所述至少一个半导体元件，包括：第一比较器，被配置成产生第一比较信号；第二比较器，被配置成产生第二比较信号；及至少一个减法单元，耦接到所述至少一个半导体元件，且被配置成接收所述第一比较信号及所述第二比较信号，且产生减法信号。2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少一个半导体元件中的一者包括至少一个发光二极管。3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一比较器包括：第一薄膜晶体管，其中所述第一薄膜晶体管的第一端子耦接到第一数据线且被配置成接收第一数据信号；第二薄膜晶体管，其中所述第二薄膜晶体管的第一端子被配置成接收扫描信号；第一电容器，其中所述第一电容器的第一端子耦接到所述第一薄膜晶体管的第二端子及所述第二薄膜晶体管的第二端子；第一比较元件，其中所述第一比较元件的第一端子耦接到所述第一电容器的第二端子，且所述第一比较元件的第二端子耦接到所述至少一个减法单元；以及第三薄膜晶体管，其中所述第三薄膜晶体管的第一端子耦接到所述第一比较元件的所述第一端子，且所述第三薄膜晶体管的第二端子耦接到所述第一比较元件的所述第二端子。4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于：所述第一薄膜晶体管的控制端子被配置成接收第一控制信号，所述第二薄膜晶体管的控制端子被配置成接收所述第一控制信号，且所述第三薄膜晶体管的控制端子被配置成接收所述第一控制信号。5.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述第二比较器包括：第四薄膜晶体管；第五薄膜晶体管，其中所述第五薄膜晶体管的第一端子被配置成接收所述扫描信号；第二电容器，其中所述第二电容器的第一端子耦接到所述第四薄膜晶体管的第二端子及所述第五薄膜晶体管的第二端子；第二比较元件，其中所述第二比较元件的第一端子耦接到所述第二电容器的第二端子，且所述第二比较元件的第二端子耦接到所述至少一个减法单元；以及第六薄膜晶体管，其中所述第六薄膜晶体管的第一端子耦接到所述第二比较元件的所述第一端子，所述第六薄膜晶体管的第二端子耦接到所述第二比较元件的所述第二端子。6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于：所述第四薄膜晶体管的控制端子被配置成接收第二控制信号，所述第五薄膜晶体管的控制端子被配置成接收所述第二控制信号，且所述第六薄膜晶体管的控制端子被配置成接收所述第二控制信号。7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述像素电路还包括：发射控制单元，耦接到所述至少一个减法单元及所述至少一个半导体元件，且被配置
成响应于所述减法信号及发射使能信号将发射电流传输到所述至少一个半导体元件。8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述至少一个减法单元中的一者包括：第一薄膜晶体管，其中所述第一薄膜晶体管的第一端子被配置成接收所述第一比较信号，且所述第一薄膜晶体管的控制端子被配置成接收发射使能信号；第二薄膜晶体管，其中所述第二薄膜晶体管的第一端子耦接到所述第一薄膜晶体管的第二端子，且所述第二薄膜晶体管的控制端子被配置成接收所述第二比较信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本和幸，渡边英俊，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：