一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法组成比例

本发明专利技术公开了一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，包括以下质量份的原料组成：氧化锌10

【技术实现步骤摘要】
一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法


[0001]本专利技术涉及瓷绝缘子半导体釉制备
，具体为一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着陶瓷制品进入千家万户，陶瓷釉料为陶瓷制品不可缺少的装饰材料，现有的陶瓷釉料按照类别与用途可以大致分类如下：1、铅釉和无铅釉；2、生料釉与熔块釉；3、一次烧成或二次烧成用釉；4、瓷砖，餐具，卫生陶瓷与电瓷用釉；5、按施釉方法划分的浸釉、喷釉、浇釉；6、高温釉和低温釉；7、高膨胀釉和低膨胀釉；8、烧成气氛氧化焰、中性焰和还原焰；9、颜色釉与无色釉；10、透明釉与乳浊釉；11、光泽釉、无光釉、半无光釉或花纹釉等等。
[0003]半导体釉是一种用于高压电磁而具有特殊性能的釉，其表面电阻率介于绝缘体与导体之间。该釉通常是在普通电瓷釉中加入一定量(约30％)的导电性金属氧化物或化合物构成。形成的显微结构与普通釉不同，在半导体釉中除了含有大量的玻璃相及少量气泡外，还含有各种形态的导电结晶或固溶体，这些导电相贯穿于玻璃基质之间，构成不间断的导电网络。
[0004]由于半导体釉涂覆在高压电磁外表面，容易受到外界环境的腐蚀，发生各种电化腐蚀，同时现有半导体釉抗污能力差。

技术实现思路

[0005](一)解决的技术问题
[0006]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法。
[0007](二)技术方案
[0008]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，包括以下质量份的原料组成：氧化锌10
‑
20份、氧化铝粉5
‑
10份、石灰5
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10份、钾长石15
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20份、石英25
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30份、高岭土10
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15份、滑石粉5
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10份、珍珠岩10
‑
20份、蛭石5
‑
10份、硅酸锆3
‑
8份、光泽剂10
‑
18份。
[0009]优选的，所述瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
[0010]S1：制备白釉
[0011]S101：将原料中的钾长石、石英、珍珠岩、蛭石、硅酸锆取出，并放置在粉碎机中进行粉碎，将粉碎后的产物再放入到球磨机中；
[0012]S102：向球磨机中进行添加水进行球磨，球磨时间为10
‑
15小时；
[0013]S103：然后将球磨后的釉料进行过筛除杂，得到白釉；
[0014]S2：将原料中的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，并放置在高温炉中进行加热，加热时间为1
‑
2小时；
[0015]S3：将S2中加热后的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，进行淬火，得到淬火料；
[0016]S4：再将淬火得到的产物放置在研磨机中，进行研磨，并加入高岭土和滑石粉，研
磨成粉末状后，再将其加入到球磨机中进行球磨，球磨时间为10
‑
15小时；
[0017]S5：将S4中球磨的产物取出，放置在高速搅拌机中，并加入白釉进行混合；
[0018]S6：将S5中混合后的产物进行放置陈腐，然后在将陈腐后的材料取出放置在搅拌机中进行搅拌并加入光泽剂，得到混合料；
[0019]S7：将S6中得到的混合料放置在离心机中，进行离心，去除其水分，然后再放置在干燥炉中，进行干燥，至釉浆中的水分小于1％，然后进行烧制，冷却后得到半导体釉。
[0020]优选的，所述S7中，烧制的温度为1250
‑
1300℃。
[0021]优选的，所述S6中，陈腐条件为无氧环境中，且在20℃的环境中进行陈腐。
[0022]优选的，所述S103中，过筛条件为200
‑
300目，筛余料与除铁废料直接废弃。
[0023]优选的，所述S102中，添加的水为蒸馏水。
[0024]优选的，所述S3中，淬火用水为蒸馏水或淬火油。
[0025]优选的，所述S4中，高岭土和滑石粉加入前还需要进行除铁除杂处理。
[0026](三)有益效果
[0027]与现有技术相比，本专利技术提供了一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，具备以下有益效果：
[0028]1、该一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，通过本专利技术进行制备的半导体釉，可以提高其较强的抗腐蚀能力，通过在原料中进行氧化锌、氧化铝粉，通过进行添加的金属氧化物，可以提高半导体釉的抗污性能。
[0029]2、该一种瓷绝缘子半导体釉配方及其制备方法，通过该制备工艺，利用其对原料进行预先干燥处理，可以提高对原料的纯度，从而提高半导体釉制备后的抗污能力。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术的实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]本专利技术提供一种瓷绝缘子半导体釉配方，包括以下质量份的原料组成：氧化锌10
‑
20份、氧化铝粉5
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10份、石灰5
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10份、钾长石15
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20份、石英25
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30份、高岭土10
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15份、滑石粉5
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10份、珍珠岩10
‑
20份、蛭石5
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10份、硅酸锆3
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8份、光泽剂10
‑
18份。
[0032]进一步地，一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，包括以下步骤：
[0033]S1：制备白釉
[0034]S101：将原料中的钾长石、石英、珍珠岩、蛭石、硅酸锆取出，并放置在粉碎机中进行粉碎，将粉碎后的产物再放入到球磨机中；
[0035]S102：向球磨机中进行添加水进行球磨，球磨时间为10
‑
15小时；
[0036]S103：然后将球磨后的釉料进行过筛除杂，得到白釉；
[0037]S2：将原料中的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，并放置在高温炉中进行加热，加热时间为1
‑
2小时；
[0038]S3：将S2中加热后的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，进行淬火，得到淬火料；
[0039]S4：再将淬火得到的产物放置在研磨机中，进行研磨，并加入高岭土和滑石粉，研
磨成粉末状后，再将其加入到球磨机中进行球磨，球磨时间为10
‑
15小时；
[0040]S5：将S4中球磨的产物取出，放置在高速搅拌机中，并加入白釉进行混合；
[0041]S6：将S5中混合后的产物进行放置陈腐，然后在将陈腐后的材料取出放置在搅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种瓷绝缘子半导体釉配方，其特征在于，包括以下质量份的原料组成：氧化锌10
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20份、氧化铝粉5
‑
10份、石灰5
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10份、钾长石15
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20份、石英25
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30份、高岭土10
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15份、滑石粉5
‑
10份、珍珠岩10
‑
20份、蛭石5
‑
10份、硅酸锆3
‑
8份、光泽剂10
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18份。2.根据权利要求1所述的一种瓷绝缘子半导体釉的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：制备白釉S101：将原料中的钾长石、石英、珍珠岩、蛭石、硅酸锆取出，并放置在粉碎机中进行粉碎，将粉碎后的产物再放入到球磨机中；S102：向球磨机中进行添加水进行球磨，球磨时间为10
‑
15小时；S103：然后将球磨后的釉料进行过筛除杂，得到白釉；S2：将原料中的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，并放置在高温炉中进行加热，加热时间为1
‑
2小时；S3：将S2中加热后的氧化锌、氧化铝粉、石灰取出，进行淬火，得到淬火料；S4：再将淬火得到的产物放置在研磨机中，进行研磨，并加入高岭土和滑石粉，研磨成粉...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘定华，刘定春，李维，
申请(专利权)人：萍乡电瓷厂电力电器有限公司，
类型：发明
国别省市：