半导体制造装置制造方法及图纸

提供原料的使用效率高的半导体制造装置。半导体制造装置具备：第一贮存容器，贮存第一原料，具有第一容器出口；反应室；第一流量控制机构，调整从第一容器出口向反应室输送的第一原料的流量，具有第一入口和第一出口；第一配管，将第一容器出口和第一入口连接，具有第一连接部；第二配管，将第一出口和反应室连接，具有第二连接部；第三配管，在第一连接部与第一配管连接，在第二连接部与第二配管连接；第一泵，从第二配管向第一配管输送第一原料，具有第一吸气口和第一排气口；第二流量控制机构，控制从第一泵向第一流量控制机构供给的第一原料的流量，具有第二入口和第二出口。具有第二入口和第二出口。具有第二入口和第二出口。

【技术实现步骤摘要】
半导体制造装置
[0001][相关申请][0002]本申请享受以日本专利申请2021
‑
154479号(申请日：2021年9月22日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请包括基础申请的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及半导体制造装置。

技术介绍

[0004]半导体芯片等半导体装置的制造通过在反应室的内部搬入半导体基板等基板并供给原料来进行。

技术实现思路

[0005]本专利技术的实施方式提供原料的使用效率高的半导体制造装置。
[0006]实施方式的半导体制造装置具备：第一贮存容器，贮存第一原料，具有第一容器出口；反应室；第一流量控制机构，调整从第一贮存容器的第一容器出口向反应室输送的第一原料的流量，具有第一入口和第一出口；第一配管，将第一贮存容器的第一容器出口和第一流量控制机构的第一入口连接，具有第一连接部；第二配管，将第一流量控制机构的第一出口和反应室连接，具有第二连接部，该第二连接部具有第一流路切换阀；第三配管，在第一连接部与第一配管连接，在第二连接部与第二配管连接；第一泵，具有：第一吸气口，连接于第三配管中的与第二连接部连接的部分；和第一排气口，连接于第三配管中的与第一连接部连接的部分，所述第一泵从第二配管向第一配管输送第一原料；以及第二流量控制机构，具有：第二入口，连接于第三配管中的在第一连接部与第一泵之间的部分中的与第一泵连接的部分；以及第二出口，连接于第三配管中的在第一连接部与第一泵之间的部分中的与第一连接部连接的部分，所述第二流量控制机构控制从第一泵向第一流量控制机构供给的第一原料的流量。
附图说明
[0007]图1是实施方式的半导体制造装置的示意图。
[0008]图2是表示实施方式的第二连接部的一个方式的示意图。
[0009]图3是表示实施方式的第四连接部的一个方式的示意图。
[0010]图4的(a)～(c)是表示使用了实施方式的半导体制造装置的半导体装置的制造工序的一个方式的示意剖视图。
具体实施方式
[0011]以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。另外，在以下的说明中，对相同的部件等标注相同的附图标记，对已说明过一次的部件等适当地省略其说明。
[0012](实施方式)
[0013]实施方式的半导体制造装置具备：第一贮存容器，贮存第一原料，具有第一容器出口；反应室；第一流量控制机构，调整从第一贮存容器的第一容器出口向反应室输送的第一原料的流量，具有第一入口和第一出口；第一配管，将第一贮存容器的第一容器出口和第一流量控制机构的第一入口连接，具有第一连接部；第二配管，将第一流量控制机构的第一出口和反应室连接，具有第二连接部，该第二连接部具有第一流路切换阀；第三配管，在第一连接部与第一配管连接，在第二连接部与第二配管连接；第一泵，具有：第一吸气口，连接于第三配管中的与第二连接部连接的部分；和第一排气口，连接于第三配管中的与第一连接部连接的部分，所述第一泵从第二配管向第一配管输送第一原料；以及第二流量控制机构，具有：第二入口，连接于第三配管中的在第一连接部与第一泵之间的部分中的与第一泵连接的部分；以及第二出口，连接于第三配管中的在第一连接部与第一泵之间的部分中的与第一连接部连接的部分，所述第二流量控制机构控制从第一泵向第一流量控制机构供给的第一原料的流量。
[0014]图1是实施方式的半导体制造装置100的示意图。
[0015]使用图1对实施方式的半导体制造装置100进行说明。
[0016]半导体制造装置100例如用于MOSFET(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化膜半导体场效应晶体管)等半导体装置的制造中所使用的基板的干式蚀刻、利用CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法的薄膜生长等。但是，半导体制造装置100的用途并不限定于上述的用途。
[0017]第一贮存容器2具有第一容器出口3b。第一贮存容器2贮存第一原料。第二贮存容器32具有第二容器出口33b。第二贮存容器32贮存第二原料。第五贮存容器82具有第五容器出口83b。第五贮存容器82贮存第三原料。第一原料、第二原料及第三原料分别既可以为例如气体，也可以为液体。
[0018]第一原料及第二原料例如分别优选为氟供给蚀刻气体及氟化烃。第一原料及第二原料例如分别优选为六氟化硫(SF6)和八氟环丁烷(C4F8)。
[0019]另外，第一原料例如优选为三甲基铝(TMA)、四(二甲基氨基)钛(TDMAT)或四(二乙基氨基)铪(TDEAH)。在该情况下，第二原料例如优选为水(H2O)气体。
[0020]第三原料例如是为了制造半导体装置而作为载气使用的、氩(Ar)气体、氮(N2)气体等非活性气体。
[0021]但是，实施方式的半导体制造装置100中使用的第一原料、第二原料及第三原料并不特别限定。
[0022]在反应室4的内部例如设置有未图示的基板支承部。在该基板支承部之上配置有未图示的基板。在该基板之上被适当供给上述的第一原料、第二原料及第三原料。由此，例如，在该基板之上进行半导体装置的制造。
[0023]另外，反应室4连接有配管98。在配管98上设置有例如蝶阀等第六流量调整机构92、涡轮分子泵等第三泵94。配管98、第九配管70以及配管97例如通过作为T字管的第八连接部99连接。在配管97上适当设置有干式泵等第四泵96。并且，未被用于半导体装置的制造的剩余的原料等经由配管98及配管97被排出至反应室4的外部。
[0024]第一流量控制机构6具有第一入口7a和第一出口7b。第一流量控制机构6控制从第
一贮存容器2向反应室4输送的第一原料的流量。第一流量控制机构6例如是质量流量控制器。第一配管8具有第一配管8a和第一配管8b。第一配管8a及第一配管8b例如通过第一连接部12相互连接。第一配管8a及第一配管8b将第一贮存容器2的第一容器出口3b与第一流量控制机构6的第一入口7a连接。第二配管10具有第二配管10a和第二配管10b。第二配管10a和第二配管10b例如通过第二连接部14相互连接。第二配管10a及第二配管10b将第一流量控制机构6的第一出口7b与反应室4连接。
[0025]第三配管16具有第三配管16a和第三配管16b。第三配管16a与第三配管16b相互连接。第三配管16b在第一连接部12与第一配管8a及第一配管8b连接。第三配管16a在第二连接部14与第二配管10a及第二配管10b连接。
[0026]第一连接部12与第一配管8a、第一配管8b以及第三配管16b连接。第一连接部12例如是T字管。
[0027]第二连接部14与第二配管10a、第二配管10b以及第三配管16a连接。第二连接部14能够将在第二配管10a中流动的原料向反应室4或第三配管16a供给。另外，第二连接部14也可以将在第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置，具备：第一贮存容器，贮存第一原料，具有第一容器出口；反应室；第一流量控制机构，调整从所述第一贮存容器的所述第一容器出口向所述反应室输送的所述第一原料的流量，具有第一入口和第一出口；第一配管，将所述第一贮存容器的所述第一容器出口与所述第一流量控制机构的所述第一入口连接，具有第一连接部；第二配管，将所述第一流量控制机构的所述第一出口与所述反应室连接，具有第二连接部，该第二连接部具有第一流路切换阀；第三配管，在所述第一连接部处与所述第一配管连接，在所述第二连接部处与所述第二配管连接；第一泵，具有第一吸气口和第一排气口，所述第一吸气口与所述第三配管中的与所述第二连接部连接的部分连接，所述第一排气口与所述第三配管中的与所述第一连接部连接的部分连接，所述第一泵从所述第二配管向所述第一配管输送所述第一原料；以及第二流量控制机构，具有第二入口和第二出口，所述第二入口连接于所述第三配管中的在所述第一连接部与所述第一泵之间的部分中的与所述第一泵连接的部分，所述第二出口连接于所述第三配管中的在所述第一连接部与所述第一泵之间的所述部分中的与所述第一连接部连接的部分，所述第二流量控制机构对从所述第一泵向所述第一流量控制机构供给的所述第一原料的流量进行控制。2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，还具备：第二贮存容器，贮存第二原料，具有第二容器出口；第三流量控制机构，调整从所述第二贮存容器的所述第二容器出口向所述反应室输送的所述第二原料的流量，具有第三入口和第三出口；第四配管，将所述第二贮存容器的所述第二容器出口与所述第三流量控制机构的所述第三入口连接，具有第三连接部；第五配管，将所述第三流量控制机构的所述第三出口与所述反应室连接，具有第四连接部，该第四连接部具有第二流路切换阀；第六配管，在所述第三连接部处与所述第四配管连接，在所述第四连接部处与所述第五配管连接；第二泵，具有第二吸气口和第二排气口，所述第二吸气口与所述第六配管中的与所述第四连接部连接的部分连接，所述第二排气口与所述第六配管中的与所述第三连接部连接的部分连接，所述第二泵从所述第五配管向所述第四配管输送所述第二原料；以及第四流量控制机构，具有第四入口和第四出口，所述第四入口连接于所述第六配管中的在所述第三连接部与所述第二泵之间的部分中的与所述第二泵连接的部分，所述第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：稻田充郎，
申请(专利权)人：东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：