高调光比LED驱动芯片制造技术

一种高调光比ＬＥＤ驱动芯片，由封装体、硅衬底、ＰＣＢ板、管脚和两个以上数目的分立元件构成，分立元件分别是开关使能缓冲器、栅极驱动器、带隙基准电路、稳压电路、ＣＳ比较器和欠压锁住比较器，本实用新型专利技术是一款连续电感电流导通模式的降压恒流源，用于驱动一颗或多颗串联ＬＥＤ。输入电压范围从８伏到３０伏，输出电流可调，最大可达１．２安培。根据不同的输入电压和外部器件，可以驱动高达数十瓦的ＬＥＤ。并且内置功率开关，采用高端电流采样设置ＬＥＤ平均电流，并通过ＤＩＭ引脚可以接受模拟调光和很宽范围的ＰＷＭ调光。当ＤＩＭ的电压低于０．３伏时，功率开关关断，电路进入极低工作电流的待机状态。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电学领域，尤其涉及发光二极管(LED)驱动装置，特 别是一种高调光比LED驱动芯片。
技术介绍
现有技术中，驱动发光二极管的电路的输入电压范围窄，外围元件多， 不利于降低产品成本。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种高调光比LED驱动芯片，所述的这种 高调光比LED驱动芯片要解决现有技术中发光二极管的驱动电路输入电 压范围窄、外围元件多的技术问题。本技术的这种高调光比LED驱动芯片由封装体、硅衬底、PCB 板、管脚和两个以上数目的分立元件构成，所述的管脚与PCB板连接，所 述的硅衬底设置在PCB板上，所述的分立元件设置在硅衬底上，硅衬底、 PCB板和分立元件均设置在封装体内，其中，所述的分立元件分别是开关 使能缓冲器、栅极驱动器、带隙基准电路、稳压电路、CS比较器和欠压锁 住比较器，稳压电路的一端、CS比较器的一个输入端和带隙基准电路分别 与电源输入管脚,连接，稳压电路的另一端与带隙基准电路和栅极驱动器连 接，CS比较器的另一个输入端与电流采用端管脚连接，欠压锁住比较器的 一个输入端与带隙基准电路连接，欠压锁住比较器的另一个输入端与稳压 电路、带隙基准电路、栅极驱动器、 一个场效应三极管的源极和接地管脚 连接，欠压锁住比较器的输出端与栅极驱动器连接，开关使能缓冲器与开 关使能管脚和栅极驱动器连接，栅极驱动器的输出端与所述的场效应三极 管的栅极连接，场效应三极管的漏极与漏端管脚连接。进一步的，所述的封装体由树脂固化物构成。本技术和已有技术相对比，其效果是积极和明显的。本技术 是一款连续电感电流导通模式的降压恒流源，用于驱动一颗或多颗串联LED。输入电压范围从8伏到30伏，输出电流可调，最大可达1.2安培。 根据不同的输入电压和外部器件，可以驱动高达数十瓦的LED。并且内置 功率开关，采用高端电流采样设置LED平均电流，并通过DIM引脚可以接 受模拟调光和很宽范围的P丽调光。当DIM的电压低于0.3伏时，功率开 关关断，电路进入极低工作电流的待机状态。外部元器件要求最少，对于 降低LED照明灯具成本较有优势。附图说明图1是本技术的高调光比LED驱动芯片的电路模块示意图。具体实施方式实施例1:如图1所示，本技术的高调光比LED驱动芯片由封装体、硅衬底、 PCB板、管脚和两个以上数目的分立元件构成，所述的管脚与PCB板连接， 所述的硅衬底设置在PCB板上，所述的分立元件设置在硅衬底上，硅衬底、 PCB板和分立元件均设置在封装体内，其中，所述的分立元件分别是开关 使能缓冲器、栅极驱动器、带隙基准电路、稳压电路、CS比较器和欠压锁 住比较器，稳压电路的一端、CS比较器的一个输入端和带隙基准电路分别 与电源输入管脚连接，稳压电路的另一端与带隙基准电路和栅极驱动器连 接，CS比较器的另一个输入端与电流采用端管脚连接，欠压锁住比较器的 一个输入端与带隙基准电路连接，欠压锁住比较器的另一个输入端与稳压 电路、带隙基准电路、栅极驱动器、 一个场效应三极管的源极和接地管脚 连接，欠压锁住比较器的输出端与栅极驱动器连接，开关使能缓冲器与开 关使能管脚和栅极驱动器连接，栅极驱动器的输出端与所述的场效应三极 管的栅极连接，场效应三极管的漏极与漏端管脚连接。进一步的，所述的封装体由树脂固化物构成。在本技术的一个优选实施例中，管脚描述如下表:<table>table see original document page 5</column></row><table>极限参数如下表-<table>table see original document page 5</column></row><table>工作范围如下表:<table>table see original document page 5</column></row><table>电气参数如下表:<table>table see original document page 6</column></row><table>流为高端电流采样结构使得外部元器件数量很少，采用1%精度的采样电阻，LED输出电流控制在±5%的精度。LED驱动电路可以在DIM管脚加PWM信号进行调光，DIM管脚电压低 于0.3V关断LED电流，高于2.5V全部打开LED电流，PWM调光的频率 范围从100Hz到20KHz以上。当高电平在0.5V到2.5V之间，也可以调光， 具体应用细节见后面应用说明。DIM管脚也可以通过外加直流电压(VDM)向下调节LED电流(模拟调光)， 最大LED电流由采样电阻RS决定。直流电压(VDM)的有效范围是0.5V 至IJ2.5V。当直流电压(VoM)高于2.5V，输出LED电流保持恒定，并由RS 设定。LED电流还可以外接一个电阻到DIM进行调节，内部有一个上拉 电阻(典型1.2兆欧姆)接在内部稳压电压5V上，DIM管脚的电压由内 部和外部的电阻分压决定。DIM管脚在正常工作时可以浮空。当加在DIM上的电压低于0.3V时，内部 功率开关关断，LED电流也降为零。关断期间，内部稳压电路保持待机工 作，静态电流仅为60uA。.此外，为了保证可靠性，LED驱动电路内部包含过热保护功能(TSD)，过 热保护功能在芯片过热(160°C)时保护芯片和系统，于是LED驱动电路能 够安全地输出较大电流。权利要求1. 一种高调光比LED驱动芯片，由封装体、硅衬底、PCB板、管脚和两个以上数目的分立元件构成，所述的管脚与PCB板连接，所述的硅衬底设置在PCB板上，所述的分立元件设置在硅衬底上，硅衬底、PCB板和分立元件均设置在封装体内，其特征在于所述的分立元件分别是开关使能缓冲器、栅极驱动器、带隙基准电路、稳压电路、CS比较器和欠压锁住比较器，稳压电路的一端、CS比较器的一个输入端和带隙基准电路分别与电源输入管脚连接，稳压电路的另一端与带隙基准电路和栅极驱动器连接，CS比较器的另一个输入端与电流采用端管脚连接，欠压锁住比较器的一个输入端与带隙基准电路连接，欠压锁住比较器的另一个输入端与稳压电路、带隙基准电路、栅极驱动器、一个场效应三极管的源极和接地管脚连接，欠压锁住比较器的输出端与栅极驱动器连接，开关使能缓冲器与开关使能管脚和栅极驱动器连接，栅极驱动器的输出端与所述的场效应三极管的栅极连接，场效应三极管的漏极与漏端管脚连接。2. 如权利要求1所述的高调光比LED驱动芯片，其特征在于所述的封装体由树脂固化物构成。专利摘要一种高调光比LED驱动芯片，由封装体、硅衬底、PCB板、管脚和两个以上数目的分立元件构成，分立元件分别是开关使能缓冲器、栅极驱动器、带隙基准电路、稳压电路、CS比较器和欠压锁住比较器，本技术是一款连续电感电流导通模式的降压恒流源，用于驱动一颗或多颗串联LED。输入电压范围从8伏到30伏，输出电流可调，最大可达1.2安培。根据不同的输入电压和外部器件，可以驱动高达数十瓦的LED。并且内置功率开关，采用高端电流采样设置LED本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高调光比ＬＥＤ驱动芯片，由封装体、硅衬底、ＰＣＢ板、管脚和两个以上数目的分立元件构成，所述的管脚与ＰＣＢ板连接，所述的硅衬底设置在ＰＣＢ板上，所述的分立元件设置在硅衬底上，硅衬底、ＰＣＢ板和分立元件均设置在封装体内，其特征在于：所述的分立元件分别是开关使能缓冲器、栅极驱动器、带隙基准电路、稳压电路、ＣＳ比较器和欠压锁住比较器，稳压电路的一端、ＣＳ比较器的一个输入端和带隙基准电路分别与电源输入管脚连接，稳压电路的另一端与带隙基准电路和栅极驱动器连接，ＣＳ比较器的另一个输入端与电流采用端管脚连接，欠压锁住比较器的一个输入端与带隙基准电路连接，欠压锁住比较器的另一个输入端与稳压电路、带隙基准电路、栅极驱动器、一个场效应三极管的源极和接地管脚连接，欠压锁住比较器的输出端与栅极驱动器连接，开关使能缓冲器与开关使能管脚和栅极驱动器连接，栅极驱动器的输出端与所述的场效应三极管的栅极连接，场效应三极管的漏极与漏端管脚连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：石劲松，
申请(专利权)人：金诗电子技术上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]