推挽功率放大电路及射频前端模组制造技术

本发明专利技术公开了一种推挽功率放大电路及射频前端模组，包括第一推挽功率放大器、第二推挽功率放大器和调谐电路；第一推挽功率放大器包括第一巴伦，第二推挽功率放大器包括第二巴伦；第一巴伦的第一输出端输出射频输出信号，第二输出端与第二巴伦的第一输出端连接，第二巴伦的第二输出端与接地端连接；调谐电路的一端与所述第一巴伦的第二输出端和所述第二巴伦连接，另一端与接地端连接；调谐电路被配置为对所述射频输出信号中的共模信号进行调谐，从而实现对推挽功率放大电路所输出的射频输出信号中的共模信号进行有效抑制，大大降低推挽功率放大电路的总损耗。挽功率放大电路的总损耗。挽功率放大电路的总损耗。

【技术实现步骤摘要】
推挽功率放大电路及射频前端模组


[0001]本专利技术涉及射频
，尤其涉及一种推挽功率放大电路及射频前端模组。

技术介绍

[0002]移动通信技术已经演进至第五代，5G NR(5th
‑
Generation New Radio)作为基于正交频分复用(Orthogonal Frequency Division Multiplexing，OFDM)的全新空口设计的全球性5G标准，也是下一代非常重要的蜂窝移动技术基础。推挽功率放大电路作为通讯系统中核心的射频单元，其性能特性对系统整机指标有较大的影响，特别是其损耗特性，严重影响着整个通讯系统的总功耗。因此，如何避免推挽功率放大电路的损耗过大成为目前亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种推挽功率放大电路及射频前端模组，解决推挽功率放大电路的损耗过大的问题。
[0004]一种推挽功率放大电路，包括第一推挽功率放大器、第二推挽功率放大器和调谐电路；所述第一推挽功率放大器包括第一巴伦，所述第二推挽功率放大器包括第二巴伦；所述第一巴伦的第一输出端输出射频输出信号，第二输出端与所述第二巴伦的第一输出端连接，所述第二巴伦的第二输出端与接地端连接；所述调谐电路的一端与所述第一巴伦的第二输出端和所述第二巴伦的第一输出端连接，另一端与接地端连接；所述调谐电路被配置为对所述射频输出信号中的共模信号进行调谐。
[0005]进一步地，所述调谐电路包括第一电感。
[0006]进一步地，所述调谐电路包括第一电阻。
[0007]进一步地，所述调谐电路包括串联连接的第一电阻和第一电感，或者，包括并联连接的第一电阻和第一电感。
[0008]进一步地，所述第一推挽功率放大器还包括第一差分放大晶体管和第二差分放大晶体管，所述第二推挽功率放大器包括包括第三差分放大晶体管和第四差分放大晶体管；所述第一差分放大晶体管被配置为接收第一射频信号，输出第一射频放大信号至所述第一巴伦的第一输入端；所述第二差分放大晶体管被配置为接收第二射频信号，输出第二射频放大信号至所述第一巴伦的第二输入端；所述第三差分放大晶体管被配置为接收第三射频信号，输出第三射频放大信号至所述第二巴伦的第一输入端；第四差分放大晶体管的第一端被配置为接收第四射频信号；输出第四射频放大信号至所述第二巴伦的第二输入端；所述第一差分放大晶体管设置在远离所述第二推挽功率放大器的一侧，所述第四差分放大晶体管设置在远离所述第一推挽功率放大器的一侧。
[0009]进一步地，所述第一射频信号的相位与所述第三射频信号的相位相同；所述第二射频信号的相位与所述第四射频信号的相位相同。
[0010]进一步地，所述第一差分放大晶体管为HBT管，包括基极、集电极和发射极，所述第
一差分放大晶体管的基极接收输入的第一射频信号，所述第一差分放大晶体管的集电极耦合至所述第一巴伦的第一输入端，所述第一差分放大晶体管的发射极接地；所述第二差分放大晶体管为HBT管，包括基极、集电极和发射极，所述第二差分放大晶体管的基极接收输入的第二射频信号，所述第二差分放大晶体管的集电极耦合至所述第一巴伦的第二输入端，所述第二差分放大晶体管的发射极接地；所述第三差分放大晶体管的基极接收输入的第三射频信号，所述第三差分放大晶体管的集电极耦合至所述第二巴伦的第一输入端，所述第三差分放大晶体管的发射极接地；所述第四差分放大晶体管的基极接收输入的第四射频信号，所述第四差分放大晶体管的集电极耦合至所述第二巴伦的第二输入端，所述第四差分放大晶体管的发射极接地。
[0011]进一步地，所述第一巴伦包括初级绕组和次级绕组，所述初级绕组包括第一初级线圈和第二初级线圈；所述次级绕组包括第一次级线圈和第二次级线圈；所述第一初级线圈和所述第一次级线圈耦合形成第一耦合线圈，所述第二初级线圈和所述第二次级线圈耦合形成第二耦合线圈；所述第一耦合线圈和所述第二耦合线圈远离设置。
[0012]一种射频前端模组，包括基板，设置在所述基板上的推挽功率放大芯片，设置在所述基板上的第一巴伦和第二巴伦，以及设置在所述基板上的调谐电路；所述推挽功率放大芯片包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第三差分放大晶体管和第四差分放大晶体管；所述第一差分放大晶体管被配置为接收第一射频信号，所述第一差分放大晶体管与所述推挽功率放大芯片的第一焊盘连接，所述第一焊盘引线键合至所述所述第一巴伦的第一输入端；所述第二差分放大晶体管被配置为接收第二射频信号，所述第二差分放大晶体管与所述推挽功率放大芯片的第二焊盘连接，所述第二焊盘引线键合至所述所述第一巴伦的第二输入端；所述第三差分放大晶体管被配置为接收第三射频信号，所述第三差分放大晶体管与所述推挽功率放大芯片的第三焊盘连接，所述第三焊盘引线键合至所述所述第二巴伦的第一输入端；所述第四差分放大晶体管被配置为接收第四射频信号，所述第四差分放大晶体管与所述推挽功率放大芯片的第四焊盘连接，所述第四焊盘引线键合至所述所述第二巴伦的第二输入端；所述第一巴伦的第一输出端输出射频输出信号，第二输出端与所述第二巴伦的第一输出端连接，所述第二巴伦的第二输出端与接地端连接；所述调谐电路的一端与所述第一巴伦的第二输出端和所述第二巴伦的第一输出端连接，另一端与接地端连接；所述调谐电路被配置为对所述射频输出信号中的共模信号进行调谐。
[0013]进一步地，所述调谐电路包括平面螺旋电感，或者，所述调谐电路包括SMD电感，或者，所述调谐电路包括SMD电阻。
[0014]上述推挽功率放大电路，包括包括第一推挽功率放大器、第二推挽功率放大器和调谐电路；所述第一推挽功率放大器包括第一巴伦，所述第二推挽功率放大器包括第二巴伦；所述第一巴伦的第一输出端输出射频输出信号，第二输出端与所述第二巴伦的第一输出端连接，所述第二巴伦的第二输出端与接地端连接；所述调谐电路的一端与所述第一巴伦的第二输出端和所述第二巴伦连接，另一端与接地端连接；所述调谐电路被配置为对所述射频输出信号中的共模信号进行调谐；本实施例通过将第一巴伦的第二输出端与所述第二巴伦的第一输出端连接，且在第一巴伦的第二输出端与所述第二巴伦的第一输出端之间接入一个到地的调谐电路，该调谐电路被配置为对射频输出信号中的共模信号进行调谐，即将频带内产生的谐振鼓峰点往频带外偏移，(优选地，将频带内产生的谐振鼓峰点往频带
外的低频带偏移)，或者对频带内产生的谐波鼓峰点进行抑制，实现对推挽功率放大电路所输出的射频输出信号中的共模信号进行有效抑制，从而大大降低推挽功率放大电路的总损耗。
附图说明
[0015]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0016]图1是本专利技术一实施例中推挽功率放大电路的一电路示意图；
[0017]图2是本专利技术一实施例中推挽功率放大电路本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种推挽功率放大电路，其特征在于，包括第一推挽功率放大器、第二推挽功率放大器和调谐电路；所述第一推挽功率放大器包括第一巴伦，所述第二推挽功率放大器包括第二巴伦；所述第一巴伦的第一输出端输出射频输出信号，第二输出端与所述第二巴伦的第一输出端连接，所述第二巴伦的第二输出端与接地端连接；所述调谐电路的一端与所述第一巴伦的第二输出端和所述第二巴伦的第一输出端连接，另一端与接地端连接，所述调谐电路被配置为对所述射频输出信号中的共模信号进行调谐。2.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述调谐电路包括第一电感。3.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述调谐电路包括第一电阻。4.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述调谐电路包括串联连接的第一电阻和第一电感，或者，包括并联连接的第一电阻和第一电感。5.如权利要求1所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一推挽功率放大器还包括第一差分放大晶体管和第二差分放大晶体管，所述第二推挽功率放大器包括第三差分放大晶体管和第四差分放大晶体管；所述第一差分放大晶体管被配置为接收第一射频信号，输出第一射频放大信号至所述第一巴伦的第一输入端；所述第二差分放大晶体管被配置为接收第二射频信号，输出第二射频放大信号至所述第一巴伦的第二输入端；所述第三差分放大晶体管被配置为接收第三射频信号，输出第三射频放大信号至所述第二巴伦的第一输入端；第四差分放大晶体管的第一端被配置为接收第四射频信号；输出第四射频放大信号至所述第二巴伦的第二输入端；所述第一差分放大晶体管设置在远离所述第二推挽功率放大器的一侧，所述第四差分放大晶体管设置在远离所述第一推挽功率放大器的一侧。6.如权利要求5所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一射频信号的相位与所述第三射频信号的相位相同；所述第二射频信号的相位与所述第四射频信号的相位相同。7.如权利要求5所述的推挽功率放大电路，其特征在于，所述第一差分放大晶体管为HBT管，包括基极、集电极和发射极，所述第一差分放大晶体管的基极接收输入的第一射频信号，所述第一差分放大晶体管的集电极耦合至所述第一巴伦的第一输入端，所述第一差分放大晶体管的发射极接地；所述第二差分放大晶体管为HBT管，包括基极、集电极和发射极，所述第二差分放大晶体管的基极接收输入的第二射频信号，所述第二差分放大晶体管的集电极耦合至所...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷传球，曹原，戎星桦，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：