显影组合物制造技术

本发明专利技术公开了一种显影组合物，包括以下原料组分：弱碱性化合物5～20g/L、络合剂1～30g/L、表面活性剂0.5～5g/L以及溶剂为水，其中所述络合剂为甲基甘氨酸二乙酸三钠、谷氨酸二乙酸四钠以及天冬氨酸二乙酸四钠中的至少一种。本发明专利技术的显影组合物不仅能够起到显影的作用，还能够避免长期生产过程中产生难溶污垢沉积于显影槽体或附于PCB板面，避免污垢对产品良率的影响。本发明专利技术的显影组合物可以在显影的过程中同时减少难溶污垢的产生，或在显影的过程中同时溶解已存在的污垢，从而避免了每隔一段时期就对显影槽进行清洗，导致的生产效率的降低。低。

【技术实现步骤摘要】
显影组合物


[0001]本专利技术是关于显影剂领域，特别是关于一种显影组合物。

技术介绍

[0002]在电子制造行业中，如PCB制造，半导体封装，通常都需要用到光阻剂如干膜，湿膜，阻焊剂或光刻胶，光阻经过光照后采用显影剂进行显影，形成所需要的图形，显影工序的质量对于图形的形成起着关键的作用。在现在工业制造中，显影剂通常采用0.8
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1.2％的碳酸钠溶液进行干膜/湿膜的显影，长期的生产会导致显影槽中积累大量的难溶性物质，这些难溶物的形成，对密集线路的制造是不利的。随着印刷线路板集成度的提高，线路设计越来越精密，线宽和线隙越来越小，这些难溶物的形成容易形成的线路中间，将对密集线路显影形成不良影响，导致生产良率的下降。另外，槽体中沉积的污垢也需要定期清理，目前工业制造常用做法为每隔一定周期，将显影槽内的显影剂排除，然后使用碱性或酸性清槽剂进行清洁，在清洁过程中，显影槽无法工作，影响了生产效率。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种显影组合物，其能够减少长期生产过程中产生难溶污垢，避免垢化物沉积于显影槽体或附于PCB板面，避免污垢对产品良率的影响，大幅延长槽体的清洗周期，减少显影槽维护次数。
[0004]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种显影组合物，包括以下原料组分：弱碱性化合物5～20g/L、络合剂1～30g/L、表面活性剂0.5～5g/L以及溶剂为水，其中所述络合剂为甲基甘氨酸二乙酸三钠、谷氨酸二乙酸四钠以及天冬氨酸二乙酸四钠中的至少一种。
[0005]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述弱碱性化合物的浓度为8～12g/L，络合剂的浓度为3～15g/L，所述表面活性剂的浓度为1～2g/L以及溶剂为水。
[0006]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述弱碱性化合物为无机弱碱性化合物；或，
[0007]所述弱碱性化合物包括无机弱碱性化合物和有机弱碱性化合物。
[0008]在本专利技术的一个或多个实施方式中，无机弱碱性化合物包括碱金属碳酸盐，所述碱金属碳酸盐包括碳酸钠、碳酸钾。
[0009]在本专利技术的一个或多个实施方式中，有机弱碱性化合物为单乙醇胺，二乙醇胺，异丙醇胺，三乙醇胺，二乙烯三胺，四乙烯五胺中的至少一种。
[0010]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述表面活性剂包括非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂中的至少一种。
[0011]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述非离子表面活性剂包括醇烷氧基化物、烷基多糖、氧化胺、环氧乙烷
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环氧丙烷共聚物或非离子聚醚聚合物中的至少一种。
[0012]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述非离子表面活性剂包括聚乙二醇、聚丙二醇、聚环氧乙烷以及聚氧亚烷基二醇中的至少一种。
[0013]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述阴离子表面活性剂包括烷基磺酸盐、烷基芳基磺酸盐、烷基硫酸盐、烷基烷氧基硫酸盐、烷基直链二苯基氧化物二磺酸盐、烷基支链二苯基氧化物二磺酸盐、烷氧基直链二苯基氧化物二磺酸盐以及烷氧基支链二苯基氧化物二磺酸盐中的至少一种。
[0014]在本专利技术的一个或多个实施方式中，所述阴离子表面活性剂包括十二烷基硫酸钠、十二烷基磺酸钠、十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠以及十二烷基二苯醚二磺酸钠中的至少一种。
[0015]与现有技术相比，根据本专利技术实施方式的显影组合物，通过在显影组合物中添加络合剂，络合剂可以有效络合钙离子，从而减少难溶污垢的产生，还可以使显影槽中已经生成的污垢溶解，从而避免污垢对密集线路显影形成不良影响，导致生产良率的下降的情况。特别而言，本专利技术的显影组合物可以在显影的过程中同时减少难容污垢的产生，或在显影的过程中同时溶解已存在的污垢，从而避免了每隔一段时期就对显影槽进行清洗，导致的生产效率的降低。另外络合剂为甲基甘氨酸二乙酸三钠、谷氨酸二乙酸四钠以及天冬氨酸二乙酸四钠中的至少一种，上述的络合剂为绿色无磷可降解螯合剂，从而可以避免显影组合物污染环境。
具体实施方式
[0016]下面对本专利技术的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本专利技术的保护范围并不受具体实施方式的限制。
[0017]根据本专利技术优选实施方式的显影组合物，包括以下原料组分：弱碱性化合物5～20g/L、络合剂1～30g/L、表面活性剂0.5～5g/L以及溶剂为水，其中络合剂为甲基甘氨酸二乙酸三钠、谷氨酸二乙酸四钠以及天冬氨酸二乙酸四钠中的至少一种。
[0018]需要说明的是，弱碱性化合物可与未固化的光阻有机物的羧基反应，为是显影组合物主要成分，是起到显影的作用。显影剂溶液中的络合剂的浓度为1～30g/L，浓度过低不能达到效果，浓度过高是浪费的。表面活性剂的使用可以降低显影剂表面张力，避免难溶物附于产品表面，可提高显影良率。通常来说，显影过程中的污垢一般为碳酸盐类沉淀(例如碳酸镁和碳酸钙)与有机物长期积累形成的混合污垢，，络合剂的加入起到的作用就是络合钙，镁等离子，从而起到减少难溶污垢的产生，或溶解已存在的难溶污垢。
[0019]优选的，弱碱性化合物的浓度为8～12g/L，络合剂的浓度为3～15g/L，表面活性剂的浓度为1～2g/L，溶剂为水。
[0020]一具体实施方式中，弱碱性化合物为无机弱碱性化合物；或弱碱性化合物包括无机弱碱性化合物和有机弱碱性化合物。
[0021]其中，有机弱碱性化合物的浓度不超过2g/L。有机弱碱性化合物既起到配合无机弱碱性化合物对光阻(例如PCB电路板)进行显影的作用，同时还起到溶解有机难溶污垢或减少有机难溶污垢产生的作用。如果有机弱碱性化合物的浓度大于2g/L时，会容易造成显影过度的问题。
[0022]具体的，无机弱碱性化合物包括碱金属碳酸盐，碱金属碳酸盐包括碳酸钠、碳酸钾。
[0023]具体的，有机弱碱性化合物为单乙醇胺，二乙醇胺，异丙醇胺，三乙醇胺，二乙烯三
胺，四乙烯五胺中的至少一种。
[0024]一具体实施方式中，表面活性剂包括非离子表面活性剂和阴离子表面活性剂中的至少一种。
[0025]优选的，非离子表面活性剂包括醇烷氧基化物、烷基多糖、氧化胺、环氧乙烷
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环氧丙烷共聚物或非离子聚醚聚合物中的至少一种。
[0026]具体的，非离子表面活性剂包括聚乙二醇、聚丙二醇、聚环氧乙烷以及聚氧亚烷基二醇中的至少一种。
[0027]优选的，阴离子表面活性剂包括烷基磺酸盐、烷基芳基磺酸盐、烷基硫酸盐、烷基烷氧基硫酸盐、烷基直链二苯基氧化物二磺酸盐、烷基支链二苯基氧化物二磺酸盐、烷氧基直链二苯基氧化物二磺酸盐以及烷氧基支链二苯基氧化物二磺酸盐中的至少一种。
[0028]具体的，阴离子表面活性剂包括十二烷基硫酸钠、十二烷基磺酸钠、十二烷基醇聚氧乙烯醚硫酸钠以及十二烷基二苯醚二磺酸钠中的至少一种。
[0029]下面将结合具体的实施例详细介绍本申请的显影组合物。
[0030]实施例1
[0031]称取碳酸钠、谷氨酸二乙酸四本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显影组合物，其特征在于，包括以下原料组分：弱碱性化合物5～20g/L、络合剂1～30g/L、表面活性剂0.5～5g/L以及溶剂为水，其中所述络合剂为甲基甘氨酸二乙酸三钠、谷氨酸二乙酸四钠以及天冬氨酸二乙酸四钠中的至少一种。2.如权利要求1所述的显影组合物，其特征在于，所述弱碱性化合物的浓度为8～12g/L，所述络合剂的浓度为3～15g/L，所述表面活性剂的浓度为1～2g/L以及溶剂为水。3.如权利要求1所述的显影组合物，其特征在于，所述弱碱性化合物为无机弱碱性化合物；或，所述弱碱性化合物包括无机弱碱性化合物和有机弱碱性化合物。4.如权利要求3所述的显影组合物，其特征在于，无机弱碱性化合物包括碱金属碳酸盐，所述碱金属碳酸盐包括碳酸钠、碳酸钾。5.如权利要求3所述的显影组合物，其特征在于，有机弱碱性化合物为单乙醇胺，二乙醇胺，异丙醇胺，三乙醇胺，二乙烯三胺，四乙烯五胺中的至少一种。6.如权利要求1所述的显影组合物，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：周家珠，刘安，张兵，向文胜，赵建龙，
申请(专利权)人：江苏艾森半导体材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：