高亮度的发光二极管及其制备方法技术

本公开提供了一种高亮度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括发光结构和第一电极，所述第一电极位于所述发光结构的表面上；所述第一电极包括焊盘和扩展条，所述扩展条的一端与所述焊盘相连，所述扩展条包括多个纳米导电线和多个导电块，所述多个导电块间隔布置，相邻所述导电块通过所述纳米导电线相连。相邻导电块通过纳米导电线相连，使得扩展条仍然具有原本的导电作用，同时又由于纳米导电线直径小，基本不会对光线造成阻挡，因此能够进一步提高发光二极管的亮度。的亮度。的亮度。

【技术实现步骤摘要】
高亮度的发光二极管及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种高亮度的发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于显示设备中。
[0003]发光二极管通常包括发光结构和电极，电极设置在发光结构的表面。电极通常采用金属材料制成，会对发光结构发出的光线产生一定的阻挡，不利于提升发光二极管的亮度。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供了一种高亮度的发光二极管及其制备方法，能够进一步提高发光二极管的亮度。所述技术方案如下：
[0005]一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括发光结构和第一电极，所述第一电极位于所述发光结构的表面上；
[0006]所述第一电极包括焊盘和扩展条，所述扩展条的一端与所述焊盘相连，所述扩展条包括多个纳米导电线和多个导电块，所述多个导电块间隔布置，相邻所述导电块通过所述纳米导电线相连。
[0007]可选地，每个所述纳米导电线均与所述多个导电块相连；或者，所述纳米导电线位于相邻的所述导电块之间，且两端与相邻的所述导电块相连。
[0008]可选地，所述纳米导电线包括内层导电线、第一导电包覆层和第二导电包覆层，所述第一导电包覆层包覆在所述内层导电线外，所述第二导电包覆层包覆在所述第一导电包覆层外。
[0009]可选地，所述内层导电线的材质为铜，所述第一导电包覆层的材质为铜金合金，所述第二导电包覆层的材质为金。
[0010]可选地，所述内层导电线的直径为0.1μm～0.3μm，所述第一导电包覆层的厚度为0.01μm～0.03μm，所述第二导电包覆层的厚度为0.01μm～0.03μm。
[0011]可选地，所述导电块包括依次层叠的铬层、钛层、第一金层和第二金层。
[0012]可选地，所述纳米导电线位于所述第一金层和所述第二金层之间。
[0013]可选地，所述第一金层远离所述钛层的表面具有多个条形槽，所述纳米导电线位于所述多个条形槽中。
[0014]可选地，所述发光结构包括外延层和透明导电层，所述透明导电层位于所述外延层的表面，所述第一电极位于所述透明导电层上，且所述焊盘通过过孔与所述外延层电性接触；
[0015]所述透明导电层与所述焊盘相接触的环状区域内，包括以下至少一种：
[0016]多个激光退火区；
[0017]多个高锡组分区，所述高锡组分区内的锡组分高于所述高锡组分区外的锡组分；
[0018]多个晶向差异区，所述晶向差异区内的晶向与所述晶向差异区外的晶向不同。
[0019]另一方面，本公开实施例还提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：
[0020]提供一发光结构；
[0021]在所述发光结构的表面形成第一电极，所述第一电极包括焊盘和扩展条，所述扩展条的一端与所述焊盘相连，所述扩展条包括多个纳米导电线和多个导电块，所述多个导电块间隔布置，相邻所述导电块通过所述纳米导电线相连。
[0022]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0023]通过将第一电极的扩展条设置成包括多个纳米导电线和多个导电块的结构，其中，多个导电块间隔布置，相邻导电块通过纳米导电线相连，使得扩展条仍然具有原本的导电作用，同时又由于纳米导电线直径小，基本不会对光线造成阻挡，因此能够进一步提高发光二极管的亮度。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是相关技术中的一种发光二极管的结构示意图；
[0026]图2是本公开实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；
[0027]图3是本公开实施例提供的一种纳米导电线的截面示意图；
[0028]图4是本公开实施例提供的一种导电块与纳米导电线的连接示意图；
[0029]图5是本公开实施例提供的一种导电块与纳米导电线的连接示意图；
[0030]图6是本公开实施例提供的一种发光二极管的截面图；
[0031]图7是本公开实施例提供的一种透明导电层的结构示意图；
[0032]图8是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程图；
[0033]图9是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备方法的流程图；
[0034]图10是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图；
[0035]图11是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图；
[0036]图12是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图；
[0037]图13是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图；
[0038]图14是本公开实施例提供的一种发光二极管的制备过程示意图。
具体实施方式
[0039]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
[0040]图1是相关技术中的一种发光二极管的结构示意图。如图1所示，该发光二极管包括发光结构30和位于发光结构30上的第一电极10和第二电极20，第一电极10和第二电极20均与发光结构30相连。
[0041]其中第一电极10包括焊盘11和扩展条12，扩展条12的一端与焊盘11相连，另一端向远离焊盘11的方向延伸。第一电极10通常位于发光结构30的发光区域中，会对发光结构30发出的光线造成一定的阻挡，从而影响发光二极管的亮度。
[0042]图2是本公开实施例提供的一种发光二极管的结构示意图。如图2所示，该发光二极管包括发光结构30和第一电极10。第一电极10位于发光结构30的表面上。其中，第一电极10的扩展条12包括多个纳米导电线122和多个导电块121，多个导电块121间隔布置，相邻导电块121通过纳米导电线122相连。
[0043]通过将第一电极10的扩展条12设置成包括多个纳米导电线122和多个导电块121的结构，其中，多个导电块121间隔布置，相邻导电块121通过纳米导电线122相连，使得扩展条12仍然具有原本的导电作用，同时又由于纳米导电线122直径小，使得图2中的扩展条12相比于图1中的扩展条12，对光线造成的阻挡更小，因此能够进一步提高发光二极管的亮度。
[0044]在一些示例中，每个纳米导电线122均与多个导电块121相连。
[0045]即纳米导电线122沿扩展条12的长度方向布置，依次连接多个导电块121，这样在布置纳米导电线122时更加方便。
[0046]作为一种示例，纳米导电线122可以位于导电块12本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括发光结构(30)和第一电极(10)，所述第一电极(10)位于所述发光结构(30)的表面上；所述第一电极(10)包括焊盘(11)和扩展条(12)，所述扩展条(12)的一端与所述焊盘(11)相连，所述扩展条(12)包括多个纳米导电线(122)和多个导电块(121)，所述多个导电块(121)间隔布置，相邻所述导电块(121)通过所述纳米导电线(122)相连。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述纳米导电线(122)位于相邻的所述导电块(121)之间，且两端与相邻的所述导电块(121)相连；或者每个所述纳米导电线(122)均与所述多个导电块(121)相连。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述纳米导电线(122)包括内层导电线(1221)、第一导电包覆层(1222)和第二导电包覆层(1223)，所述第一导电包覆层(1222)包覆在所述内层导电线(1221)外，所述第二导电包覆层(1223)包覆在所述第一导电包覆层(1222)外。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述内层导电线(1221)的材质为铜，所述第一导电包覆层(1222)的材质为铜金合金，所述第二导电包覆层(1223)的材质为金。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述内层导电线(1221)的直径为0.1μm～0.3μm，所述第一导电包覆层(1222)的厚度为0.01μm～0.03μm，所述第二导电包覆层(1223)的厚度为0.01μm～0.03μm。6.根据权利要求1～5任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述导电块(121)包括依次层叠的铬层(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，王江波，吴志浩，张威，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：