本发明专利技术涉及调光膜技术领域,具体涉及一种PDLC调光膜及其制备工艺,包括导电膜和聚合物分散液晶层,所述聚合物分散液晶层贴合在两侧所述导电膜之间。利用了磁控溅射技术制备出了GZO/Ag/GZO导电膜电极材料,取代了传统的ITO薄膜,制备出的调光膜电性能优良,满足市场需求,降低了生产成本。降低了生产成本。降低了生产成本。
【技术实现步骤摘要】
一种PDLC调光膜及其制备工艺
[0001]本专利技术涉及调光膜
,具体涉及一种PDLC调光膜及其制备工艺。
技术介绍
[0002]聚合物分散液晶(PDLC,Polymer dispersed liquid crystal)是指微米级的液晶 (LC)微滴均匀地分散在聚合物基体中形成的材料,近几十年一直都是科研工 作者的研究热点。聚合物分散液晶具有制备工艺简单、响应时间短、速度快、 无需偏振器件等优点,已被逐渐应用于光阀、光栅、透光投影屏幕、调光玻璃 等诸多电子元件中。调光玻璃也称作电子窗帘,其工作原理为:当关闭调光玻 璃的电源时,调光玻璃中的液晶分子呈现不规则的散布状态,此时光线被散射, 调光玻璃呈不透光状态;当开启调光玻璃的电源后,调光玻璃中的液晶分子呈 现整齐的排列状态,此时光线可以自由穿透,调光玻璃呈透光状态。由于调光 玻璃具备这一调光特性,因此其已被写字楼、医疗机构、商业展示等高档场所 广泛采用。
[0003]现有技术中以ITO导电膜为电极材料,其各项性能优异,但ITO薄膜的耐 曲挠性差,其原材料储量非常稀少且分散,开采和回收都非常困难。
技术实现思路
[0004]本申请中为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种PDLC调光膜及其制 备工艺。
[0005]本专利技术提供了如下的技术方案:一种PDLC调光膜,包括导电膜和聚合物 分散液晶层,所述聚合物分散液晶层贴合在两个所述导电膜之间。
[0006]一种调光膜的制备工艺,包括如下步骤:
[0007]S1.聚合物分散液晶浆料的制备:将PUA、LMA、LC、TPO、光稳定剂以及SiO2原料混合并搅拌均匀:
[0008]S2.导电膜制备:利用真空多功能磁控溅射镀膜仪制备出GZO/Ag/GZO导电膜, 其中,采用的是射频电源溅射金属Ag靶和采用脉冲电源溅射GZO靶;
[0009]S3.调光膜的制备:将成卷的导电膜分别上至两个发料辊,通过相应的传输介辊, 被动的送入缓慢转动的压印辊中,同时液晶管住系统开启,将聚合物分散液晶 浆料输入至两个导电膜之间,再通过压印辊压合,压合之后的调光膜经紫外光 进行固化。
[0010]优选的,其中,紫外光光照时间1至5min,PUA:LMA的质量比为1:1至 2.3:1。
[0011]优选的,其中,真空多功能磁控溅射镀膜仪的溅射功率为20至80W。
[0012]优选的,其中,搅拌时的搅拌温度均为20~40℃,搅拌时间均为30~35min。
[0013]优选的,其中,SiO2粉末的粒径为10至20微米。
[0014]优选的,其中,光稳定剂由两种或两种以上的对紫外线具有不同的吸收波 段的光稳定物质复配形成。
[0015]优选的,所述光稳定物质为二苯甲酮类光稳定物质、苯并三唑类光稳定物 质或受阻胺类光稳定物质。
[0016]本专利技术涉及一种PDLC调光膜及其制备工艺,其有益效果在于:利用了磁 控溅射技术制备出了GZO/Ag/GZO导电膜电极材料,取代了传统的ITO薄膜, 制备出的调光膜电性能优良,满足市场需求,降低了生产成本。
附图说明
[0017]附图用来提供对本专利技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发 明的实施例一起用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的限制。在附图中:
[0018]图1是PDLC调光膜的结构示意图;
[0019]图2是合模机的结构示意图;
具体实施方式
[0020]以下结合实施例和附图对本专利技术的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述,以充分理解本专利技术的目的、方案和效果。需要说明的是,在不冲突的情况下本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0021]需要说 明的是,如无特殊说明,当某一特征被称为“固定”、“连接”在另一个特征,它可以直接固定、连接在另一个特征上,也可以间接地固定、连接在另一个特征上。此外,本专利技术中所使用的上、下、左、右等描述仅仅是相对于附图中本专利技术各组成部分的相互位置关系来说的。
[0022]实施例一
[0023]一种调光膜的制备工艺,包括如下步骤:S1.聚合物分散液晶浆料的制备: 将PUA、LMA、LC、TPO、二苯甲酮类光稳定物质以及SiO2原料混合并搅拌 均匀,搅拌温度依次为20℃、25℃、30℃、35℃、40℃,搅拌时间相应的设置 为35min、30min、25min、20min、20min,PUA:LMA的质量比为1:1;S2.导 电膜制备:利用真空多功能磁控溅射镀膜仪制备出GZO/Ag/GZO导电膜,其中, 采用的是射频电源溅射金属Ag靶和采用脉冲电源溅射GZO靶,溅射功率控制 在20W;S3.调光膜的制备:将成卷的导电膜分别上至两个发料辊,通过相应的 传输介辊,被动的送入缓慢转动的压印辊中,同时液晶管住系统开启,将聚合 物分散液晶浆料输入至两个导电膜之间,再通过压印辊压合,压合之后的调光 膜经紫外光进行固化。
[0024]表1不同的搅拌温度/搅拌时间对应的调光膜的电性能
[0025][0026]实施例二
[0027]一种调光膜的制备工艺,包括如下步骤:S1.聚合物分散液晶浆料的制备: 将PUA、LMA、LC、TPO、二苯甲酮类光稳定物质以及SiO2原料混合并搅拌 均匀,搅拌温度为30℃,搅拌时间相应的设置为25min,PUA:LMA的质量比 为1:1、1.5:1、2.0:1、2.3:1;S2.导电膜制备:利用真空多功能磁控溅射镀膜仪 制备出GZO/Ag/GZO导电膜,其中,采用的是射频电源溅射金属Ag靶和采用 脉冲电源溅射GZO靶,溅射功率控制在20W;S3.调光膜的制备:将成卷的导 电膜分别上至两个发料辊,通过相应的传输介辊,被动的送入缓慢转动的压印 辊中,同时液晶管住系统开启,将聚合物分散液晶浆料输入至两个导电膜之间, 再通过压印辊压合,压合之后的调光膜经紫外光进行固化。
[0028]表2 PUA:LMA的质量比对调光膜的电性能的影响
[0029][0030]实施例三
[0031]一种调光膜的制备工艺,包括如下步骤:S1.聚合物分散液晶浆料的制备: 将PUA、LMA、LC、TPO、二苯甲酮类光稳定物质以及SiO2原料混合并搅拌 均匀,搅拌温度为30℃,搅拌时间相应的设置为25min,PUA:LMA的质量比 为2.0:1;S2.导电膜制备:利用真空多功能磁控溅射镀膜仪制备出GZO/Ag/GZO 导电膜,其中,采用的是射频电源溅射金属Ag靶和采用脉冲电源溅射GZO靶, 溅射功率控制在20W、30W、40W、50W、60W、70W、80W;S3.调光膜的制 备:将成卷的导电膜分别上至两个发料辊,通过相应的传输介辊,被动的送入 缓慢转动的压印辊中,同时液晶管住系统开启,将聚合物分散液晶浆料输入至 两个导电膜之间,再通过压印辊压合,压合之后的调光膜经紫外光进行固化。
[0032]表3溅射功率对调光膜的电性能的影响
[0033][0034]实施例四
[003本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种PDLC调光膜,其特征在于,包括导电膜和聚合物分散液晶层,所述聚合物分散液晶层贴合在两个所述导电膜之间。2.基于权利要求1所述的调光膜的制备工艺,其特征在于,包括如下步骤:S1.聚合物分散液晶浆料的制备:将PUA、LMA、LC、TPO、光稳定剂以及SiO2原料混合并搅拌均匀:S2.导电膜制备:利用真空多功能磁控溅射镀膜仪制备出GZO/Ag/GZO导电膜,其中,采用的是射频电源溅射金属Ag靶和采用脉冲电源溅射GZO靶;S3.调光膜的制备:将成卷的导电膜分别上至两个发料辊,通过相应的传输介辊,被动的送入缓慢转动的压印辊中,同时液晶管住系统开启,将聚合物分散液晶浆料输入至两个导电膜之间,再通过压印辊压合,压合之后的调光膜经紫外光进行固化。3.根据权利要求2所述的调光膜的制备工艺,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘延宁,陈珂珩,
申请(专利权)人:苏州瑞纳新材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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