推挽式射频功率放大电路及推挽式射频功率放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种推挽式射频功率放大电路，将第一LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且位于初级线圈的第一端和初级线圈的中点之间，第二端接地；以及将第二LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且位于初级线圈的第二端和初级线圈的中点之间，第二端接地；从而达到提高推挽式射频功率放大电路的功率回退效率和饱和功率的目的，进而实现提高推挽式射频功率放大电路的线性度。挽式射频功率放大电路的线性度。挽式射频功率放大电路的线性度。

【技术实现步骤摘要】
推挽式射频功率放大电路及推挽式射频功率放大器


[0001]本专利技术涉及射频
，尤其涉及一种推挽式射频功率放大电路、推挽式射频功率放大器及射频前端模组。

技术介绍

[0002]移动通信技术已经演进至第五代，5G NR(5th
‑
Generation New Radio)作为基于正交频分复用(Orthogonal Frequency Division Multiplexing，OFDM)的全新空口设计的全球性5G标准，也是下一代非常重要的蜂窝移动技术基础。由于电磁波在空气中的传输衰减随频率增大而明显增高，所以一方面通信设备需要提供更大的发射功率以保证信号传输距离，另一方面，更高的数据传输速率要求更大的信号带宽、更复杂的调制方式，这些都对射频功率放大器提出了越来越高的技术要求，包括在高频段提供更高的线性度等等。因此，实现功率放大器的高线性度是一个重要且有价值的工程问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种推挽式射频功率放大电路、推挽式射频功率放大器及射频前端模组，解决推挽式射频功率放大电路的线性度较低问题。
[0004]一种推挽式射频功率放大电路，包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第一LC谐振电路和第二LC谐振电路；
[0005]所述第一差分放大晶体管的输出端耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第二差分放大晶体管耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第二端；
[0006]所述第一LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且位于所述初级线圈的第一端和所述初级线圈的中点之间，第二端接地；
[0007]所述第二LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且位于所述初级线圈的第二端和所述初级线圈的中点之间，第二端接地。
[0008]进一步地，还包括第一电感和第二电感；
[0009]所述第一电感串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间；
[0010]所述第二电感串联在所述第二差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第二端之间。
[0011]进一步地，所述第一LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且连接在靠近所述初级线圈的第一端的位置，所述第二LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且连接在靠近所述初级线圈的第二端的位置。
[0012]进一步地，所述第一LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且连接在靠近所述初级线圈中点的位置，所述第二LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且连接在靠近所述初级线圈中点的位置。
[0013]进一步地，所述第一LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且位于所述初
级线圈上的第一位置点，与所述第二LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且位于所述初级线圈上的第二位置点，所述第一位置点和所述第二位置点以一虚拟直线为对称轴呈对称分布，其中，所述虚拟直线穿过所述初级线圈的中点且垂直平分所述第一位置点和所述第二位置点之间的虚拟连接线段。
[0014]进一步地，所述第一LC谐振电路的第一端连接至所述初级线圈的中点上，所述第二LC谐振电路的第一端连接至所述初级线圈的中点上。
[0015]进一步地，所述第一巴伦的初级线圈包括串联连接的第一初级线圈段和第二初级线圈段，所述第一LC谐振电路的第一端连接至所述第一初级线圈段上，所述第二LC谐振电路的第一端连接至所述第二初级线圈段上。
[0016]进一步地，还包括第一电容，所述第一电容串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第二差分放大晶体管的输出端之间。
[0017]进一步地，还包括第二电容，所述第二电容的一端连接至所述第一初级线圈段和所述第二初级线圈段之间，另一端接地。
[0018]进一步地，所述第一LC谐振电路和所述第二LC谐振电路被配置为谐振在二阶谐波频率点。
[0019]进一步地，所述第一差分放大晶体管为BJT管，包括基极、集电极和发射极，所述第一差分放大晶体管的基极接收输入的第一射频输入信号，所述第一差分放大晶体管的集电极耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第一差分放大晶体管的发射极接地；
[0020]所述第二差分放大晶体管为BJT管，包括基极、集电极和发射极，所述第二差分放大晶体管的基极接收输入的第二射频输入信号，所述第二差分放大晶体管的集电极耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第二端，所述第二差分放大晶体管的发射极接地。
[0021]进一步地，所述第一巴伦的次级线圈的第一端输出放大的第一射频输出信号，次级线圈的第二端输出放大的第二射频输出信号；或者，所述第一巴伦的次级线圈的第一端输出放大的射频输出信号，次级线圈的第二端接地。
[0022]本申请还提供一种推挽式射频功率放大器，包括：基板、设置在基板上的第一巴伦，设置在基板上的推挽功率放大器芯片，所述推挽功率放大器芯片包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管，所述第一差分放大晶体管的输出端连接至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第二差分放大晶体管输出端连接至所述第一巴伦的初级线圈的第二端；
[0023]第一LC谐振电路，所述第一LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且位于所述初级线圈的第一端和所述初级线圈的中点之间，第二端接地；
[0024]第二LC谐振电路，所述第二LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且位于所述所述初级线圈的第二端和所述初级线圈的中点之间，第二端接地。
[0025]进一步地，还包括设置在所述初级线圈的第一端和所述初级线圈的中点之间的第五焊盘，和设置在所述初级线圈的第二端和所述初级线圈的中点之间的第六焊盘；所述第一LC谐振电路的第一端与所述第五焊盘连接，第二端接地，所述第二LC谐振电路的第一端与所述第六焊盘连接，第二端接地。
[0026]进一步地，所述第一差分放大晶体管的输出端连接至所述推挽功率放大器芯片的第一焊盘，所述第一焊盘通过引线键合至所述第一巴伦的初级线圈的第一端；所述第二差
分放大晶体管输出端连接至所述推挽功率放大器芯片的第二焊盘，所述第二焊盘通过引线键合至所述第一巴伦的初级线圈的第二端。
[0027]进一步地，还包括第一电感和第二电感，所述第一差分放大晶体管的输出端通过所述第一电感连接至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第二差分放大晶体管输出端通过所述第二电感连接至所述第一巴伦的初级线圈的第二端。
[0028]本申请还提供一种推挽式射频功率放大器，包括：基板、设置在基板上的第一巴伦；设置在基板上的推挽功率放大器芯片，所述推挽功率放大器芯片包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第三电容和第四电容，
[0029]所述第一差分放大晶体管的输出端连接至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第二差分放大晶体管输出端连接至所述第一巴伦的初级线圈的第二端；
[0030]所述第三电容的第一端连接至所述推挽功率放大器芯片的第三焊盘，所述第三电容的第二端接地，所述第三焊盘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种推挽式射频功率放大电路，其特征在于，包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管、第一巴伦、第一LC谐振电路和第二LC谐振电路；所述第一差分放大晶体管的输出端耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第二差分放大晶体管耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第二端；所述第一LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且位于所述初级线圈的第一端和所述初级线圈的中点之间，第二端接地；所述第二LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且位于所述初级线圈的第二端和所述初级线圈的中点之间，第二端接地。2.如权利要求1所述的推挽式射频功率放大电路，其特征在于，还包括第一电感和第二电感；所述第一电感串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第一端之间；所述第二电感串联在所述第二差分放大晶体管的输出端和所述第一巴伦的初级线圈的第二端之间。3.如权利要求1所述的推挽式射频功率放大电路，其特征在于，所述第一LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且连接在靠近所述初级线圈的第一端的位置，所述第二LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且连接在靠近所述初级线圈的第二端的位置。4.如权利要求1所述的推挽式射频功率放大电路，其特征在于，所述第一LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且连接在靠近所述初级线圈中点的位置，所述第二LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且连接在靠近所述初级线圈中点的位置。5.如权利要求1所述的推挽式射频功率放大电路，其特征在于，所述第一LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且位于所述初级线圈上的第一位置点，与所述第二LC谐振电路的第一端连接在所述初级线圈上，且位于所述初级线圈上的第二位置点，所述第一位置点和所述第二位置点以一虚拟直线为对称轴呈对称分布，其中，所述虚拟直线穿过所述初级线圈的中点且垂直平分所述第一位置点和所述第二位置点之间的虚拟连接线段。6.如权利要求1所述的推挽式射频功率放大电路，其特征在于，所述第一巴伦的初级线圈包括串联连接的第一初级线圈段和第二初级线圈段，所述第一LC谐振电路的第一端连接至所述第一初级线圈段上，所述第二LC谐振电路的第一端连接至所述第二初级线圈段上。7.如权利要求1所述的推挽式射频功率放大电路，其特征在于，还包括第一电容，所述第一电容串联在所述第一差分放大晶体管的输出端和所述第二差分放大晶体管的输出端之间。8.如权利要求7所述的推挽式射频功率放大电路，其特征在于，还包括第二电容，所述第二电容的一端连接至所述第一初级线圈段和所述第二初级线圈段之间，另一端接地。9.如权利要求1所述的推挽式射频功率放大电路，其特征在于，所述第一LC谐振电路和所述第二LC谐振电路被配置为谐振在二阶谐波频率点。10.如权利要求1所述的推挽式射频功率放大电路，其特征在于，所述第一差分放大晶体管为BJT管，包括基极、集电极和发射极，所述第一差分放大晶体管的基极接收输入的第一射频输入信号，所述第一差分放大晶体管的集电极耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第一差分放大晶体管的发射极接地；
所述第二差分放大晶体管为BJT管，包括基极、集电极和发射极，所述第二差分放大晶体管的基极接收输入的第二射频输入信号，所述第二差分放大晶体管的集电极耦合至所述第一巴伦的初级线圈的第二端，所述第二差分放大晶体管的发射极接地。11.如权利要求1所述的推挽式射频功率放大电路，其特征在于，所述第一巴伦的次级线圈的第一端输出放大的第一射频输出信号，次级线圈的第二端输出放大的第二射频输出信号；或者，所述第一巴伦的次级线圈的第一端输出放大的射频输出信号，次级线圈的第二端接地。12.一种推挽式射频功率放大器，其特征在于，包括：基板、设置在基板上的第一巴伦，设置在基板上的推挽功率放大器芯片，所述推挽功率放大器芯片包括第一差分放大晶体管、第二差分放大晶体管，所述第一差分放大晶体管的输出端连接至所述第一巴伦的初级线圈的第一端，所述第二差分放大晶体管输出端连接至所述第一巴伦的初级线圈的第二端；第一LC...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄水根，吕彬彬，石宪青，闵鸣，张文达，李想，曹原，倪建兴，
申请(专利权)人：锐磐微电子科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：