基板处理方法以及基板处理装置制造方法及图纸

一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内准备具有含硅膜的基板的工序；和将包含选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体及C3H2F6气体中的至少1种气体、HF气体以及卤化磷气体的处理气体导入至腔室内生成等离子体，对基板的含硅膜进行蚀刻的工序。行蚀刻的工序。行蚀刻的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法以及基板处理装置


[0001]本公开的示例性实施方式涉及基板处理方法以及基板处理装置。

技术介绍

[0002]例如专利文献1中公开了对氧化硅膜进行蚀刻的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
‑
122774号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本公开提供使蚀刻速率提高的技术。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]本公开的一个示例性实施方式提供一种基板处理方法，其包含以下工序：
[0010]在腔室内准备具有含硅膜的基板的工序；和
[0011]将包含选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体及C3H2F6气体中的至少1种气体、HF气体以及卤化磷气体的处理气体导入至上述腔室内生成等离子体，对上述基板的含硅膜进行蚀刻的工序。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本公开的一个示例性实施方式，可以提供使蚀刻速率提高的技术。
附图说明
[0014]图1为示意地表示基板处理装置1的图。
[0015]图2为表示高频电HF以及电偏压之一例的时序图。
[0016]图3为示意地表示基板处理系统PS的图。
[0017]图4为表示基板W的截面结构之一例的图。
[0018]图5为表示本处理方法的流程图。
[0019]图6为表示蚀刻后的掩模膜MK的形状之一例的图。
[0020]图7为表示步骤ST22中的基板W的截面结构之一例的图。
[0021]图8为表示实验1的测定结果的图。
[0022]图9为表示实验2的测定结果的图。
[0023]图10为表示实验2的测定结果的图。
[0024]图11为表示实验3的测定结果的图。
[0025]图12为表示实验3的测定结果的图。
[0026]图13为用于说明凹部RC的截面形状的评价方法之一例的图。
[0027]图14为表示实验4的测定结果的图。
[0028]图15为表示实验4的测定结果的图。
具体实施方式
[0029]以下，对本公开的各实施方式进行说明。
[0030]一个示例性实施方式提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内准备具有含硅膜的基板的工序；和将包含选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体及C3H2F6气体中的至少1种气体、HF气体以及卤化磷气体的处理气体导入至腔室内生成等离子体，对基板的含硅膜进行蚀刻的工序。
[0031]一个示例性实施方式中，卤化磷气体包含选自PF3气体、PF5气体、POF3气体、HPF6气体、PCl3气体、PCl5气体、POCl3气体、PBr3气体、PBr5气体、POBr3气体或PI3气体中的至少1种。
[0032]一个示例性实施方式中，处理气体进一步包含选自含卤素气体、含碳气体、含氧气体以及含氮气体中的至少1种。
[0033]一个示例性实施方式中，含卤素气体为选自含氯气体、含溴气体以及含碘气体中的至少1种。
[0034]一个示例性实施方式中，含卤素气体为选自Cl2、SiCl2、SiCl4、CCl4、SiH2Cl2、Si2Cl6、CHCl3、SO2Cl2、BCl3、PCl3、PCl5、POCl3、Br2、HBr、CBr2F2、C2F5Br、PBr3、PBr5、POBr3、BBr3、HI、CF3I、C2F5I、C3F7I、IF5、IF7、I2以及PI3中的至少1种气体。
[0035]一个示例性实施方式中，含碳气体为选自C
a
H
b
(a以及b为1以上的整数)气体、C
c
F
d
(c以及d为1以上的整数)气体以及CH
e
F
f
(e以及f为1以上的整数)气体中的至少1种。
[0036]一个示例性实施方式中，含氮气体为选自NF3气体、N2气体以及NH3气体中的至少1种。
[0037]一个示例性实施方式中，处理气体进一步包含含氧气体，含氧气体为选自O2气体、CO气体、CO2气体、H2O气体以及H2O2气体中的至少1种。
[0038]一个示例性实施方式中，处理气体进一步包含选自含硼气体以及含硫气体中的至少1种。
[0039]一个示例性实施方式中，处理气体进一步包含不活泼性气体。
[0040]一个示例性实施方式中，含硅膜包含选自氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜中的至少1种。
[0041]一个示例性实施方式中，基板具有在含硅膜上规定至少1个开口的由有机膜或含金属膜形成的掩模。
[0042]一个示例性实施方式中，进行蚀刻的工序包含在第一期间和与第一期间交替的第二期间向基板支撑器给予电偏压，第一期间的电偏压为0或第一电平，第二期间的电偏压为比第一电平大的第二电平。
[0043]一个示例性实施方式中，进行蚀刻的工序包含在第三期间和与第三期间交替的第四期间向基板支撑器或与基板支撑器相向的上部电极供给用于生成等离子体的高频电，上述第三期间的上述高频电的电平为0或第三电平，第四期间的高频电的电平为比第三电平大的第四电平，第二期间与第四期间至少一部分重复。
[0044]一个示例性实施方式中，电偏压为脉冲电压。
[0045]一个示例性实施方式中，进行蚀刻的工序包含将直流电压或低频电供给至与基板
支撑器相向的上部电极。
[0046]一个示例性实施方式中，进行蚀刻的工序包含以下工序：使腔室内为第一压力，向基板支撑器供给第一电偏压，对含硅膜进行蚀刻的第一工序；和使腔室内为第二压力，向基板支撑器供给第二电偏压，对含硅膜进行蚀刻的第二工序，其中，第一压力与第二压力不同及/或第一电偏压与第二电偏压不同。
[0047]一个示例性实施方式中，第一压力比第二压力大。
[0048]一个示例性实施方式中，第一电偏压的大小的绝对值比第二电偏压的大小的绝对值大。
[0049]一个示例性实施方式中，将第一工序和第二工序交替反复进行。
[0050]一个示例性实施方式中，提供一种基板处理方法。基板处理方法包含以下工序：在腔室内准备具有含硅膜的基板的工序；和将包含C
x
H
y
F
z
(x为2以上的整数、y以及z为1以上的整数)气体、含氟气体、以及含磷气体的处理气体导入至腔室内生成等离子体，对基板的含硅膜进行蚀刻的工序。
[0051]一个示例性实施方式中，含氟气体是能够在腔室内生成HF种的气体。
[0052]一个示例性实施方式中，C
x
H
y
F
z
气体具有1个以上的CF3基。
[0053]一个示例性实施方式中，C
x
H
y
F
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理方法，其包含以下工序：在腔室内准备具有含硅膜的基板的工序；和将包含选自C4H2F6气体、C4H2F8气体、C3H2F4气体及C3H2F6气体中的至少1种气体、HF气体以及卤化磷气体的处理气体导入至所述腔室内生成等离子体，对所述基板的含硅膜进行蚀刻的工序。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述卤化磷气体包含选自PF3气体、PF5气体、POF3气体、HPF6气体、PCl3气体、PCl5气体、POCl3气体、PBr3气体、PBr5气体、POBr3气体或PI3气体中的至少1种。3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述处理气体进一步包含选自含卤素气体、含碳气体、含氧气体以及含氮气体中的至少1种。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，所述含卤素气体为选自含氯气体、含溴气体以及含碘气体中的至少1种。5.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，所述含卤素气体为选自Cl2、SiCl2、SiCl4、CCl4、SiH2Cl2、Si2Cl6、CHCl3、SO2Cl2、BCl3、PCl3、PCl5、POCl3、Br2、HBr、CBr2F2、C2F5Br、PBr3、PBr5、POBr3、BBr3、HI、CF3I、C2F5I、C3F7I、IF5、IF7、I2以及PI3中的至少1种气体。6.根据权利要求3～5中任一项所述的基板处理方法，其中，所述含碳气体为选自C
a
H
b
气体、C
c
F
d
气体以及CH
e
F
f
气体中的至少1种，其中a以及b为1以上的整数，c以及d为1以上的整数，e以及f为1以上的整数。7.根据权利要求3～6中任一项所述的基板处理方法，其中，所述含氮气体为选自NF3气体、N2气体以及NH3气体中的至少1种。8.根据权利要求1～6中任一项所述的基板处理方法，其中，所述处理气体进一步包含含氧气体，所述含氧气体为选自O2气体、CO气体、CO2气体、H2O气体以及H2O2气体中的至少1种。9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理方法，其中，所述处理气体进一步包含选自含硼气体以及含硫气体中的至少1种。10.根据权利要求1～9中任一项所述的基板处理方法，其中，所述处理气体进一步包含不活泼性气体。11.根据权利要求1～10中任一项所述的基板处理方法，其中，所述含硅膜包含选自氧化硅膜、氮化硅膜以及多晶硅膜中的至少1种。12.根据权利要求1～11中任一项所述的基板处理方法，其中，所述基板具有在所述含硅膜上规定至少1个开口的由有机膜或含金属膜形成的掩模。13.根据权利要求1～12中任一项所述的基板处理方法，其中，所述进行蚀刻的工序包含在第一期间和与所述第一期间交替的第二期间向所述基板支撑器给予电偏压，所述第一期间的电偏压为0或第一电平，所述第二期间的电偏压为比所述第一电平大的第二电平。14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，所述进行蚀刻的工序包含在第三期间和与所述第三期间交替的第四期间向所述基板支撑器或与所述基板支撑器相向的上部电极供给用于生成等离子体的高频电，
所述第三期间的所述高频电的电平为0或第三电平，所述第四期间的所述高频电的电平为比所述第三电平大的第四电平，所述第二期间与所述第四期间至少一部分重复。15.根据权利要求13或14中任一项所述的基板处理方法，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥基，须田隆太郎，户村幕树，大类贵俊，木原嘉英，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：