氧化钼纳米材料及制备方法、空穴功能薄膜及光电器件技术

本申请公开了一种氧化钼纳米材料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：提供氧化钼、溶剂、及卤代酸和/或卤代醇，混合，得到混合溶液；蒸发结晶，得到氧化钼纳米材料。所述氧化钼纳米材料的制备方法所制得的氧化钼纳米材料包括氧化钼纳米颗粒及连接在所述氧化钼纳米颗粒表面的卤代酸配体和/或卤代醇配体。所述卤代酸配体和/或卤代醇配体可以有效地钝化氧化钼纳米颗粒的缺陷态发光，提高氧化钼纳米颗粒在溶剂中的分散性和稳定性，提高包括所述氧化钼纳米材料的空穴功能层的空穴迁移率，提高光电器件的空穴注入及传输能力，从而改善光电器件中的电荷平衡，进而提升光电器件的发光效率和寿命。另，本申请还公开了一种空穴功能薄膜及光电器件。薄膜及光电器件。薄膜及光电器件。

【技术实现步骤摘要】
氧化钼纳米材料及制备方法、空穴功能薄膜及光电器件


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种氧化钼纳米材料的制备方法、由所述制备方法制得的氧化钼纳米材料、包括所述氧化钼纳米材料的空穴功能薄膜、及包括所述空穴功能薄膜的光电器件。

技术介绍

[0002]光电器件是指根据光电效应制作的器件，其在新能源、传感、通信、显示、照明等领域具有广泛的应用，如太阳能电池、光电探测器、电致发光器件等。
[0003]传统的光电器件的结构主要包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层及阴极。在电场的作用下，电致发光器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向发光层注入，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。光电器件的电子
‑
空穴注入平衡可以有效地提升光电器件的效率及寿命等性能。然而，现有的光电器件因为各种原因会导致空穴注入和/或传输的能力较差，使得光电器件的电子
‑
空穴注入不平衡。例如，为了增加显示面板的开口率，通常采用顶发射电致发光器件。而顶发射电致发光器件的光学设计，通常需要增加电致发光器件的空穴注入层厚度来优化器件的腔长，而电致发光器件的空穴注入层的厚度增加会导致电致发光器件的空穴注入能力降低，使得电致发光器件中的电子
‑
空穴注入不平衡，而导致电致发光器件的效率和寿命较低。
[0004]氧化钼(MoO
x
)是一种无毒、具有高功函数及高电导率的N型半导体材料。氧化钼作为空穴注入层材料或空穴传输层材料用于光电器件中，可以有效地提高空穴注入及传输效率。然而，现有的MoO
x
的制备方法所制得的MoO
x
的空穴注入及空穴传输性能较差，使得光电器件中的电子
‑
空穴注入不平衡，而导致光电器件的发光效率和寿命较低。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请提供一种氧化钼纳米材料的制备方法及制得的氧化钼纳米材料，旨在改善现有的氧化钼纳米材料用于光电器件时使引起的光电器件效率及寿命较低的问题。
[0006]本申请实施例是这样实现的，一种氧化钼纳米材料的制备方法，包括如下步骤：
[0007]提供氧化钼、溶剂、及卤代酸和/或卤代醇，混合，得到混合溶液；
[0008]蒸发结晶，得到氧化钼纳米材料，所述氧化钼纳米材料包括氧化钼纳米颗粒及连接在所述氧化钼纳米颗粒表面的卤代酸配体和/或卤代醇配体。
[0009]可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化钼与所述卤代酸和/或卤代醇的摩尔比的范围为(1:1)
‑
(1:6)。
[0010]可选的，在本申请的一些实施例中，所述混合的方法为70
‑
100℃下加热2
‑
4h。
[0011]可选的，在本申请的一些实施例中，所述蒸发结晶的方法为：100
‑
200℃加热所述混合溶液0.5
‑
1h。
[0012]可选的，在本申请的一些实施例中，所述卤代酸为卤化乙酸，所述卤代醇为卤代乙
醇。
[0013]可选的，在本申请的一些实施例中，所述混合溶液中还添加有过氧化氢。
[0014]可选的，在本申请的一些实施例中，所述过氧化氢与所述溶剂的体积比的范围为(1:2)
‑
(1:3)。
[0015]相应的，本申请实施例还提供一种由上述制备方法制得的氧化钼纳米材料，所述氧化钼纳米材料包括氧化钼纳米颗粒及连接在所述氧化钼纳米颗粒表面的卤代酸配体和/或卤代醇配体。
[0016]可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化钼纳米材料中，所述卤代酸配体和/或卤代醇配体的含量范围为32
‑
87wt％。
[0017]可选的，在本申请的一些实施例中，所述氧化钼纳米颗粒的粒径范围为2
‑
9nm。
[0018]相应的，本申请实施例还提供一种空穴功能薄膜，所述空穴功能薄膜为空穴注入薄膜或空穴传输薄膜，所述空穴功能薄膜中包括由上述制备方法制得的氧化钼纳米材料，或者，所述空穴功能薄膜中包括上述氧化钼纳米材料。
[0019]相应的，本申请实施例还提供一种光电器件，包括层叠的阳极、空穴功能层、发光层及阴极，所述空穴功能层中包括由上述制备方法制得的氧化钼纳米材料，或者，所述空穴功能层中包括上述氧化钼纳米材料。
[0020]本申请的氧化钼纳米材料的制备方法所制得的氧化钼纳米材料包括氧化钼纳米颗粒及连接在所述氧化钼纳米颗粒表面的卤代酸配体和/或卤代醇配体。所述卤代酸配体和/或卤代醇配体可以有效地钝化氧化钼纳米颗粒的缺陷态发光，提高氧化钼纳米颗粒在溶剂中的分散性和稳定性，提高包括所述氧化钼纳米材料的空穴功能层的空穴迁移率，提高光电器件的空穴注入及传输能力，从而改善光电器件中的电荷平衡，进而提升光电器件的发光效率和寿命。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本申请实施例提供的一种氧化钼纳米材料的制备方法流程图；
[0023]图2是本申请实施例提供的一种光电器件的结构示意图；
[0024]图3是本申请实施例提供的另一种光电器件的结构示意图；
[0025]图4是本申请实施例提供的又一种光电器件的结构示意图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的
方位词如“上”和“下”具体为附图中的图面方向。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本专利技术的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本专利技术范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
[0027]请参阅图1，本申请实施例提供一种氧化钼纳米材料的制备方法，包括如下步骤：
[0028]步骤S11：提供氧化钼、溶剂、及卤代酸和/或卤代醇，混本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化钼纳米材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供氧化钼、溶剂、及卤代酸和/或卤代醇，混合，得到混合溶液；蒸发结晶，得到氧化钼纳米材料，所述氧化钼纳米材料包括氧化钼纳米颗粒及连接在所述氧化钼纳米颗粒表面的卤代酸配体和/或卤代醇配体。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氧化钼与所述卤代酸和/或卤代醇的摩尔比的范围为(1:1)
‑
(1:6)。3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述混合的方法为70
‑
100℃下加热2
‑
4h；或者，所述蒸发结晶的方法为：100
‑
200℃加热所述混合溶液0.5
‑
1h。4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述卤代酸为卤化乙酸，所述卤代醇为卤代乙醇。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述混合溶液中还添加有过氧化氢。6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述过氧化氢与所述溶剂的体积比的范围为(1:2)
‑
(1:3)。7.一种氧化钼纳米材料，其特征在于：所述氧化钼纳米材料包括氧化钼纳米颗粒及连接在所述氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐威，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：