实现高效等离子阱的方法和装置制造方法及图纸

一种装置，配置为将等离子保持在下游微波等离子系统的等离子管总成内。下游微波等离子系统配置为在等离子管总成的等离子保持区域内生成等离子，并且将至少一部分等离子向下游引导至下游微波等离子系统的等离子处理室。装置包括第一中空的导电圆盘，其围绕限定等离子管总成的等离子通道的圆柱形结构。装置还包括第二中空的导电圆盘，其也围绕该圆柱形结构。第二中空的导电圆盘配置为以相对于第一中空的导电圆盘间隔分开的关系设置，以便在第一中空的导电圆盘和第二中空的导电圆盘之间形成第一中空的圆盘形间隙区。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】实现高效等离子阱的方法和装置
技术介绍
等离子处理由于制造企业试图在半导体工业中4呆持竟争力而 继续发展。为了获得竟争优势，实现各种方法和装置以增加在基片 处理中使用的等离子的量以生产没有缺陷的器件。一种表现出持续希望的发展是在等离子处理机器中使用新的 和不同的几何图形。在一种尝试中4吏用不同的几<可图形，如长直等 离子管和盘旋等离子管，以充分吸收微波功率或者将吸收的樣"皮功 率转换为有用的等离子物质。为了便于讨论，附图说明图1示出现有4支术中的盘旋等离子管总成的简化图。可在等离子管102内经过一种或多 种气体(例如，02, N2， N2H2, HeH2，水蒸汽和氟化化合物)与微 波功率耦合而形成等离子112，该;敬波功率由^f鼓波功率发生器106经 过波导管108传llT。本领域的纟支术人员知道传统的直径一英寸或者 更小的等离子管由于热载荷会损失所产生农i波功率中的大部分。因 为等离子112会包括有害的等离子物质和有用的等离子物质，可以 控制等离子管的形状和直径以允许有害物质重组入有用物质。因 此，不同的几4可图形转化成更高效的i殳备。考虑这种情况，其中，例如，等离子112穿过等离子管102并且 撞上弯曲116。因为等离子112在弯曲116与等离子管102的壁相互作用， 一些等离子物质会重组。然而，利用盘旋等离子管，中性物质 重组的机会增加。结果，等离子管盘绕越多，等离子管将中性物质 传输到等离子处理室的效率越低。为了减少有用的等离子物质重组的H量， 一些制造商^f吏用直等 离子管。在没有弯曲的情况下，等离子管内等离子物质重组率降低。 然而，为了使有害的等离子物质进入等离子处理室的可能性最小， 制造商不得不延伸等离子管。另外，由于可能发生的微波辐射泄露，等离子物质会在等离子 管的波导管围绕区域之外形成。在有的等离子管总成中使用阱来限制泄露量。阱通常是中空的铝的圆盘状装置，其大约为0.5英寸到2 英寸厚。然而，在实践中，并不是所有的农i波辐射都能^^包含，仍 可能会发生微波泄漏，导致功率损失以及有害的等离子物质的扩 张。尽管等离子管和阱的几何形状可提供用于将有用的等离子物 质传输到等离子处理室的部分解决方案，但是需要的是用于产生高 ^:下游樣i波等离子系统的方法和装置。
技术实现思路
在一个实施方式中，本专利技术涉及一种装置，配置为将等离子包 含在下游微波等离子系统的等离子管总成内。该下游樣"皮等离子系 统配置为在等离子管总成的等离子保持区域内生成等离子，并且将 至少一部分等离子向下游引导至下游微波等离子系统的等离子处 理室。该装置包括第一中空的导电圆盘，其围绕限定等离子管总成 的等离子通道的圆柱形结构。该装置还包括第二中空的导电圆盘， 其也围绕该圆柱形结构。该第二中空的导电圆盘配置为以相对于该 第一中空的导电圓盘间隔分开的关系设置，以1更在该第一中空的导 电圓盘和该第二中空的导电圓盘之间形成第一中空的圓盘形间隙 区。该装置进一步包4舌第三中空的导电圓盘，其也围绕该圓柱形结 构，该第三中空的导电圆盘配置为以相对于该第二中空的导电圆盘 间隔分开的关系i殳置，以1更在该第三中空的导电圓盘和该第二中空的导电圓盘之间形成第二中空的圆盘形间隙区。借此，该第一中空 的导电圓盘、该第二中空的导电圆盘、该第三中空的导电圓盘、该 第一中空的圓盘形间隙区和该第二中空的圆盘形间隙区形成相只于 该等离子管总成的等离子保持区域的上游等离子阱和下游等离子 阱之一。在另一实施方式中，本专利技术涉及用于将等离子包含在下游微波 等离子系统的等离子管总成中的方法。该下游微波等离子系统配置 为在该等离子管总成的等离子保持区域内生成等离子并且将至少 一部分等离子向下游引导至该下游微波等离子系统的等离子处理 室。该方法包括4是供第一中空的导电圆盘，其围绕限定该等离子管 总成的等离子通道的圆柱形结构。该方法还包括将第二中空的导电 圆盘以相对该第一中空的导电圆盘间隔分开的关系固定，以便在该 第一中空的导电圆盘和该第二中空的导电圆盘之间形成第一中空 的圆盘形间隙区，该第二中空的导电圆盘也围绕该圓柱形结构。该 方法进一步包括将第三中空的导电圆盘以相对该第二中空的导电 圓盘间隔分开的关系固定，以1更在该第三中空的导电圆盘和该第二 中空的导电圆盘之间形成第二中空的圓盘形间隙区，该第三中空的 导电圆盘也围绕该圓柱形结构。借此，该第一中空的导电圓盘、该 第二中空的导电圆盘、该第三中空的导电圆盘、该第一中空的圆盘 形间隙区和该第二中空的圆盘形间隙区形成相对该等离子管总成 的等离子保持区域的上游等离子阱和下游等离子阱之一 。在又一个实施方式中，本专利技术涉及一种装置，其配置为将等离 子包含在该下游微波等离子系统的等离子管总成内。该下游微波等 离子系统配置为在该等离子管总成的等离子保持区域生成等离子 并且将将至少 一部分等离子向下游引导至该下游微波等离子系统 的等离子处理室。使用由相对于该等离子管横向安装的微波所提供 的《鼓波能量生成该等离子。该装置包括上游等离子阱，其设置在相对微波波导管的上游。该上游等离子阱包括第 一中空的导电圆盘， 其围绕限定该等离子管总成的等离子通道的圆柱形结构。该上游等 离子阱还包括第二中空的导电圓盘，其也该围绕圓柱形结构。该第 二中空的导电圆盘配置为以相对于该第 一 中空的导电圆盘间隔分 开的关系:没置，以1更在该第一中空的导电圆盘和该第二中空的导电 圆盘之间形成第 一 中空的圆盘形间隙区。该上游等离子阱还包括第 三中空的导电圆盘，其也围绕该圓柱形结构。该第三中空的导电圆 盘配置为以相》于于该第二中空的导电圓盘间隔分开的关系i殳置，以 便在该第三中空的导电圆盘和该第二中空的导电圆盘之间形成第 二中空的圆盘形间隙区。^"此，该第一中空的导电圆盘、该第二中 空的导电圓盘、该第三中空的导电圆盘、该第一中空的圆盘形间隙 区和该第二中空的圓盘形间隙区形成相对该等离子管总成的等离 子保持区域的上游等离子阱和下游等离子阱之一 。该装置还包括下 游等离子阱，其设置在相对该微波波导管的下游。该下游等离子阱 包括第四中空的导电圆盘，其围绕该圆柱形结构。该下游等离子阱还包括第五中空的导电圆盘，其也围绕该圓柱形结构。该第五中空 的导电圆盘配置为以相对于该第四中空的导电圆盘间隔分开的关 系-没置，以〗更在该第四中空的导电圆盘和该第五中空的导电圆盘之 间形成第三中空的圆盘形间隙区。下游等离子阱还包括第六中空的 导电圆盘，其也围绕该圆柱形结构。该第六中空的导电圓盘配置为 以相对于该第五中空的导电圆盘间隔分开的关系设置，以便在该第 六中空的导电圓盘和该第五中空的导电圆盘之间形成第四中空的 圆盘形间隙区。在又一个实施方式中，本专利技术涉及一种装置，其配置为将等离 子包含在该下游微波等离子系统的等离子管总成内。该下游微波等 离子系统配置为在该等离子管总成的等离子保持区域内生成等离 子并且将至少 一部分等离子向下游引导至该下游微波等离子系统 的等离子处理室。该装置包括第一实心的导电圆盘，其围绕限定该等离子管总成的等离子通道的圓柱形结构。该装置还包括第二实心 的导电圆盘，其也围绕该圆柱形结构。该第二实心的导电圓盘配置 为以相对该第 一 实心的导电圓盘间隔分开的关系i殳置，以^f本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，配置为将等离子包含在下游微波等离子系统的等离子管总成内，所述下游微波等离子系统配置为在所述等离子管总成的等离子保持区域内生成等离子并且将至少一部分所述等离子向下游引导至所述下游微波等离子系统的等离子处理室，包括：　第一中空的导电圆盘，其围绕限定所述等离子管总成的等离子通道的圆柱形结构；　第二中空的导电圆盘，其也围绕所述圆柱形结构，所述第二中空的导电圆盘配置为以相对所述第一中空的导电圆盘间隔分开的关系设置，以便在所述第一中空的导电圆盘和所述第二中空的导电圆盘之间形成第一中空的圆盘形间隙区；和　第三中空的导电圆盘，其也围绕所述圆柱形结构，所述第三中空的导电圆盘配置为以相对所述第二中空的导电圆盘间隔分开的关系设置，以便在所述第三中空的导电圆盘和所述第二中空的导电圆盘之间形成第二中空的圆盘形间隙区，借此所述第一中空的导电圆盘、所述第二中空的导电圆盘、所述第三中空的导电圆盘、所述第一中空的圆盘形间隙区和所述第二中空的圆盘形间隙区形成相对所述等离子管总成的等离子保持区域的上游等离子阱和下游等离子阱之一。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆罕默德卡马尔哈，胜炎艾伯特王，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]