电致发光器件、制造方法、显示面板及显示设备技术

本发明专利技术公开了一种电致发光器件、制造方法、显示面板及显示设备，其中电致发光器件包括层叠的电子传输层、钙钛矿量子点发光层和空穴传输层；所述钙钛矿量子点发光层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间，所述空穴传输层包括与空穴传输层材料交联的交联剂。利用交联剂与空穴传输层的交联，使空穴传输层既可以收集和传输空穴，又可以作为钙钛矿量子点发光层图案化过程中的掩膜使用，避免了光刻胶作为掩膜时在钙钛矿量子点发光层上产生的残留，能够提高载流子的注入效率和显示效果。够提高载流子的注入效率和显示效果。够提高载流子的注入效率和显示效果。

【技术实现步骤摘要】
电致发光器件、制造方法、显示面板及显示设备


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种电致发光器件、制造方法、显示面板及显示设备。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light
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Emitting Diode)LED通过电子与空穴复合释放能量发光，目前已经广泛应用于显示领域。而量子点因为其发光光谱较窄、可通过尺寸调节发光波长、发光效率高等优点，使QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子点发光二极管)成为新型显示技术中的有力竞争者。
[0003]目前QLED在图案化量子点发光层时常使用光刻胶作为掩膜Mask。但在电致发光场景中，由于量子点发光层表面残留的绝缘光刻胶，会导致空穴或者电子难以注入量子点发光层，影响了QLED的显示效果。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本专利技术提供了一种电致发光器件、制造方法、显示面板及显示设备，能够提高空穴或电子注入发光层的效率，有利于提高显示效果。
[0005]第一方面，本申请通过一实施例提供如下的技术方案：
[0006]一种电致发光器件，所述电致发光器件包括层叠的电子传输层、钙钛矿量子点发光层和空穴传输层；所述钙钛矿量子点发光层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间，所述空穴传输层包括与空穴传输层材料交联的交联剂。
[0007]可选的，所述电致发光器件包括第一像素区、第二像素区和第三像素区；所述钙钛矿量子点发光层包括位于所述第一像素区的MAPbI
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量子点、位于所述第二像素区的MAPbBr3量子点和位于所述第三像素区的MAPbCl
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量子点。
[0008]可选的，所述MAPbI
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量子点、所述MAPbBr3量子点和所述MAPbCl
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量子点均修饰有短链配体。
[0009]可选的，所述空穴传输层的材质为TFB、PVK和Spiro
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MeOTAD中的其中一种。
[0010]第二方面，基于同一专利技术构思，本申请通过一实施例提供如下的技术方案：
[0011]一种电致发光器件的制造方法，所述方法包括：
[0012]提供基板；
[0013]在所述基板上形成电子传输层；
[0014]在所述电子传输层上形成钙钛矿量子点发光层和空穴传输层；所述钙钛矿量子点发光层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间，所述空穴传输层包括与空穴传输层材料交联的交联剂。
[0015]可选的，所述电致发光器件包括第一像素区、第二像素区和第三像素区；所述钙钛矿量子点发光层包括位于所述第一像素区的MAPbI
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量子点、位于所述第二像素区的MAPbBr3量子点和位于所述第三像素区的MAPbCl
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量子点；
[0016]所述在所述电子传输层上形成钙钛矿量子点发光层和空穴传输层，包括：
[0017]在所述第一像素区内形成所述MAPbI
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量子点和层叠在所述MAPbI
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量子点上的第一空穴传输层；
[0018]在所述第二像素区内形成所述MAPbBr3量子点和层叠在所述MAPbBr3量子点上的第二空穴传输层；
[0019]在所述第三像素区内形成所述MAPbCl
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量子点和层叠在所述MAPbCl
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量子点上的第三空穴传输层。
[0020]可选的，所述在所述第一像素区内形成所述MAPbI
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量子点和层叠在所述MAPbI
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量子点上的第一空穴传输层，包括：
[0021]在所述电子传输层上涂布MAPbI
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量子点；
[0022]在所述MAPbI
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量子点上涂布第一空穴传输材料，所述第一空穴传输材料含有光敏交联剂；
[0023]曝光位于所述第一像素区内的所述第一空穴传输材料，然后使用正交溶剂对所述第一空穴传输材料进行显影处理，以使位于所述第二像素区和所述第三像素区的所述第一空穴传输材料溶解，获得位于所述第一像素区、所述第二像素区和所述第三像素区的MAPbI
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量子点，以及位于所述第一像素区并层叠在所述MAPbI
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量子点上的第一空穴传输层。
[0024]可选的，所述在所述MAPbI
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量子点上涂布第一空穴传输材料，包括：
[0025]在所述MAPbI
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量子点的表面浸泡短链配体溶液，获得修饰有短链配体的MAPbI
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量子点；
[0026]在所述修饰有短链配体的MAPbI
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量子点上涂布所述第一空穴传输材料。
[0027]可选的，所述在所述第二像素区内形成所述MAPbBr3量子点和层叠在所述MAPbBr3量子点上的第二空穴传输层，包括：
[0028]采用四丁基溴化胺溶液浸泡所述MAPbI
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量子点，以使未被所述第一空穴传输层层叠的所述MAPbI
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量子点与所述四丁基溴化胺溶液进行卤素交换，获得位于所述第二像素区和所述第三像素区的MAPbBr3量子点；
[0029]在所述MAPbBr3量子点上涂布第二空穴传输材料，所述第二空穴传输材料含有光敏交联剂；
[0030]曝光位于所述第二像素区内的所述第二空穴传输材料，然后使用正交溶剂对所述第二空穴传输材料进行显影处理，以使位于所述第三像素区的所述第二空穴传输材料溶解，获得位于所述第二像素区并层叠在所述MAPbBr3量子点上的第二空穴传输层。
[0031]可选的，所述在所述第三像素区内形成所述MAPbCl
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量子点和层叠在所述MAPbCl
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量子点上的第三空穴传输层，包括：
[0032]采用四丁基氯化胺溶液浸泡所述MAPbBr3量子点，以使未被所述第二空穴传输层层叠的所述MAPbBr3量子点与所述四丁基氯化胺溶液进行卤素交换，获得位于所述第三像素区的MAPbCl
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件包括层叠的电子传输层、钙钛矿量子点发光层和空穴传输层；所述钙钛矿量子点发光层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间，所述空穴传输层包括与空穴传输层材料交联的交联剂。2.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件包括第一像素区、第二像素区和第三像素区；所述钙钛矿量子点发光层包括位于所述第一像素区的MAPbI
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量子点、位于所述第二像素区的MAPbBr3量子点和位于所述第三像素区的MAPbCl
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量子点。3.如权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述MAPbI
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量子点、所述MAPbBr3量子点和所述MAPbCl
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量子点均修饰有短链配体。4.如权利要求2所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为TFB、PVK和Spiro
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MeOTAD中的其中一种。5.一种电致发光器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供基板；在所述基板上形成电子传输层；在所述电子传输层上形成钙钛矿量子点发光层和空穴传输层；所述钙钛矿量子点发光层位于所述电子传输层和所述空穴传输层之间，所述空穴传输层包括与空穴传输层材料交联的交联剂。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电致发光器件包括第一像素区、第二像素区和第三像素区；所述钙钛矿量子点发光层包括位于所述第一像素区的MAPbI
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量子点、位于所述第二像素区的MAPbBr3量子点和位于所述第三像素区的MAPbCl
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量子点；所述在所述电子传输层上形成钙钛矿量子点发光层和空穴传输层，包括：在所述第一像素区内形成所述MAPbI
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量子点和层叠在所述MAPbI
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量子点上的第一空穴传输层；在所述第二像素区内形成所述MAPbBr3量子点和层叠在所述MAPbBr3量子点上的第二空穴传输层；在所述第三像素区内形成所述MAPbCl
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量子点和层叠在所述MAPbCl
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量子点上的第三空穴传输层。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述第一像素区内形成所述MAPbI
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量子点和层叠在所述MAPbI
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量子点上的第一空穴传输层，包括：在所述电子传输层上涂布MAPbI
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量子点；在所述MAPbI
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量子点上涂布第一空穴传输材料，所述第一空穴传输材料含有光敏交联剂；曝光位于所述第一像素区内的所述第一空穴传输材料，...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱友勤，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：