磁场检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术的磁场检测装置具备基板、第一凸部、第二凸部、第一磁阻效应膜、第二磁阻效应膜、第一布线、第二布线和1个以上的图案。基板包括平坦面。第一凸部和第二凸部各自包括第一斜面和第二斜面，并且各自设置在平坦面上。第一磁阻效应膜和第二磁阻效应膜分别设置在第一斜面和第二斜面上。第一布线连接分别设置在第一凸部和第二凸部的第一斜面上的第一磁阻效应膜，第二布线连接分别设置在第一凸部和第二凸部的第二斜面上的第二磁阻效应膜。第一凸部与第二凸部以使第一凸部的第一斜面与第二凸部的第二斜面在第一方向上对向的方式，相邻配置在第一方向上。1个以上的图案设置在互相对向的第一凸部的第一斜面和第二凸部的第二斜面的至少一方上。斜面的至少一方上。斜面的至少一方上。

【技术实现步骤摘要】
磁场检测装置


[0001]本专利技术涉及一种具备磁阻效应元件的磁场检测装置。

技术介绍

[0002]迄今为止，已经提出了一些使用磁阻效应元件的磁场检测装置。例如在专利文献1中，公开了沿着导体的电流流动方向的中心线的方向与沿着磁阻效应元件的长方向的中心线的方向不同的磁场检测装置(例如参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016
‑
1118号公报

技术实现思路

[0006]然而，对于这样的磁场检测装置，要求进一步小型化。
[0007]因此，期望提供一种适合小型化同时保持高可靠性的磁场检测装置。
[0008]作为本专利技术的一种实施方式的磁场检测装置，具有基板、第一凸部、第二凸部、第一磁阻效应膜、第二磁阻效应膜、第一布线、第二布线和1个以上的图案。基板包括平坦面。第一凸部和第二凸部各自包括第一斜面和第二斜面，并且各自设置在平坦面上，第一斜面对平坦面倾斜，第二斜面对平坦面和第一斜面的双方倾斜。第一磁阻效应膜设置在第一斜面上，第二磁阻效应膜设置在第二斜面上。第一布线连接设置在第一凸部的第一斜面上的第一磁阻效应膜与设置在第二凸部的第一斜面上的第一磁阻效应膜，第二布线连接设置在第一凸部的第二斜面上的第二磁阻效应膜与设置在第二凸部的第二斜面上的第二磁阻效应膜。第一凸部与第二凸部以使第一凸部的第一斜面与第二凸部的第二斜面在第一方向上对向的方式，相邻配置在第一方向上。1个以上的图案设置在互相对向的第一凸部的第一斜面和第二凸部的第二斜面的至少一方上。
[0009]根据作为本专利技术的一种实施方式的磁场检测装置，在小型化的同时能够避免第一布线与第二布线之间的短路，发挥高的动作可靠性。再有，本专利技术的效果并不限定于此，也可以是以下所述的任何一个效果。
附图说明
[0010]图1是表示作为本专利技术的一种实施方式的磁场检测装置的整体结构例的概略主视图。
[0011]图2是图1所示的磁场检测装置的电路图。
[0012]图3是图1所示的元件形成区域的平面结构的平面示意图。
[0013]图4是图1所示的元件形成区域的截面结构的截面示意图。
[0014]图5是图3所示的磁阻效应膜的层积截面的截面示意图。
[0015]图6是用于说明图5所示的磁化固定层的磁化方向与磁化自由层的磁化方向的关
系的平面模式图。
[0016]图7A是图1所示的磁场检测装置的制造方法的一个工序的截面示意图。
[0017]图7B是继图7A之后的一个工序的截面示意图。
[0018]图7C是继图7B之后的一个工序的截面示意图。
[0019]图7D是继图7C之后的一个工序的截面示意图。
[0020]图7E是继图7D之后的一个工序的截面示意图。
[0021]图7F是继图7E之后的一个工序的截面示意图。
[0022]图7G是继图7F之后的一个工序的截面示意图。
[0023]图7H是继图7G之后的一个工序的截面示意图。
[0024]图7I是继图7H之后的一个工序的截面示意图。
[0025]图7J是继图7I之后的一个工序的截面示意图。
[0026]图7K是继图7J之后的一个工序的截面示意图。
[0027]图8是作为参考例的磁场检测装置的元件形成区域的平面结构的平面示意图。
[0028]图9A是图8所示的元件形成区域的截面结构的截面示意图。
[0029]图9B是图8所示的磁场检测装置的制造方法的一个工序的截面示意图。
[0030]图10是表示作为本专利技术的第一变形例的磁场检测装置的一部分的结构例的概略主视图。
[0031]图11是表示作为本专利技术的第二变形例的磁场检测装置的一部分的结构例的概略主视图。
[0032]图12是表示作为本专利技术的第三变形例的磁场检测装置的一部分的结构例的概略主视图。
[0033]图13是表示图12所示的作为第三变形例的磁场检测装置的一部分的结构例的概略剖视图。
[0034]图14A是用于说明图12所示的作为第三变形例的磁场检测装置的作用效果的第一说明图。
[0035]图14B是用于说明图12所示的作为第三变形例的磁场检测装置的作用效果的第二说明图。
[0036]图15是表示作为本专利技术的第四变形例的磁场检测装置的一部分的结构例的概略主视图。
[0037]图16是表示图15所示的作为第四变形例的磁场检测装置的一部分的结构例的概略剖视图。
[0038]符号说明
[0039]100磁场检测装置
[0040]1基板
[0041]2A、2B磁场检测单元
[0042]3端子部
[0043]4凸部
[0044]40头顶部
[0045]41、42斜面
[0046]5下层布线群
[0047]51～53下层布线
[0048]6上层布线群
[0049]61～63上层布线
[0050]31磁化固定层
[0051]32中间层
[0052]33磁化自由层
[0053]7L、7R桥接电路
[0054]8L、8R差分检测器
[0055]9运算电路
[0056]DA、DB伪图案
[0057]Is1～Is4置位电流
[0058]Ir1～Ir4复位电流
[0059]MR1～MR4磁阻效应膜
[0060]YZ1～YZ4元件形成区域
具体实施方式
[0061]下面参照附图对用于实施本专利技术的实施方式进行详细说明。以下说明的实施方式全都表示本专利技术所优选的一个具体例子。因此，在以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置位置以及连接形态等，仅仅是一个例子，并不旨在限定本专利技术。因此，对以下的实施方式的构成要素中的、在表示本专利技术的最上位概念的独立权利要求中没有记载的构成要素，作为任意的构成要素进行说明。再有，各个附图仅是示意图，图示并不一定严密。另外，在各个附图中，对实质上同一的结构附加同一的符号，并且省略或简化重复的说明。再有，说明按以下的顺序进行。
[0062]1.一种实施方式
[0063]具备包括第一磁阻效应膜和第二磁阻效应膜的桥接电路的磁场检测装置的例子，其中，第一磁阻效应膜设置在第一斜面上，第二磁阻效应膜设置在第二斜面上。
[0064]2.变形例
[0065]<1.一种实施方式>
[0066][磁场检测装置100的结构][0067]最初，参照图1～图6，对作为本专利技术的一种实施方式的磁场检测装置100的结构进行说明。
[0068](磁场检测装置100的整体结构)
[0069]图1是表示磁场检测装置100的整体结构例的概略主视图。磁场检测装置100是能够分别检测例如Y轴方向的磁场变化和Z轴方向的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁场检测装置，具备：基板，包括平坦面；第一凸部和第二凸部，各自包括第一斜面和第二斜面，并且各自设置在所述平坦面上，所述第一斜面对所述平坦面倾斜，所述第二斜面对所述平坦面和所述第一斜面的双方倾斜；第一磁阻效应膜，设置在所述第一斜面上；第二磁阻效应膜，设置在所述第二斜面上；第一布线，连接设置在所述第一凸部的所述第一斜面上的所述第一磁阻效应膜与设置在所述第二凸部的所述第一斜面上的所述第一磁阻效应膜；第二布线，连接设置在所述第一凸部的所述第二斜面上的所述第二磁阻效应膜与设置在所述第二凸部的所述第二斜面上的所述第二磁阻效应膜；以及1个以上的图案，所述第一凸部与所述第二凸部以使所述第一凸部的所述第一斜面与所述第二凸部的所述第二斜面在第一方向上对向的方式，相邻配置在所述第一方向上，所述1个以上的图案设置在互相对向的所述第一凸部的所述第一斜面和所述第二凸部的所述第二斜面的至少一方上。2.根据权利要求1所述的磁场检测装置，其中，所述1个以上的图案具有第一图案和第二图案，所述第一图案设置在所述第一凸部的所述第一斜面上，所述第二图案设置在所述第二凸部的所述第二斜面上。3.根据权利要求2所述的磁场检测装置，其中，在与所述平坦面正交的高度方向上，以所述平坦面为基准的所述第一图案的上端位置与以所述平坦面为基准的所述第二图案的上端位置实质上相同。4.根据权利要求1所述的磁场检测装置，其中，所述1个以上的图案设置在所述第二凸部的所述第二斜面上，在与设置有所述1个以上的图案的...

【专利技术属性】
技术研发人员：高杉圭祐，牧野健三，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：