显示面板、显示装置及显示面板的制作方法制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，显示面板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一衬底和依次设置的第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第一介质层间绝缘层；第二薄膜晶体管包括依次设于第一介质层间绝缘层一侧的第二有源层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、第二介质层间绝缘层；第一有源层为多晶硅半导体，第二有源层为氧化物半导体；第一介质层间绝缘层设有延伸至所述第一栅极绝缘层内第三过孔。本申请在形成第二薄膜晶体管之前通过第三过孔进行退火工艺，避免退火工艺多氢和高温制程会影响到第二薄膜晶体管器件性能，有利于提升第二薄膜晶体管器件稳定性。利于提升第二薄膜晶体管器件稳定性。利于提升第二薄膜晶体管器件稳定性。

【技术实现步骤摘要】
显示面板、显示装置及显示面板的制作方法


[0001]本申请涉及显示面板
，特别是涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。

技术介绍

[0002]低温多晶硅半导体(Low Temperature Polycrystalline Silicon，LTPS)和氧化物半导体(Oxide)是显示行业备受关注的两种半导体，它们各具优势。LTPS具有迁移率高，充电快的优势，通常应用在中小尺寸显示装置中，Oxide具有漏电流低，结构简单成本低廉的优势，通常应用在中大尺寸显示装置中。如果能将这两种材料的优势结合在一起，形成LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)产品，可以使显示面板同时具有强驱动能力和低功率消耗的特点，同时适用于高频显示和低频显示，使得显示产品的用户体验大幅提升。
[0003]相关技术中，通过CNT Anneal(Contact Anneal，退火)工艺来改善LTPS的器件特性，CNT Anneal工艺来改善LTPS工艺过程中多H(氢)和高温制程会影响到Oxide的少H(氢)工艺制程，H(氢)和Doping(掺杂)离子会扩散至Oxide沟道使得Oxide的器件稳定性变差，亟需改善LTPO显示面板中氧化物半导体薄膜晶体管的器件稳定性。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，以实现改善LTPO显示面板中氧化物半导体薄膜晶体管的器件稳定性。具体技术方案如下：
[0005]本申请第一方面提出一种显示面板，包括显示区和非显示区，所述显示区至少包括沿所述显示面板的长度方向间隔设置的多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；
[0006]所述第一薄膜晶体管至少包括第一衬底和沿远离所述第一衬底的方向依次设置的第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第一介质层间绝缘层；
[0007]所述第二薄膜晶体管至少包括沿远离所述第一衬底的方向依次设于所述第一介质层间绝缘层一侧的第二有源层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、第二介质层间绝缘层；
[0008]所述第二介质层间绝缘层设有第一过孔和第二过孔，所述第一薄膜晶体管还包括与所述第一有源层通过所述第一过孔电连接的第一源极和第一漏极，所述第一过孔延伸至所述第一有源层远离所述第一衬底的表面或者内部，所述第一有源层的材质包括多晶硅半导体；
[0009]所述第二薄膜晶体管还包括与所述第二有源层通过所述第二过孔电连接第二源极和第二漏极；所述第二过孔延伸至所述第二有源层远离所述第一衬底的表面或者内部，所述第二有源层的材质包括氧化物半导体；
[0010]所述显示区的所述第一介质层间绝缘层设有多个第三过孔，所述第三过孔延伸至所述第一栅极绝缘层内，且所述第二栅极绝缘层和所述第二介质层间绝缘层覆盖所述第三过孔。
[0011]在本申请的一些实施例中，所述第三过孔的至少部分位于所述第一有源层远离所述第一衬底的表面。
[0012]在本申请的一些实施例中，所述第三过孔与所述第一过孔部分重叠，或者所述第三过孔包围所述第一过孔。
[0013]在本申请的一些实施例中，所述显示面板的非显示区还包括周边区和弯折区，所述周边区包括第四过孔，所述弯折区包括第五过孔，沿靠近所述第一衬底的方向，所述第四过孔和所述第五过孔依次贯穿所述第二介质层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层，并延伸至所述第一衬底内。
[0014]在本申请的一些实施例中，所述第一栅极层远离所述第一衬底的一侧还设有存储电容电极，所述存储电容电极与所述第一栅极层之间设有第三栅极绝缘层，所述存储电容电极与所述第一栅极层构成存储电容。
[0015]在本申请的一些实施例中，所述第一介质层间绝缘层与所述第二有源层之间设有第一缓冲层，所述第一缓冲层与所述第三过孔相对的位置设有第六过孔，所述第六过孔与所述第三过孔连通。
[0016]在本申请的一些实施例中，所述第一有源层和所述第一衬底之间还包括多个沿所述显示面板的长度方向间隔设置的第一遮挡金属，所述第一遮挡金属与所述第一栅极层相对设置，所述第一遮挡金属在所述第一衬底的正投影大于等于所述第一栅极层在所述第一衬底的正投影。
[0017]在本申请的一些实施例中，所述第一有源层和所述第一衬底之间还包括第二遮挡金属，所述第二遮挡金属在所述第一衬底的正投影大于等于与所述第四过孔在所述第一衬底的正投影。
[0018]本申请第二方面提出一种显示装置，显示装置包括上述第一方面任一实施例中的显示面板。
[0019]本申请第三方面提出一种显示面板的制作方法，用于制作上述第一方面任一实施例所述的显示面板，包括以下步骤：
[0020]形成第一衬底；
[0021]在远离所述所述第一衬底的一侧依次制作第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第一介质层间绝缘层；
[0022]通过第一掩膜版在所述显示区的第一介质层间绝缘层设有多个第三过孔，所述第三过孔延伸至所述第一栅极绝缘层内；
[0023]在所述第一介质层间绝缘层上依次形成第二有源层、第二栅极绝缘层、第二介质层间绝缘层；
[0024]通过第二掩膜版在所述显示区的第二介质层间绝缘层形成第一过孔和第二过孔，或者通过第二掩膜版在所述显示区的所述第二介质层间绝缘层形成第一过孔，然后通过第三掩膜版在所述显示区的所述第二介质层间绝缘层形成第二过孔；
[0025]所述第一源极和所述第一漏极通过所述第一过孔与所述第一有源层电连接，所述第二源极和所述第二漏极通过所述第二过孔与所述第二有源层电连接。
[0026]在本申请的一些实施例中，所述非显示区包括周边区和弯折区，在形成所述第三过孔的步骤中还包括以下步骤：
[0027]通过所述第一掩膜版在所述周边区的第一介质层间绝缘层形成第四过孔的第一部分，并在所述弯折区的第一介质层间绝缘层形成第五过孔的第一部分，所述第四过孔的第一部分与所述第五过孔的第一部分的延伸深度与所述第三过孔一致。
[0028]在本申请的一些实施例中，在形成所述第一过孔或者在形成所述第一过孔和所述第二过孔的步骤中还包括以下步骤：
[0029]在所述非显示区的周边区形成所述第四过孔的第二部分，在所述非显示区的弯折区形成所述第五过孔的第二部分，所述第四过孔的第二部分、所述第五过孔的第二部分与所述第四过孔的第一部分、所述第五过孔的第一部分连通，并延伸至所述第一衬底内。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
[0031]图1为本申请实施例所提供的显示面板在第一种实施例中的示意图；
[0032]图2为本申请实施例所提供的显示面板在第二种实施例中的示意图；
[0033]图3a为本申请实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区至少包括沿所述显示面板的长度方向间隔设置的多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管至少包括第一衬底和沿远离所述第一衬底的方向依次设置的第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第一介质层间绝缘层；所述第二薄膜晶体管至少包括沿远离所述第一衬底的方向依次设于所述第一介质层间绝缘层一侧的第二有源层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、第二介质层间绝缘层；所述第二介质层间绝缘层设有第一过孔和第二过孔，所述第一薄膜晶体管还包括与所述第一有源层通过所述第一过孔电连接的第一源极和第一漏极，所述第一过孔延伸至所述第一有源层远离所述第一衬底的表面或者内部，所述第一有源层的材质包括多晶硅半导体；所述第一薄膜晶体管还包括与所述第二有源层通过所述第二过孔电连接第二源极和第二漏极；所述第二过孔延伸至所述第二有源层远离所述第一衬底的表面或者内部，所述第二有源层的材质包括氧化物半导体；所述显示区的所述第一介质层间绝缘层设有多个第三过孔，所述第三过孔延伸至所述第一栅极绝缘层内，且所述第二栅极绝缘层和所述第二介质层间绝缘层覆盖所述第三过孔。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第三过孔的至少部分位于所述第一有源层远离所述第一衬底的表面。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第三过孔与所述第一过孔部分重叠，或者所述第三过孔包围所述第一过孔。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板的非显示区还包括周边区和弯折区，所述周边区包括第四过孔，所述弯折区包括第五过孔，沿靠近所述第一衬底的方向，所述第四过孔和所述第五过孔依次贯穿所述第二介质层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层，并延伸至所述第一衬底内。5.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极层远离所述第一衬底的一侧还设有存储电容电极，所述存储电容电极与所述第一栅极层之间设有第三栅极绝缘层，所述存储电容电极与所述第一栅极层构成存储电容。6.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一介质层间绝缘层与所述第二有源层之间设有第一缓冲层，所述第一缓冲层与所述第三过孔相对的位置设有第六过孔，所述第六过孔与所述第三过孔连通。7.根据权利要求1
‑
4中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨维，袁广才，宁策，王利忠，童彬彬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：