本发明专利技术涉及乙烯基单体和由该单体衍生的高分子体。本发明专利技术的目的是提供可溶于极性低的有机溶剂、另外即使不添加用于提高空穴注入性的掺杂剂也具有高的空穴注入性的高分子体。为此，本发明专利技术提供用右述通式（１）表示的乙烯基单体。式中，Ｘ表示氧原子（Ｏ）或硫原子（Ｓ）的任一个。另外，Ｙ表示氢原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。本发明专利技术还涉及使用该高分子体的发光装置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有促进空穴注入功能的高分子体、以及作为用于合成该 高分子体的材料使用的乙烯基单体。另外，本专利技术涉及使用了该高分子 体的发光元件。
技术介绍
影像显示用显示器是现代生活不可缺少的发光元件之一，始于所谓 的视频监视器，近年来急速发展的液晶显示器、和期待着今后发展的EL (电致发光)显示器等采取各种各样的形态来满足用途。在其中，有机 BL显示器作为下一代的平板显示元件最受关注。构成有机EL显示器的发光元件的发光机理如下，在电极间设置由 有发光性的组合物构成的发光层，通过流过电流，从阴极注入的电子和 从阳极注入的空穴在发光层的发光中心复合，形成分子激子，利用该分 子激子返回基态时放出的光子。因此，向有机薄膜高效地注入空穴和电 子是用于制作高效发光元件的必要条件之一。在典型的场致发光元件的动作条件中，向本来电阻高的有机薄膜注 入100mA/cii^左右的电流。为了实现这样高密度的电流注入，需要尽可 能地减小从阳极注入空穴的势垒和从阴极注入电子的势垒。即，作为阴 极使用功函数小的金属，相反，作为阳极必须选择功函数大的电极。关 于阴极，通过选择各种各样的金属、或者合金，实际上可以任意地控制 功函数。相对于此，在一般的发光元件中，对于阳极由于要求透明性， 因此现状是限于透明的导电性氧化物，考虑稳定性、透明度、电阻率等， 在现时，不得不选择铟-锡氣化物(以下记为ITO)所代表的几种氧化物 导电膜。ITO膜的功函数根据成膜时的过程或表面处理而某种程度地变7化，可增大，但这样的方法有极限。这阻碍了降低空穴注入势垒。作为降低从IT0阳极注入空穴的势垒的一个方法，已知在IT0膜上 插入緩沖层。通过将緩沖层的电离电势最优化，能够降低空穴注入势垒。 将这样的緩沖层叫做空穴注入层。作为起空穴注入层功能的代表，举出 共轭高分子。作为典型的例子，已知聚苯胺(非专利文献1)和聚漆吩 衍生物(非专利文献2)等的共轭高分子。通过使用上迷的材料作为空 穴注入层，空穴注入势垒降低，空穴被高效地注入，其结果发光元件的 效率、寿命提高，驱动电压也能降低。这些高分子材料，只有共轭高分子不能实现充分的空穴注入性，用 于提高空穴注入性的掺杂剂是必需。作为掺杂剂，经常使用聚(苯乙烯 基磺酸)或樟脑磺酸等的强酸性物质，但这样的强酸性物质，例如在有 源矩阵型的显示装置中有给用于驱动发光元件的晶体管造成不良影响 的可能性。而且，这些高分子材料一般只溶解于水或极性高的溶剂中。 因此，将在这些溶剂中溶解上述的共轭高分子材料而制作的高分子溶液 涂布在衬底上后，需要在减压且高温下馏去高沸点的该溶剂。在该方法 中去除溶剂、特别是去除水未必容易，认为由于残留的溶剂而促进元件 的劣化。从这样的技术背景出发，探求着不需要用于提高空穴注入性的掺杂 剂、还可溶于低沸点、即极性低的有机溶剂中的空穴注入性高分子。非专利文献l:Y. Yang，等，Appl. Phys. Lett. 1994、 64、 1245-1247非专利文献2: S. A. Carter,等，Appl. Phys, Lett. 1997、 70、 2067-2069
技术实现思路
本专利技术目的是提供可溶于极性低的有机溶剂、且即使不添加用于提 高空穴注入性的掺杂剂也具有高的空穴注入性的高分子体。本专利技术提供有促进空穴注入功能的高分子体(聚合物或共聚物)、 以及能够作为用于合成该高分子体的材料而使用的乙烯基单体。本专利技术提供用下述通式或结构式(1) ~ (5)表示的乙烯基单体。(式中，X表示氧原子(0)或硫原子(S)的任一个。另外，Y表示氩原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。)<formula>formula see original document page 9</formula>(2)(式中，Y表示氢原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。Z表示氢原子、或者烷基、或者无取代或有取代基的芳基的任一个。)<formula>formula see original document page 9</formula>(3)(式中，X表示氧原子(0)或硫原子(S)的任一个。另外，式中Y表示氢原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的曱硅烷基的任一个。)Y(式中，Y表示氢原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲 硅烷基的任一个。另外，Z表示氢原子、或者烷基、或者无取代或有取 代基的芳基的任一个。)(5)本专利技术提供用下述通式或结构式(6) ~ (IO)表示的聚合物(6)(式中，X表示氧原子(0)或硫原子(S)的任一个。另外，Y表示氩 原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。 另外，n是2以上的整数。)10(7)(式中，Y表示氢原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲 硅烷基的任一个。另外，Z表示氢原子、或者烷基、或者无取代或有取 代基的芳基的任一个。另外，n是2以上的整数。)(8)(式中，X表示氧原子(0)或硫原子(S)的任一个。另外，Y表示氢 原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。 另外，n是2以上的整数。)(9)<formula>formula see original document page 11</formula>(式中，Y表示氩原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲 硅烷基的任一个。另外，Z表示氢原子、或者烷基、或者无取代或有取 代基的芳基的任一个。另外，n是2以上的整数。)(10)(式中，n是2以上的整数。)本专利技术提供用下述通式或结构式(11) ~ (15)表示的共聚物(式中，X表示氧原子(0)或硫原子(S)的任一个。另外，Y表示氢 原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的曱硅烷基的任一个。 另外，R,表示氬原子或烷基。另外，R2表示无取代或有取代基的芳基、 酯基、氰基、酰胺基、烷氧基、幾基羰基烷基、二芳基氨基的任一个。 另外，n和m分别是1以上的整数。)(式中，Y表示氢原子、烷基、芳基、具有坑基或芳基作为取代基的甲 硅烷基的任一个。另外，Z表示氢原子、或者烷基、或者无取代或有取(11)(12)12代基的芳基的任一个。另外，R,表示氢原子或烷基。另外，R,表示无取 代或有取代基的芳基、酯基、氰基、酰胺基、烷氧基、羟基羰基烷基、 二芳基氨基的任一个。另外，n和m分别是1以上的整数。)(式中，X表示氧原子(0)或硫原子(S)的任一个。另外，Y表示氩 原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。 另外，R,表示氢原子或烷基。另外，R2表示无取代或有取代基的芳基、 酯基、氰基、酰胺基、烷氧基、羟基羰基烷基、二芳基氨基的任一个。 另外，n和m分别是1以上的整数。)(14)Y(式中，Y表示氢原子、烷基、芳基、具有烷基或芳基作为取代基的甲 硅烷基的任一个。另外，Z表示氢原子、或者烷基、或者无取代或有取 代基的芳基的任一个。另外，Ri表示氢原子或烷基。另外，Rz表示无取 代或有取代基的芳基、酯基、氰基、酰胺基、烷氧基、羟基羰基烷基、 二芳基氨基的任一个。另外，n和tn分别是l以上的整数。)13(式中，n和m本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用通式（３）表示的乙烯基单体， ＊＊＊ （３） 其中，Ｘ表示氧原子和硫原子的任一个；且 Ｙ表示氢原子、烷基、芳基、和具有烷基或芳基作为取代基的甲硅烷基的任一个。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：高须贵子，濑尾哲史，野村亮二，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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