封装结构及封装方法技术

本申请公开了一种封装结构及封装方法，封装方法包括：提供第一封装体，第一封装体包括导电柱、桥接芯片以及包覆导电柱和桥接芯片的第一封装层，导电柱及桥接芯片的功能层从第一封装层第一表面露出；在第一表面形成转接层；在转接层的背离第一表面的一侧设置多个芯片；形成第二封装层，第二封装层包覆芯片和转接层；对第一封装层的第二表面进行减薄，以露出导电柱；在减薄后的第二表面设置多个焊球。本申请的封装方法，其先封装导电柱和桥接芯片形成第一封装体，再在第一封装体上设置转接层和封装芯片，工艺更加简单，并且，可以避免后期开孔时因缺乏阻挡层而导致控制难度较大的问题以及因刻蚀不完全而导致连接无效的情况。以及因刻蚀不完全而导致连接无效的情况。以及因刻蚀不完全而导致连接无效的情况。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及封装方法


[0001]本申请属于芯片封装
，具体涉及一种封装结构及封装方法。

技术介绍

[0002]在芯片封装领域中，
[0003]随着集成电路的发展，芯片制造已然趋近物理极限，通过先进封装提升芯片性能的概念应运而生。
[0004]为优化芯片之间电气性能，对于封装内的芯片的集成度要求越来越高，不同于传统所有芯片需要通过基板实现芯片之间的电气连接，现有2.5D/3D堆叠的通过基于通孔技术采用具有通孔的介质层或芯片本身硅通孔进行堆叠(TSV、TGV)，作为中介层的硅基板采用Bump和基板相连.但是仅有堆叠表面同基板进行连接，此种方法能够较好实现同类多芯片封装模块化的需求，可对于多重芯片之间非单一的互联难以整合成一个高集成度的封装体。
[0005]相关技术中，为了实现多芯片的小尺寸及高集成度封装，常采用3D封装技术以实现垂直方向的堆叠封装，缩小封装体积，还能提高传输速度。但传统的3D封装技术采用硅通孔技术，工艺技术复杂且成本较高。

技术实现思路

[0006]本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种封装结构及封装方法。
[0007]根据本申请实施例的第一方面，提供一种封装方法，包括：
[0008]提供第一封装体，所述第一封装体包括导电柱、桥接芯片以及包覆导电柱和桥接芯片的第一封装层，所述第一封装层具有相对的第一表面和第二表面，所述导电柱及所述桥接芯片的功能层从所述第一表面露出；
[0009]在所述第一封装层的所述第一表面形成转接层；
[0010]在所述转接层的背离所述第一表面的一侧设置多个芯片，其中，至少部分所述芯片通过所述转接层与所述导电柱电路连接，至少部分相邻的所述芯片通过所述转接层及所述桥接芯片互连；
[0011]形成第二封装层，所述第二封装层包覆所述芯片和所述转接层；
[0012]对所述第一封装层的所述第二表面进行减薄，以露出所述导电柱；
[0013]在减薄后的所述第二表面设置多个焊球，其中，至少部分焊球与所述导电柱电性连接。
[0014]可选地，所述提供第一封装体，包括：
[0015]提供第一玻璃片和第二玻璃片；
[0016]在所述第一玻璃片上形成导电柱；
[0017]在所述第一玻璃片上设置桥接芯片，所述桥接芯片的功能面背向所述第一玻璃
片；
[0018]形成第一塑封层，所述第一塑封层包覆所述导电柱及所述桥接芯片；
[0019]分离所述第一玻璃片，并将所述第一塑封层的背离所述第一玻璃片的一侧与所述第二玻璃片键合；
[0020]形成第二塑封层，所述第二塑封层包覆所述第一塑封层及所述桥接芯片，所述第二塑封层和所述第一塑封层构成所述第一封装层；
[0021]分离所述第二玻璃片，并对所述第一塑封层的背离所述第二塑封层的一侧进行减薄，以露出所述导电柱及所述桥接芯片的功能面。
[0022]可选地，通过去除剥离层以分离所述第一玻璃片和/或所述第二玻璃片。
[0023]可选地，所述在所述第一玻璃片上形成导电柱，包括：
[0024]在所述第一玻璃片上形成种子层；
[0025]在所述种子层的背离所述第一玻璃片的一侧形成介质层；
[0026]图形化所述介质层，以形成深孔；
[0027]在所述深孔内沉积形成导电柱；
[0028]去除所述介质层。
[0029]可选地，所述种子层被所述第一封装层包覆，并且，所述种子层在对所述第一塑封层的所述第二表面进行减薄时去除。
[0030]可选地，采用压合成型工艺形成所述第一封装层和所述第二封装层。
[0031]可选地，在形成第二封装层之前，所述方法还包括：
[0032]在所述芯片与所述转接层之间填充底填胶。
[0033]可选地，在形成第二封装层之后，所述方法还包括：
[0034]在所述第二封装层的背离所述第一封装层的一侧设置散热层。
[0035]可选地，在所述第二封装层的背离所述第一封装层的一侧设置散热层之前，所述方法还包括：
[0036]对所述第二封装层的背离所述第一封装层的一侧进行减薄，以露出所述芯片的非功能面。
[0037]根据本申请实施例的第二方面，提供一种封装结构，所述封装结构由前文所述的封装方法封装形成。
[0038]本申请的上述技术方案具有如下有益的技术效果：
[0039]本申请实施例的封装方法，其先封装导电柱和桥接芯片形成第一封装体，再在第一封装体上设置转接层和封装芯片，相对于现有在封装结构上开孔并制作导电柱的方法，工艺更加简单，并且，可以避免后期开孔时因缺乏阻挡层而导致控制难度较大的问题以及因刻蚀不完全而导致连接无效的情况。
附图说明
[0040]图1是本申请示例性实施例中一种封装方法的流程图；
[0041]图2至图18是本申请示例性实施例中一种封装结构的工艺过程；
[0042]图中，101、第一玻璃片；102、第二玻璃片；103、第一塑封层；104、第二塑封层；110、导电柱；120、桥接芯片；121、导电凸块；130、第一封装层；140、第一剥离层；150、第二剥离
层；160、种子层；170、转接层；181、第一芯片；182、第二芯片；183、第三芯片；184、焊盘；190、底填胶；200、第二封装层；210、焊球；220、散热层。
具体实施方式
[0043]下面将结合附图对本申请的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0044]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0045]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0046]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0047]如图1所示，本申请实施例提供了一种封装方法，包括：
[0048]S110、提供第一封装体，第一封装体包括导电柱110、桥接芯片120以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装方法，其特征在于，包括：提供第一封装体，所述第一封装体包括导电柱、桥接芯片以及包覆导电柱和桥接芯片的第一封装层，所述第一封装层具有相对的第一表面和第二表面，所述导电柱及所述桥接芯片的功能层从所述第一表面露出；在所述第一封装层的所述第一表面形成转接层；在所述转接层的背离所述第一表面的一侧设置多个芯片，其中，至少部分所述芯片通过所述转接层与所述导电柱电路连接，至少部分相邻的所述芯片通过所述转接层及所述桥接芯片互连；形成第二封装层，所述第二封装层包覆所述芯片和所述转接层；对所述第一封装层的所述第二表面进行减薄，以露出所述导电柱；在减薄后的所述第二表面设置多个焊球，其中，至少部分焊球与所述导电柱电性连接。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述提供第一封装体，包括：提供第一玻璃片和第二玻璃片；在所述第一玻璃片上形成导电柱；在所述第一玻璃片上设置桥接芯片，所述桥接芯片的功能面背向所述第一玻璃片；形成第一塑封层，所述第一塑封层包覆所述导电柱及所述桥接芯片；分离所述第一玻璃片，并将所述第一塑封层的背离所述第一玻璃片的一侧与所述第二玻璃片键合；形成第二塑封层，所述第二塑封层包覆所述第一塑封层及所述桥接芯片，所述第二塑封层和所述第一塑封层构成所述第一封装层；分离所述第二玻璃片，并对所述第一塑封层的背离所述第二塑封层的一侧进行减薄，以露出所述导电柱及所述桥接芯片的功...

【专利技术属性】
技术研发人员：李尚轩，赵裕，刘志煌，
申请(专利权)人：南通通富科技有限公司，
类型：发明
国别省市：