用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法技术

用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜，包括薄膜框架和附接至薄膜框架的主膜。主膜包括多个纳米管，每个纳米管包括单壁纳米管或同轴纳米管，并且单壁纳米管或同轴纳米管的最外纳米管为非碳基纳米管。本发明专利技术的实施例还提供了制造用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜的方法。用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜的方法。用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜的方法。

【技术实现步骤摘要】
用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法


[0001]本专利技术的实施例涉及用于EUV光刻掩模的薄膜及其制造方法。

技术介绍

[0002]薄膜是在框架上方拉伸的薄透明膜，该薄膜粘在光掩模的一侧上方，以保护光掩模免受损坏、灰尘和/或湿气。在极紫外(EUV)光刻中，通常需要在EUV波长区域具有高透明度、高机械强度和低热膨胀的薄膜。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一些实施例提供了一种制造用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜的方法，包括：形成包含多个纳米管的纳米管层；在所述纳米管层上方形成二维材料层；以及用所述二维材料层将薄膜框架附接至所述纳米管层。
[0004]本专利技术的另一些实施例提供了一种制造用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜的方法，包括：形成包括多个纳米管的第一纳米管层；形成包括多个纳米管的第二纳米管层；以及在薄膜框架上方堆叠所述第一纳米管层和所述第二纳米管层，其中：所述第一纳米管层的所述多个纳米管沿第一轴布置，并且所述第二纳米管层的所述多个纳米管沿第二轴布置，并且堆叠所述第一纳米管层与所述第二纳米管层，使得所述第一轴与所述第二轴相交。
[0005]本专利技术的又一些实施例提供了一种用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜，包括：薄膜框架；以及主膜，附接至所述薄膜框架，其中：所述主膜包括多个纳米管，每个纳米管包括单壁纳米管或同轴纳米管，并且所述单壁纳米管或所述同轴纳米管的最外纳米管为非碳基纳米管。
附图说明
[0006]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的方面。需要强调的是，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0007]图1A和图1B示出了根据本专利技术的实施例的用于EUV光掩模的薄膜。
[0008]图2A、图2B、图2C和图2D示出了根据本专利技术的实施例的多壁纳米管的各个视图。
[0009]图3A和图3B示出了根据本专利技术的实施例的用于EUV光掩模的薄膜的各个网路膜100。
[0010]图4A、图4B、图4C和图4D示出了根据本专利技术的实施例的用于EUV光掩模的薄膜的网路膜的各个视图。
[0011]图5A、图5B和图5C示出了根据本专利技术的实施例的用于薄膜的纳米管网络膜的制造。
[0012]图6A、图6B、图6C和图6D示出了根据本专利技术的实施例的用于薄膜的纳米管网路膜的制造。
[0013]图7A示出了网路膜的制造工艺，并且图7B示出了根据本专利技术实施例的该制造工艺的流程图。
[0014]图8A、图8B和图8C示出了根据本专利技术的实施例的多壁纳米管的制造工艺。图8D和图8E示出了根据本专利技术的实施例的多壁纳米管的结构。
[0015]图9A、图9B和图9C示出了根据本专利技术的一些实施例的由具有二维材料层的多壁纳米管形成的网路膜。
[0016]图10A和图10B示出了根据本专利技术的实施例的用于制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段中的一个的截面图和平面(顶视)图。
[0017]图11A和图11B示出了根据本专利技术的实施例的用于制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段中的一个的截面图和平面(顶视)图。
[0018]图12A和图12B示出了根据本专利技术的实施例的用于制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段中的一个的截面图和平面(顶视)图。
[0019]图13A和图13B示出了根据本专利技术的实施例的用于制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段中的一个的截面图和平面(顶视)图。
[0020]图14A示出了根据本专利技术的实施例的用于制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段中的一个的截面图和平面(顶视)图。图14B示出了根据本专利技术的实施例的用于制造用于EUV光掩模的薄膜的各个阶段的截面图。
[0021]图15A、图15B和图15C示出了根据本专利技术的实施例的制造用于EUV光掩模的薄膜的流程图。
[0022]图16A、图16B、图16C、图16D和图16E示出了根据本专利技术的实施例的用于EUV光掩模的薄膜的透视图。
[0023]图17A示出了制作半导体器件的方法的流程图，图17B、图17C、图17D和图17E示出了根据本专利技术的实施例的制作半导体器件的方法的顺序制造操作。
具体实施方式
[0024]应该理解，以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同部件的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实施例或实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，元件的尺寸不限于所公开的范围或值，而是可以取决于器件的工艺条件和/或期望特性。此外，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括可以形成介于第一部件和第二部件之间的额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。为了简单和清晰，各个部件可以以不同的比例任意绘制。在附图中，为了简化可以省略一些层/部件。
[0025]此外，为了便于描述，本文可以使用诸如“在
…
之下”、“在
…
下方”、“下部”、“在
…
之上”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。此外，术语“由
…
制成”可以表示“包括”或“由
…
组成”。此外，在以下制造工艺中，在所描述的操作之间可能存在一个或多个额外的操作，并且操作
的顺序可以改变。在本专利技术中，短语“A、B和C中的至少一个”表示A、B、C、A+B、A+C、B+C或A+B+C中的任何一个，而不表示来自A的一个、来自B的一个和来自C的一个，除非另有解释。利用一个实施例解释的材料、配置、结构、操作和/或尺寸可以应用于其它实施例，并且可以省略它们的详细描述。
[0026]EUV光刻是用于扩展摩尔定律的关键技术中的一个。然而，由于从193nm(ArF)至13.5nm的波长缩放，EUV光源由于环境吸附而遭受强烈的功率衰减。即使步进机/扫描仪室在真空下操作以防止气体对EUV的强烈吸附，但是保持从EUV光源至晶圆的高EUV透射率仍然是EUV光刻中的重要因素。
[0027]薄膜通常需要高透明度和低反射率。在UV或DUV光刻中，薄膜由透明树脂膜制成。然而，在EUV光刻中，基于树脂的膜是不可接受的，并且使用非有机材料，诸如多晶硅、硅化物或金属膜。
[0028]碳纳米管(CNT)是适合用于EUV反射光掩模的薄膜的材料中的一个，因为CNT具有超过96.5％的高EUV透射率。通常，用于EUV反射掩模的薄膜需要以下特性：(1)在EUV步进机/扫描仪中的富氢自由基操作环境中的长寿命；(2)强的机械强度，以最小化真空抽气和排气操作期间的垂度效应；(3)对大于约20nm的粒子(杀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造用于极紫外(EUV)反射掩模的薄膜的方法，包括：形成包含多个纳米管的纳米管层；在所述纳米管层上方形成二维材料层；以及用所述二维材料层将薄膜框架附接至所述纳米管层。2.根据权利要求1所述的方法，其中：所述纳米管层包括所述多个纳米管的网，并且所述二维材料层从作为晶种的所述网的交点开始生长。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述二维材料层为选自由氮化硼和过渡金属二硫族化合物(TMD)组成的组中的一种，其中，过渡金属二硫族化合物由MX2表示，其中，M为Mo、W、Pd、Pt或Hf中的一种或多种，并且X为S、Se或Te中的一种或多种。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述二维材料层的厚度在0.3nm至3nm的范围内。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述二维材料层的层数量为1至10。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个纳米管是单壁纳米管。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述单壁纳米管由非碳基材料制成。8.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵子昂，李明洋，郑兆钦，汪涵，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：