本实用新型专利技术提供了一种半导体工艺设备的反应腔室，包括：相互匹配密封的内腔体和内盖板，以及相互匹配密封的外腔体和外盖板，该内腔体和该内盖板构成内腔室以用作晶圆反应腔室，该外腔体和该外盖板将该内腔室包裹在内并在该内腔室的外周留有空余空间，该内腔室与该外盖板和该外腔体之间还设有多个内外贯穿的通孔，在该通孔处设有通孔连接机构以支撑内外腔室的连接并确保密封。腔室的连接并确保密封。腔室的连接并确保密封。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体工艺设备的反应腔室
[0001]本技术涉及一种半导体工艺设备的反应腔室。
技术介绍
[0002]在半导体工艺设备例如薄膜沉积的设备中，不同的化学薄膜沉积反应能够正常进行的一般条件需要设备中的反应腔室内在接近真空或惰性气氛下，达到300℃左右或更高温度，才能进行相应的化学反应。
[0003]然而，现有技术中半导体工艺设备的反应腔室中的腔体通常与外部环境直接接触，使得反应腔室内部的热量很容易散发出去，造成能量损失。与此同时，反应腔室散发的热量会使腔体外表面温度较高，容易对人员造成烫伤，给工艺操作带来不便。
[0004]因此，为了克服现有技术中存在的上述缺陷，本领域亟需一种半导体工艺设备的反应腔室，通过减少反应腔室与外部环境的直接接触面积以及降低腔室结构的热传导率，来减少腔内热量向外扩散形成的能量损失，同时降低工艺设备最外层壳体的温度，避免对不小心接触到腔体或盖板的操作人员造成烫伤等危险。
技术实现思路
[0005]为了克服上述缺陷，本技术提供了一种半导体工艺设备的反应腔室，其特征在于，包括：相互匹配密封的内腔体和内盖板，以及相互匹配密封的外腔体和外盖板，该内腔体和该内盖板构成内腔室以用作晶圆反应腔室，该外腔体和该外盖板将该内腔室包裹在内并在该内腔室的外周留有空余空间，该内腔室与该外盖板和该外腔体之间还设有多个内外贯穿的通孔，在该通孔处设有通孔连接机构以支撑内外腔室的连接并确保密封。
[0006]在一实施例中，优选地，在本技术提供的半导体工艺设备的反应腔室中，在该外盖板和该外腔体上还开有孔洞用于外接抽气泵以对该空余空间抽真空。
[0007]在一实施例中，可选地，在本技术提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该空余空间用于填充保温介质以对该内腔室进行保温隔热。
[0008]在一实施例中，优选地，在本技术提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该内腔体和该内盖板的连接处与该外腔体和该外盖板的连接处位于同一平面，在该平面上沿该内腔室的外周还设有端面连接机构，该端面连接机构用于连接内外腔室并确保盖板连接处的密封。
[0009]在一实施例中，优选地，在本技术提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该端面连接机构包括连接支架，该连接支架与内外腔室盖板连接处之间的形状紧密配合，该内盖板、该外盖板、该内腔体及该外腔体分别通过螺钉与该连接支架固定连接，该连接支架与该内盖板、该外盖板、该内腔室及该外腔室的接触面上还设有密封圈以确保连接密封，该内腔体与该内盖板的连接面上也设有密封圈。
[0010]在一实施例中，优选地，在本技术提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该连接支架采用热导率低的隔热材料。
[0011]在一实施例中，优选地，在本技术提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该通孔连接机构包括套设在该通孔外周的支撑套，该支撑套与内外腔室通孔位置之间的形状紧密配合，该内外腔室分别通过螺钉与该支撑套固定连接，该内外腔室与该支撑套的接触面上还均设有密封圈以确保连接密封。
[0012]在一实施例中，优选地，在本技术提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该支撑套采用热导率低的隔热材料。
[0013]在一实施例中，优选地，在本技术提供的半导体工艺设备的反应腔室中，在该内腔室内部设有举升加热装置和喷淋板，该举升加热装置通过贯穿该内腔体和该外腔体的通孔安装连接，该喷淋板顶部通过贯穿该内盖板和该外盖板的通孔外接工艺气体。
[0014]在一实施例中，优选地，在本技术提供的半导体工艺设备的反应腔室中，该通孔还包括用于对该内腔室进行抽真空和排气的第一通孔。
[0015]本技术提供的半导体工艺设备的反应腔室，通过减少反应腔室与外部环境的直接接触面积以及降低腔室结构的热传导率，来减少腔内热量向外扩散形成的能量损失，同时降低工艺设备最外层壳体的温度，避免对不小心接触到腔体或盖板的操作人员造成烫伤等危险。
附图说明
[0016]在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本技术的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
[0017]图1是根据现有技术中半导体工艺设备的反应腔室的一实例绘示的装置结构示意图；
[0018]图2是根据本技术的一实施例绘示的半导体工艺设备的反应腔室的装置结构示意图；
[0019]图3A是根据本技术的一实施例绘示的半导体工艺设备的反应腔室中端面连接机构的装置结构示意图；
[0020]图3B是根据本技术的一实施例绘示的半导体工艺设备的反应腔室中通孔连接机构的装置结构示意图；
[0021]图4是根据本技术的一实施例绘示的半导体工艺设备的反应腔室中端面连接支架的装置结构示意图；
[0022]图5是根据本技术的一实施例绘示的半导体工艺设备的反应腔室中通孔支撑套的装置结构示意图；
[0023]图6是根据本技术的一实施例绘示的半导体工艺设备的反应腔室的装置结构剖视图；以及
[0024]图7是根据本技术的一实施例绘示的半导体工艺设备的反应腔室底部的装置结构示意图。
[0025]为清楚起见，以下给出附图标记的简要说明：
[0026]101腔体
[0027]102盖板
[0028]103举升加热装置
[0029]104喷淋板
[0030]105晶圆
[0031]106反应气体
[0032]107抽气泵
[0033]201内腔体
[0034]202内盖板
[0035]203外腔体
[0036]204外盖板
[0037]205通孔
[0038]206抽气泵
[0039]207端面连接机构
[0040]208通孔连接机构
[0041]209工艺气体
[0042]210举升加热装置
[0043]211喷淋板
[0044]212晶圆
[0045]301a、301b连接支架
[0046]302螺钉
[0047]303密封圈
[0048]304支撑套
[0049]305螺钉
[0050]306密封圈
[0051]401螺钉安装孔
[0052]402密封圈安装槽
[0053]501螺钉安装孔
[0054]502密封圈安装槽
[0055]601第一孔
[0056]602第二孔
[0057]603内腔室
[0058]701第三孔
[0059]702第四孔
[0060]703第五孔
具体实施方式
[0061]以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。虽然本技术的描述将结合优选实施例一起介绍，但本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备的反应腔室，其特征在于，包括：相互匹配密封的内腔体和内盖板，以及相互匹配密封的外腔体和外盖板，所述内腔体和所述内盖板构成内腔室以用作晶圆反应腔室，所述外腔体和所述外盖板将所述内腔室包裹在内并在所述内腔室的外周留有空余空间，所述内腔室与所述外盖板和所述外腔体之间还设有多个内外贯穿的通孔，在所述通孔处设有通孔连接机构以支撑内外腔室的连接并确保密封。2.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，在所述外盖板和所述外腔体上还开有孔洞用于外接抽气泵以对所述空余空间抽真空。3.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述空余空间用于填充保温介质以对所述内腔室进行保温隔热。4.如权利要求1所述的反应腔室，其特征在于，所述内腔体和所述内盖板的连接处与所述外腔体和所述外盖板的连接处位于同一平面，在该平面上沿所述内腔室的外周还设有端面连接机构，所述端面连接机构用于连接内外腔室并确保盖板连接处的密封。5.如权利要求4所述的反应腔室，其特征在于，所述端面连接机构包括连接支架，所述连接支架与内外腔室盖板连接处之间的形状紧密配合，所述内盖板、...
【专利技术属性】
技术研发人员：卜夺夺，吴凤丽，刘振，杨华龙，杨天奇，张启辉，
申请(专利权)人：拓荆科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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