一种阵列基板及显示面板制造技术

本申请公开了一种阵列基板及显示面板，其中，阵列基板包括：衬底；多个背板电极，位于所述衬底的第一表面一侧；保护层，位于所述第一表面一侧，且覆盖所述背板电极；其中，所述保护层的导热系数大于或等于400W/(m*k)，所述保护层对应每个所述背板电极的位置设置有开口，部分所述背板电极从所述开口中露出的区域用于与发光芯片邦定连接。通过上述方式，能够延长发光芯片的散热路径，有效提高发光芯片的散热性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及显示面板


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]微型化LED(Micro LED)芯片显示技术，即发光芯片的微缩化和矩阵化技术，是指在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，其具有效率高，响应时间短，寿命长、工作范围宽等优点，如今已广泛应用于电视、增强和虚拟现实(AR/VR)、车载显示、可穿戴设备以及智能手机等终端产品上。
[0003]然而，专利技术人经过长期研究发现，在使用过程中发光芯片的温度会随着使用时间的推移而逐渐升高，当温度达到一定阈值时，芯片材料内部原本存在的缺陷会发生快速增殖和繁衍，此时发光芯片的发光层存在被缺陷侵入的风险，可能对发光芯片的发光效率、芯片寿命以及显示面板的寿命带来不利影响。鉴于此，如何解决发光芯片的散热问题成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本申请主要解决的技术问题是提供一种阵列基板及显示面板，能够延长发光芯片的散热路径，有效提高发光芯片的散热性能。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括衬底；多个背板电极，位于所述衬底的第一表面一侧；保护层，位于所述第一表面一侧，且覆盖所述背板电极；其中，所述保护层的导热系数大于或等于400W/(m*k)，所述保护层对应每个所述背板电极的位置设置有开口，部分所述背板电极从所述开口中露出的区域用于与发光芯片邦定连接。该设计方式中由于发光芯片在工作过程中会产生大量热量，利用导热系数大于或等于400W/(m*k)的保护层，使得发光芯片的热量通过背板电极传递至导热性能较好的保护层，能够为发光芯片提供散热渠道，有效延长发光芯片的散热路径，提升发光芯片的散热性能，进而提高发光芯片的可靠性。
[0006]其中，在沿所述衬底至所述背板电极的方向上，所述保护层的电阻率逐渐增加。该设计方式可以延长发光芯片的散热路径和水氧路径，进一步提高发光芯片的可靠性。
[0007]其中，在沿所述衬底至所述背板电极的方向上，所述保护层包括依次层叠设置的掺杂保护层和非掺杂保护层；其中，所述掺杂保护层包括主体材料和掺杂材料，所述掺杂保护层的所述主体材料的导热系数和所述非掺杂保护层的导热系数大于或等于400W/(m*k)；优选地，所述掺杂保护层的主体材料的材质与所述非掺杂保护层的材质相同；优选地，所述掺杂保护层的主体材料的材质与所述非掺杂保护层的材质包括类金刚石。该设计方式可以使得保护层的导电能力在沿衬底至背板电极的方向上呈梯度变化，减少各膜层之间的分层和脱落现象。
[0008]其中，所述掺杂保护层包括依次层叠设置的第一掺杂子保护层和第二掺杂子保护层，且所述第一掺杂子保护层位于所述第一表面和所述第二掺杂子保护层之间；其中，所述
第一掺杂子保护层中掺杂材料包括金属，所述第二掺杂子保护层中掺杂材料包括非金属；优选地，所述第一掺杂子保护层中掺杂材料的质量占所述第一掺杂子保护层总质量小于或等于10％；所述第二掺杂子保护层中掺杂材料的质量占所述第二掺杂子保护层总质量小于或等于30％。该设计方式可以使得第一掺杂子保护层和第二掺杂子保护层之间的弹性模量实现过渡，提高弯曲、折叠或载荷作用时的变形协调性，减少分层剥落的现象。
[0009]其中，在沿所述衬底至所述背板电极的方向上，所述第一掺杂子保护层中金属的掺杂比例逐渐降低；和/或，在沿所述衬底至所述背板电极的方向上，所述第二掺杂子保护层中非金属的掺杂比例逐渐降低。该设计方式使得第一掺杂子保护层和第二掺杂子保护层中各层之间的弹性模量实现更加平滑的过渡，进一步防止分层现象的出现。
[0010]其中，所述阵列基板还包括薄膜晶体管层，位于所述多个背板电极和所述第一表面之间，且所述薄膜晶体管层内邻近所述背板电极的位置设置有朝向所述衬底延伸的盲孔。该设计方式能够提升发光芯片的散热性能，提高发光芯片的可靠性。
[0011]其中，所述盲孔的一端与所述背板电极连通；或者，所述背板电极与所述薄膜晶体管层中最远离所述衬底的金属层电连接，所述盲孔的一端与最远离所述衬底的金属层连通。该设计方式能够直接将发光芯片的热量输送至盲孔中，有效提升发光芯片的散热性能。
[0012]其中，所述薄膜晶体管层包括：半导体层，位于所述第一表面一侧，包括多个沟道区域和位于每个所述沟道区域两侧的第一导体化区域和第二导体化区域；图案化的第一金属层，位于所述半导体层背离所述第一表面一侧；图案化的第二金属层，位于所述第一金属层背离所述第一表面一侧；图案化的第三金属层，位于所述第二金属层背离所述第一表面一侧，且所述第三金属层设置有与所述第一导体化区域电连接的第一通路端、以及与所述第二导体化区域电连接的第二通路端；且所述第一通路端与所述背板电极电连接；其中，所述盲孔自所述第一通路端背离所述背板电极一侧延伸至所述第一表面；或者，所述盲孔自所述背板电极面向所述衬底一侧延伸至所述第一表面；优选地，在所述盲孔的延伸方向上，所述盲孔包括第一子盲孔和第二子盲孔，所述第一子盲孔与所述第二子盲孔之间设置有所述第一金属层和/或所述第二金属层。该设计方式能够为发光芯片提供有效的散热渠道。
[0013]其中，所述背板电极从所述开口中露出的区域表面设置有凹凸结构。该设计方式能够有效延长发光芯片的散热路径，提高发光芯片的使用寿命。
[0014]为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板，包括如上述任一实施例中所提及的阵列基板和多个发光芯片，所述发光芯片与所述背板电极绑定连接。该设计方式可以使得显示面板具备散热性能好、使用寿命长、显示质量高的优点。
[0015]区别于现有技术的情况，本申请的有益效果是：本申请中提供一种阵列基板及显示面板，其中，阵列基板包括衬底；多个背板电极，位于衬底的第一表面一侧；保护层，位于第一表面一侧，且覆盖背板电极；其中，保护层的导热系数大于或等于400W/(m*k)，保护层对应每个背板电极的位置设置有开口，部分背板电极从开口中露出的区域用于与发光芯片邦定连接。通过上述设计方案，由于发光芯片在工作过程中会产生大量热量，利用导热系数大于或等于400W/(m*k)的保护层，使得发光芯片的热量通过背板电极传递至导热性能较好的保护层，能够为发光芯片提供散热渠道，有效延长发光芯片的散热路径，提升发光芯片的散热性能，进而提高发光芯片的可靠性。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
[0017]图1是本申请阵列基板一实施方式的结构示意图；
[0018]图2是图1中保护层一实施方式的结构示意图；
[0019]图3是图2中掺杂保护层一实施方式的结构示意图；
[0020]图4是本申请阵列基板又一实施方式的结构示意图；
[0021]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；多个背板电极，位于所述衬底的第一表面一侧；保护层，位于所述第一表面一侧，且覆盖所述背板电极；其中，所述保护层的导热系数大于或等于400W/(m*k)，所述保护层对应每个所述背板电极的位置设置有开口，部分所述背板电极从所述开口中露出的区域用于与发光芯片邦定连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，在沿所述衬底至所述背板电极的方向上，所述保护层的电阻率逐渐增加。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在沿所述衬底至所述背板电极的方向上，所述保护层包括依次层叠设置的掺杂保护层和非掺杂保护层；其中，所述掺杂保护层包括主体材料和掺杂材料，所述掺杂保护层的所述主体材料的导热系数和所述非掺杂保护层的导热系数大于或等于400W/(m*k)；优选地，所述掺杂保护层的主体材料的材质与所述非掺杂保护层的材质相同；优选地，所述掺杂保护层的主体材料的材质与所述非掺杂保护层的材质包括类金刚石。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述掺杂保护层包括依次层叠设置的第一掺杂子保护层和第二掺杂子保护层，且所述第一掺杂子保护层位于所述第一表面和所述第二掺杂子保护层之间；其中，所述第一掺杂子保护层中掺杂材料包括金属，所述第二掺杂子保护层中掺杂材料包括非金属；优选地，所述第一掺杂子保护层中掺杂材料的质量占所述第一掺杂子保护层总质量小于或等于10％；所述第二掺杂子保护层中掺杂材料的质量占所述第二掺杂子保护层总质量小于或等于30％。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，在沿所述衬底至所述背板电极的方向上，所述第一掺杂子保护层中金属的掺杂比例逐渐降低；和/或，在沿所述衬底至所述背板电极的方向上，所述第二掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘娜，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：