存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：在第一操作模式中，将实体管理单元设定为横跨可复写式非易失性存储器模块中的N个实体区域；在第二操作模式中，将所述实体管理单元设定为横跨可复写式非易失性存储器模块中的M个实体区域，其中N大于M；以及基于所述实体管理单元来存取可复写式非易失性存储器模块。由此，可提高可复写式非易失性存储器模块的管理弹性及性能表现。弹性及性能表现。弹性及性能表现。

【技术实现步骤摘要】
存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元


[0001]本专利技术涉及一种存储器管理技术，尤其涉及一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。

技术介绍

[0002]移动电话、平板计算机及笔记本计算机在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non
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volatile memory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。
[0003]随着可复写式非易失性存储器模块的容量逐渐增大，可复写式非易失性存储器模块内部的实体管理单元也从单一实体块扩大为包含多个实体块的虚拟块。但是，固定大小的虚拟块，除了缺乏管理弹性外，也无法让可复写式非易失性存储器模块在不同的操作情境下皆提供最佳的性能表现。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可提高可复写式非易失性存储器模块的管理弹性及性能表现。
[0005]本专利技术的范例实施例提供一种存储器管理方法，其用于可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体区域。所述存储器管理方法包括：在第一操作模式中，将实体管理单元设定为横跨所述多个实体区域中的N个实体区域；在第二操作模式中，将所述实体管理单元设定为横跨所述多个实体区域中的M个实体区域，且N大于M；以及基于所述实体管理单元来存取所述可复写式非易失性存储器模块。
[0006]在本专利技术的一范例实施例中，所述的存储器管理方法还包括：检测目标事件；以及响应于所述目标事件，将所述可复写式非易失性存储器模块的操作模式从所述第一操作模式切换为所述第二操作模式。
[0007]在本专利技术的一范例实施例中，所述的存储器管理方法还包括：响应于所述目标事件完成，将所述操作模式从所述第二操作模式回复为所述第一操作模式。
[0008]在本专利技术的一范例实施例中，所述目标事件包括断电事件、上电事件及表格写入事件的其中之一。
[0009]在本专利技术的一范例实施例中，所述目标事件更反映所述可复写式非易失性存储器模块中的闲置实体单元的总数小于临界值，且所述闲置实体单元未存储有效数据。
[0010]在本专利技术的一范例实施例中，基于所述实体管理单元来存取所述可复写式非易失性存储器模块的步骤包括：在所述第一操作模式中，将第一数据连续写入所述N个实体区域中；以及在所述第二操作模式中，将第二数据连续写入所述M个实体区域中。
[0011]在本专利技术的一范例实施例中，所述的存储器管理方法还包括：启动数据整并操作。所述数据整并操作包括：从操作于所述第一操作模式的所述N个实体区域中收集有效数据；
以及基于所述第二操作模式将所述有效数据存储至所述M个实体区域中。
[0012]在本专利技术的一范例实施例中，所述多个实体区域对应于所述可复写式非易失性存储器模块中的多个晶粒、多个芯片使能区域或多个平面。
[0013]本专利技术的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体区域。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以：在第一操作模式中，将实体管理单元设定为横跨所述多个实体区域中的N个实体区域；在第二操作模式中，将所述实体管理单元设定为横跨所述多个实体区域中的M个实体区域，其中N大于M；以及基于所述实体管理单元来存取所述可复写式非易失性存储器模块。
[0014]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以：检测目标事件；以及响应于所述目标事件，将所述可复写式非易失性存储器模块的操作模式从所述第一操作模式切换为所述第二操作模式。
[0015]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以：响应于所述目标事件完成，将所述操作模式从所述第二操作模式回复为所述第一操作模式。
[0016]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元基于所述实体管理单元来存取所述可复写式非易失性存储器模块的操作包括：在所述第一操作模式中，指示将第一数据连续写入所述N个实体区域中；以及在所述第二操作模式中，指示将第二数据连续写入所述M个实体区域中。
[0017]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以：启动数据整并操作。所述数据整并操作包括：指示从操作于所述第一操作模式的所述N个实体区域中收集有效数据；以及指示基于所述第二操作模式将所述有效数据存储至所述M个实体区域中。
[0018]本专利技术的范例实施例另提供一种存储器控制电路单元，其用于控制可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体区域。所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系统。所述存储器接口用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理电路连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路用以：在第一操作模式中，将实体管理单元设定为横跨所述多个实体区域中的N个实体区域；在第二操作模式中，将所述实体管理单元设定为横跨所述多个实体区域中的M个实体区域，且N大于M；以及基于所述实体管理单元来存取所述可复写式非易失性存储器模块。
[0019]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路还用以：检测目标事件；以及响应于所述目标事件，将所述可复写式非易失性存储器模块的操作模式从所述第一操作模式切换为所述第二操作模式。
[0020]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路还用以：响应于所述目标事件完成，将所述操作模式从所述第二操作模式回复为所述第一操作模式。
[0021]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路基于所述实体管理单元来存取所述可复写式非易失性存储器模块的操作包括：在所述第一操作模式中，指示将第一数据连续写入所述N个实体区域中；以及在所述第二操作模式中，指示将第二数据连续写入所述M个实体区域中。
[0022]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路还用以：启动数据整并操作。所述数据整并操作包括：指示从操作于所述第一操作模式的所述N个实体区域中收集有效数据；以及指示基于所述第二操作模式将所述有效数据存储至所述M个实体区域中。
[0023]基于上述，在不同的操作模式中，实体管理单元可被设定为横跨可复写式非易失性存储器模块中不同数量的实体区域。通过弹性设置的实体管理单元来存取可复写式非易失性存储器模块，可复写式非易失性存储器模块的管理弹性及性能表现可被提升。
附图说明
[0024]图1是根据本专利技术的范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图；
[0025]图2是根据本专利技术的范例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器管理方法，其特征在于，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体区域，且所述存储器管理方法包括：在第一操作模式中，将实体管理单元设定为横跨所述多个实体区域中的N个实体区域；在第二操作模式中，将所述实体管理单元设定为横跨所述多个实体区域中的M个实体区域，且N大于M；以及基于所述实体管理单元来存取所述可复写式非易失性存储器模块。2.根据权利要求1所述的存储器管理方法，还包括：检测目标事件；以及响应于所述目标事件，将所述可复写式非易失性存储器模块的操作模式从所述第一操作模式切换为所述第二操作模式。3.根据权利要求2所述的存储器管理方法，还包括：响应于所述目标事件完成，将所述操作模式从所述第二操作模式回复为所述第一操作模式。4.根据权利要求2所述的存储器管理方法，其中所述目标事件包括断电事件、上电事件及表格写入事件的其中之一。5.根据权利要求4所述的存储器管理方法，其中所述目标事件更反映所述可复写式非易失性存储器模块中的闲置实体单元的总数小于临界值，且所述闲置实体单元未存储有效数据。6.根据权利要求1所述的存储器管理方法，其中基于所述实体管理单元来存取所述可复写式非易失性存储器模块的步骤包括：在所述第一操作模式中，将第一数据连续写入所述N个实体区域中；以及在所述第二操作模式中，将第二数据连续写入所述M个实体区域中。7.根据权利要求1所述的存储器管理方法，还包括：启动数据整并操作，其中所述数据整并操作包括：从操作于所述第一操作模式的所述N个实体区域中收集有效数据；以及基于所述第二操作模式将所述有效数据存储至所述M个实体区域中。8.根据权利要求1所述的存储器管理方法，其中所述多个实体区域对应于所述可复写式非易失性存储器模块中的多个晶粒、多个芯片使能区域或多个平面。9.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：连接接口单元，用以连接至主机系统；可复写式非易失性存储器模块，其包括多个实体区域；以及存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述存储器控制电路单元用以：在第一操作模式中，将实体管理单元设定为横跨所述多个实体区域中的N个实体区域；在第二操作模式中，将所述实体管理单元设定为横跨所述多个实体区域中的M个实体区域，其中N大于M；以及基于所述实体管理单元来存取所述可复写式非易失性存储器模块。
10.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元还用以：检测目标事件；以及响应于所述目标事件，将所述可复写式非易失性存储器模块的操作模式从所述第一操作模式切换为所述第二操作模式。11.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元还用以：响应于所述目标事件完成，将所述操作模式从所述第二操作模式回复为所述第一操作模式。12.根据权利要求10所述的存储器存储装置，其中所述目标事件包括断电事件、上电事件及表格写入事件的其中之一。13.根据权利要求12所述的存储器存储装置，其中所述目标事件更反映所述可复写式非易失性存储器模块中的闲置实体单元的总数...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶志刚，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：