降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法技术

本发明专利技术涉及一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，所属半导体加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：使用TSC

【技术实现步骤摘要】
降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体涉及一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法。

技术介绍

[0002]中国专利《一种研磨硅片清洗方法》，申请号为：201910105318.9，公开了其方法依次包括预清洗和清洗步骤，其中预清洗依次顺序包括鼓泡吹洗、预清洗液清洗和纯水清洗；清洗包括免超声药液清洗和纯水清洗，其中免超声药液清洗和纯水清洗交替进行若干次。
[0003]免超声药液清洗和纯水清洗交替进行的步骤包括：第一次纯水清洗、第一次碱洗液清洗、第二次纯水清洗、第二次碱洗液清洗、第三次纯水清洗、氧化清洗液清洗，第四次纯水清洗；优选的，第四次纯水清洗后对研磨硅片甩干。
[0004]胶带研磨工艺是硅片断面处理方法的一种。工作原理是使用特殊胶带通过轮盘带动转动，将硅片边缘倒角上的二氧化硅或多晶硅研磨去除，并且研磨出指定的倒角宽幅和角度。在胶带研磨后，磨下来的二氧化硅以及多晶硅会吸附在硅片表面难以去除，虽然胶带研磨机自带有冲洗功能，但能力有限，必须在其工艺完成后进行再次洗净。
[0005]目前工艺过程：胶带研磨后洗净是采用纯水
‑
TSC
‑1‑
纯水
‑
SC
‑1‑
纯水进行洗净。这种洗净能去除大部分颗粒，但对细小颗粒和金属去除能力有限。

技术实现思路

[0006]本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，将硅片表面颗粒污染降到0.3um≤50颗以内，金属Na、Al污染降到20E10以内，Cr，Fe，Ni，Cu降到5F10以内。
[0007]本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：
[0008]一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，包括如下操作步骤：
[0009]第一步：使用TSC
‑
1活化剂与水的混合物对胶带研磨后的硅片进行浸泡清洗，体积比例为0.8∶59.2，使硅片表面的颗粒活化。
[0010]第二步：采用去离子水冲洗，达到去除颗粒的作用。
[0011]第三步：使用由体积比为4∶6∶50的NH4OH、H2O2和H2O组成的SC
‑
1清洗液对硅片进行浸泡清洗。
[0012]第四步：接着再使用SC
‑
1清洗液对硅片进行第二次的浸泡清洗。
[0013]第五步：通过QDR工艺进行硅片表面进行冲洗、鼓泡、风淋，去除硅片表面的可溶性络合离子。
[0014]第六步：采用由体积比为2∶5∶53的HCl、H2O2、H2O组成的SC
‑
2清洗液对硅片进行浸泡清洗。
[0015]第七步：通过QDR工艺进行硅片表面进行冲洗、鼓泡、风淋，去除硅片表面的可溶性络合离子。
[0016]第八步：采用去离子水冲洗，进一步去除硅片表面的金属离子，最后进行烘干完成清洗过程。
[0017]作为优选，硅片在60℃温度下通过TSC
‑
1活化剂与水的混合物进行浸泡清洗7min。
[0018]作为优选，硅片在60℃温度下通过SC
‑
1清洗液进行浸泡清洗7min。
[0019]作为优选，SC
‑
1清洗液通过H2O2的氧化和NH4OH的腐蚀可有效去除硅片表面氧化层，使金属杂质随着腐蚀层剥落，H2O2将硅片表面的Cu、Au、Ag原子氧化为离子状态，同时NH3可以和Cu
2+
、Ag
+
络合为可溶性络合离子。
[0020]作为优选，硅片在60℃温度下通过SC
‑
2清洗液进行浸泡清洗7min。
[0021]作为优选，SC
‑
2清洗液将碱金属离子及Al
3+
、Fe
3+
和Mg
2+
在SC
‑
1溶液中形成的不溶的氢氧化物反应生成与水的络合物。
[0022]作为优选，QDR工艺步骤如下：
[0023]步骤1：注水、鼓泡、喷淋同时开启100秒。
[0024]步骤2：喷淋、快排同时开启30秒。
[0025]步骤3：注水、鼓泡、喷淋同时开启100秒。
[0026]步骤4：喷淋、快排同时开启30秒。
[0027]本专利技术能够达到如下效果：
[0028]本专利技术提供了一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，与现有技术相比较，将硅片表面颗粒污染降到0.3um≤50颗以内，金属Na、Al污染降到20E10以内，Cr，Fe，Ni，Cu降到5F10以内。
具体实施方式
[0029]下面通过实施例，对专利技术的技术方案作进一步具体的说明。
[0030]实施例：一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，包括如下操作步骤：
[0031]第一步：使用TSC
‑
1活化剂与水的混合物对胶带研磨后的硅片进行浸泡清洗，体积比例为0.8：59.2，使硅片表面的颗粒活化。
[0032]硅片在60℃温度下通过TSC
‑
1活化剂与水的混合物进行浸泡清洗7min。
[0033]第二步：采用去离子水冲洗，达到去除颗粒的作用。
[0034]第三步：使用由体积比为4∶6∶50的NH4OH、H2O2和H2O组成的SC
‑
1清洗液对硅片进行浸泡清洗。
[0035]第四步：接着再使用SC
‑
1清洗液对硅片进行第二次的浸泡清洗。
[0036]硅片在60℃温度下通过SC
‑
1清洗液进行浸泡清洗7min。SC
‑
1清洗液通过H2O2的氧化和NH4OH的腐蚀可有效去除硅片表面氧化层，使金属杂质随着腐蚀层剥落，H2O2将硅片表面的Cu、Au、Ag原子氧化为离子状态，同时NH3可以和Cu
2+
、Ag
+
络合为可溶性络合离子。
[0037]第五步：通过QDR工艺进行硅片表面进行冲洗、鼓泡、风淋，去除硅片表面的可溶性络合离子。QDR工艺步骤如下：
[0038]步骤1：注水、鼓泡、喷淋同时开启100秒。
[0039]步骤2：喷淋、快排同时开启30秒。
[0040]步骤3：注水、鼓泡、喷淋同时开启100秒。
[0041]步骤4：喷淋、快排同时开启30秒。
[0042]第六步：采用由体积比为2∶5∶53的HCl、H2O2、H2O组成的SC
‑
2清洗液对硅片进行浸泡清洗。
[0043]硅片在60℃温度下通过SC
‑
2清洗液进行浸泡清洗7min。SC
‑
2清洗液将碱金属离子及Al
3+
、Fe
3+
和Mg
2+
在SC
‑
1溶液中形成的不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：使用TSC
‑
1活化剂与水的混合物对胶带研磨后的硅片进行浸泡清洗，体积比例为0.8：59.2，使硅片表面的颗粒活化；第二步：采用去离子水冲洗，达到去除颗粒的作用；第三步：使用由体积比为4∶6∶50的NH4OH、H2O2和H2O组成的SC
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1清洗液对硅片进行浸泡清洗；第四步：接着再使用SC
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1清洗液对硅片进行第二次的浸泡清洗；第五步：通过QDR工艺进行硅片表面进行冲洗、鼓泡、风淋，去除硅片表面的可溶性络合离子；第六步：采用由体积比为2∶5∶53的HCl、H2O2、H2O组成的SC
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2清洗液对硅片进行浸泡清洗；第七步：通过QDR工艺进行硅片表面进行冲洗、鼓泡、风淋，去除硅片表面的可溶性络合离子；第八步：采用去离子水冲洗，进一步去除硅片表面的金属离子，最后进行烘干完成清洗过程。2.根据权利要求1所述的降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，其特征在于：硅片在60℃温度下通过TSC
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1活化剂与水的混合物进行浸泡清洗7min。3.根据权利要求1所述的降低胶带研磨后硅片表面金属和颗粒的清洗方法，其特征在于：硅片在60℃温度下通过SC
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵祥峰，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：