存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：发送抹除指令序列，其用以指示抹除可复写式非易失性存储器模块中的第一实体抹除单元；以及对应于第一实体抹除单元的抹除，发送写入指令序列，其用以指示对可复写式非易失性存储器模块中的第二实体抹除单元执行填充写入操作。所述填充写入操作用以将填充数据存储至第二实体抹除单元中。由此，可提高实体抹除单元的使用效率。用效率。用效率。

【技术实现步骤摘要】
存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元


[0001]本专利技术涉及一种存储器管理技术，尤其涉及一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。

技术介绍

[0002]移动电话与笔记本计算机等可携式电子装置在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non
‑
volatile memory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式电子装置中。
[0003]一般来说，可复写式非易失性存储器模块中的每一个实体抹除单元都可以各自独立进行抹除与数据写入。但是，实务上，同一可复写式非易失性存储器模块中的实体抹除单元A与B之间可能会存在某种关联性。这种关联性会导致在对实体抹除单元A进行抹除后，对实体抹除单元B的写入操作很容易失败。因此，需要提出相应的解决办法来改善此一问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可提高实体抹除单元的使用效率。
[0005]本专利技术的范例实施例提供一种存储器管理方法，其用于可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体抹除单元。所述存储器管理方法包括：发送抹除指令序列，其中所述抹除指令序列用以指示抹除所述多个实体抹除单元中的第一实体抹除单元；以及对应于所述第一实体抹除单元的抹除，发送写入指令序列，其中所述写入指令序列用以指示对所述多个实体抹除单元中的第二实体抹除单元执行填充写入操作。所述填充写入操作用以将填充数据存储至所述第二实体抹除单元中。
[0006]在本专利技术的一范例实施例中，所述的存储器管理方法还包括：在执行所述填充写入操作后，忽略对应于所述填充写入操作的写入失败事件。
[0007]在本专利技术的一范例实施例中，所述填充数据未被任何逻辑单元映射。
[0008]在本专利技术的一范例实施例中，在所述填充写入操作中，所述填充数据是被存储至所述第二实体抹除单元中的一个实体程序化单元中。
[0009]在本专利技术的一范例实施例中，对应于所述第一实体抹除单元的所述抹除，发送所述写入指令序列的操作包括：对应于所述第一实体抹除单元的所述抹除，缓存对应于所述第二实体抹除单元的识别信息；以及在对所述第二实体抹除单元执行正常写入操作之前，根据所述识别信息发送所述写入指令序列。
[0010]在本专利技术的一范例实施例中，所述第二实体抹除单元包括所述多个实体抹除单元中至少部分未被写满的实体抹除单元。
[0011]在本专利技术的一范例实施例中，所述的存储器管理方法还包括：对应于所述第一实体抹除单元的抹除，从管理信息中读取与所述第一实体抹除单元相关联的至少一实体抹除
单元的识别信息；以及根据所述识别信息从所述多个实体抹除单元中决定所述第二实体抹除单元。
[0012]本专利技术的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体抹除单元。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以：发送抹除指令序列，其中所述抹除指令序列用以指示抹除所述多个实体抹除单元中的第一实体抹除单元；以及对应于所述第一实体抹除单元的抹除，发送写入指令序列，其中所述写入指令序列用以指示对所述多个实体抹除单元中的第二实体抹除单元执行填充写入操作，并且所述填充写入操作用以将填充数据存储至所述第二实体抹除单元中。
[0013]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以：在执行所述填充写入操作后，忽略对应于所述填充写入操作的写入失败事件。
[0014]在本专利技术的一范例实施例中，对应于所述第一实体抹除单元的所述抹除，所述存储器控制电路单元发送所述写入指令序列的操作包括：对应于所述第一实体抹除单元的所述抹除，缓存对应于所述第二实体抹除单元的识别信息；以及在对所述第二实体抹除单元执行正常写入操作之前，根据所述识别信息发送所述写入指令序列。
[0015]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元还用以：对应于所述第一实体抹除单元的所述抹除，从管理信息中读取与所述第一实体抹除单元相关联的至少一实体抹除单元的识别信息；以及根据所述识别信息从所述多个实体抹除单元中决定所述第二实体抹除单元。
[0016]本专利技术的范例实施例另提供一种存储器控制电路单元，其用以控制可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体抹除单元。所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系统。所述存储器接口用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理电路连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路用以：发送抹除指令序列，其中所述抹除指令序列用以指示抹除所述多个实体抹除单元中的第一实体抹除单元；以及对应于所述第一实体抹除单元的抹除，发送写入指令序列，其中所述写入指令序列用以指示对所述多个实体抹除单元中的第二实体抹除单元执行填充写入操作，并且所述填充写入操作用以将填充数据存储至所述第二实体抹除单元中。
[0017]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路还用以：在执行所述填充写入操作后，忽略对应于所述填充写入操作的写入失败事件。
[0018]在本专利技术的一范例实施例中，对应于所述第一实体抹除单元的所述抹除，所述存储器管理电路发送所述写入指令序列的操作包括：对应于所述第一实体抹除单元的所述抹除，缓存对应于所述第二实体抹除单元的识别信息；以及在对所述第二实体抹除单元执行正常写入操作之前，根据所述识别信息发送所述写入指令序列。
[0019]在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器管理电路还用以：对应于所述第一实体抹除单元的所述抹除，从管理信息中读取与所述第一实体抹除单元相关联的至少一实体抹除单元的识别信息；以及根据所述识别信息从所述多个实体抹除单元中决定所述第二实体抹除单元。
[0020]基于上述，在抹除可复写式非易失性存储器模块中的第一实体抹除单元后，一个填充写入操作可对应执行，以将填充数据存储至可复写式非易失性存储器模块中的第二实体抹除单元。特别是，在执行所述填充写入操作后，第二实体抹除单元即可正常使用，而不会受到第一实体抹除单元的抹除影响。由此，可有效提高实体抹除单元的使用效率。
附图说明
[0021]图1是根据本专利技术的范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图；
[0022]图2是根据本专利技术的范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及I/O装置的示意图；
[0023]图3是根据本专利技术的范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的示意图；
[0024]图4是根据本专利技术的范本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器管理方法，其特征在于，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体抹除单元，且所述存储器管理方法包括：发送抹除指令序列，其中所述抹除指令序列用以指示抹除所述多个实体抹除单元中的第一实体抹除单元；以及对应于所述第一实体抹除单元的抹除，发送写入指令序列，其中所述写入指令序列用以指示对所述多个实体抹除单元中的第二实体抹除单元执行填充写入操作，并且所述填充写入操作用以将填充数据存储至所述第二实体抹除单元中。2.根据权利要求1所述的存储器管理方法，还包括：在执行所述填充写入操作后，忽略对应于所述填充写入操作的写入失败事件。3.根据权利要求1所述的存储器管理方法，其中所述填充数据未被任何逻辑单元映射。4.根据权利要求1所述的存储器管理方法，其中在所述填充写入操作中，所述填充数据是被存储至所述第二实体抹除单元中的一个实体程序化单元中。5.根据权利要求1所述的存储器管理方法，其中对应于所述第一实体抹除单元的所述抹除，发送所述写入指令序列的操作包括：对应于所述第一实体抹除单元的所述抹除，缓存对应于所述第二实体抹除单元的识别信息；以及在对所述第二实体抹除单元执行正常写入操作之前，根据所述识别信息发送所述写入指令序列。6.根据权利要求1所述的存储器管理方法，其中所述第二实体抹除单元包括所述多个实体抹除单元中至少部分未被写满的实体抹除单元。7.根据权利要求1所述的存储器管理方法，还包括：对应于所述第一实体抹除单元的抹除，从管理信息中读取与所述第一实体抹除单元相关联的至少一实体抹除单元的识别信息；以及根据所述识别信息从所述多个实体抹除单元中决定所述第二实体抹除单元。8.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：连接接口单元，用以连接至主机系统；可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体抹除单元；以及存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述存储器控制电路单元用以：发送抹除指令序列，其中所述抹除指令序列用以指示抹除所述多个实体抹除单元中的第一实体抹除单元；以及对应于所述第一实体抹除单元的抹除，发送写入指令序列，其中所述写入指令序列用以指示对所述多个实体抹除单元中的第二实体抹除单元执行填充写入操作，并且所述填充写入操作用以将填充数据存储至所述第二实体抹除单元中。9.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中所述存储器控制电路单元还用以：在执行所述填充写入操作后，忽略对应于所述填充写入操作的写入失败事件。10.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中所述填充数据未被任何逻辑单元映
射。11.根据权利要求8所述的存储器存储装置，其中在所述填充写入操作中，所述填充数据是被存储至所述第二实体抹除单元中的一个实体程序化单元中。12.根据权利要求8所述的存储器存...

【专利技术属性】
技术研发人员：李韦成，陈秉正，沈育仲，徐佳莉，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：