一种集成电路锡化生产工艺中降低COD排放量的方法技术

一种集成电路锡化生产工艺中降低COD排放量的方法，属于集成电路废水处理技术领域。本发明专利技术包括如下步骤：将浸泡于母槽内的引线框架取出，并竖直设置位于母槽的上方进行滴液；滴液后，将引线框架浸泡于盛装有纯水的纯水槽内，使附着在引线框架上的除溢胶溶液溶于纯水中；纯水浸泡后，将引线框架从纯水槽内取出，依次浸泡于盛装有清洗水的多个清洗槽内进行水洗；在纯水槽内，当除溢胶溶液溶于纯水后形成的工作液的浓度达到饱和时，将其回收补加至母槽除溢胶溶液内，并通过加热将纯水挥发。本发明专利技术通过增加纯水溶解工序，使附着在引线框架上的除溢胶溶液溶解于纯水中，降低后续清洗水水洗时除溢胶溶液的浓度，从而降低COD排放量。从而降低COD排放量。从而降低COD排放量。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路锡化生产工艺中降低COD排放量的方法


[0001]本专利技术属于集成电路废水处理
，具体是涉及一种集成电路锡化生产工艺中降低COD排放量的方法。

技术介绍

[0002]引线框架环氧封装后会有溢胶残留在引线脚和散热片上，需要在后续的纯锡电镀之前去除干净。除溢胶方法目前主要是化学溶液浸泡法、电解法和机械法。机械法因采用的喷射介质会损伤基材现在已很少采用。电解法因电解电压或电流过高会损伤芯片造成分层，并且对某些严重的溢胶也无法去除而受到很大局限。化学溶液浸泡法通过化学作用使溢胶溶解或软化松动，再结合后续的高压水刀喷淋，可以干净彻底的除去溢胶，该法可以适用几乎各种型号封装后的引线框架，是目前该行业除溢胶的主流方法。
[0003]目前，化学溶液浸泡法中，常采用除溢胶溶液去除溢胶，一般为：将多个引线框架依次堆叠并装载于清洗架中，将装载有引线框架的清洗架浸泡于浸泡机的母槽中进行除溢胶处理，母槽内盛装有除溢胶溶液，浸泡后，依次浸泡于浸泡机的多个清洗槽进行水清洗，以去除附着在引线框架表面、及相邻两个引线框架堆叠间隙内的除溢胶溶液。
[0004]由于除溢胶溶液(如SYD
‑
711溶液)中含有大量的COD，一般为100万mg/L，导致引线框架水清洗后形成的废水中COD含量较高，一般为1500mg/L，远超于COD排放量的标准(一般为200mg/L)。若要降低废水中COD的含量，则需要增加引线框架水清洗的次数，这样会增加清洗水的使用量，增加废水的排放量，造成水资源浪费，增加企业成本。/>
技术实现思路

[0005]本专利技术主要是解决上述现有技术所存在的技术问题，提供一种集成电路锡化生产工艺中降低COD排放量的方法。
[0006]本专利技术的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种集成电路锡化生产工艺中降低COD排放量的方法，包括如下步骤：
[0007]步骤S1，将浸泡于母槽内的引线框架取出，并竖直设置位于母槽的上方进行滴液，使附着在引线框架上的除溢胶溶液滴回至母槽内；
[0008]步骤S2，滴液后，将引线框架浸泡于盛装有纯水的纯水槽内，使附着在引线框架上的除溢胶溶液溶于纯水中；
[0009]步骤S3，纯水浸泡后，将引线框架从纯水槽内取出，依次浸泡于盛装有清洗水的多个清洗槽内进行水洗；
[0010]步骤S4，在纯水槽内，当除溢胶溶液溶于纯水后形成的工作液的浓度达到饱和时，将其回收补加至母槽除溢胶溶液内，并通过加热将纯水挥发。
[0011]作为优选，多个所述引线框架依次竖直设置并装载于清洗架中。
[0012]作为优选，在步骤S3中，清洗槽设置有4个，引线框架水清洗后形成废水。
[0013]作为优选，在步骤S4中，加热温度为110
±
5℃。
[0014]作为优选，在步骤2中，所述纯水槽的底部安装有安装台，所述安装台的下表面安装有驱动电机，所述驱动电机的输出端穿过安装台后连接有偏心轮，偏心轮的两侧在所述安装台上对称设有滑动块，所述偏心轮可分别抵接接触两侧的滑动块的一侧，并驱动滑动块朝滑动块的另一侧移动，所述滑动块的另一侧安装有导向杆，所述导向杆的端部安装有移动块，所述导向杆上套设有导向套和第一弹簧，且第一弹簧位于滑动块和导向套之间，所述移动块的内侧安装有支撑杆，所述支撑杆的端部穿过纯水槽槽壁后连接有推板；所述纯水槽的顶部安装有支撑台，所述支撑台通过铰接座铰接有吊臂，所述支撑台上设有固定块，所述固定块通过第二弹簧连接吊臂的一端，所述吊臂的一端铰接有连杆，所述连杆的端部铰接其中一个所述移动块的顶端，所述吊臂的另一端设有吊钩。
[0015]作为优选，所述吊臂上设有卷扬机，所述卷扬机上的钢丝绳与吊钩相连。
[0016]作为优选，所述吊臂的另一端套设有调节套，所述调节套上安装有滑轮，所述钢丝绳穿过滑轮后连接吊钩。
[0017]本专利技术具有的有益效果：本专利技术通过在引线框架浸泡除溢胶溶液后增加纯水溶解工序，使附着在引线框架上的除溢胶溶液溶解于纯水中，降低后续清洗水水洗时除溢胶溶液的浓度，从而降低COD排放量，同时，除溢胶溶液溶于纯水后形成的工作液的浓度达到饱和时，可补加至母槽中使用，并通过加热将纯水挥发，留下溶于纯水的除溢胶溶液。
附图说明
[0018]图1是本专利技术纯水槽的一种结构示意图；
[0019]图2是本专利技术安装台的一种结构示意图；
[0020]图3是本专利技术清洗架的一种结构示意图。
[0021]图中：1、纯水槽；2、安装台；3、驱动电机；4、偏心轮；5、滑动块；6、导向杆；7、移动块；8、第一弹簧；9、导向套；10、支撑杆；11、推板；12、支撑台；13、铰接座；14、吊臂；15、连杆；16、吊钩；17、卷扬机；18、调节套；19、螺栓；20、滑轮；21、清洗架；22、顶板；23、底板；24、左侧板；25、右侧板；26、固定杆；27、引线框架；28、插槽；29、第二弹簧；30、固定块。
具体实施方式
[0022]下面通过实施例，并结合附图，对本专利技术的技术方案作进一步具体的说明。
[0023]实施例：一种集成电路锡化生产工艺中降低COD排放量的方法，包括如下步骤：
[0024]步骤S1，将引线框架27浸泡于盛装有除溢胶溶液的母槽内，除溢胶溶液为SYD
‑
711溶液，浸泡后，将引线框架27从母槽内取出，并竖直设置位于母槽的上方进行滴液，滴液时间为90S，使附着在引线框架27上的除溢胶溶液滴回至母槽内；
[0025]步骤S2，滴液后，将引线框架27浸泡于盛装有纯水的纯水槽1内，使附着在引线框架27上的除溢胶溶液溶于纯水中，纯水为溶剂，除溢胶溶液为溶质；
[0026]步骤S3，纯水浸泡后，将引线框架27从纯水槽1内取出，然后依次浸泡于盛装有清洗水的多个清洗槽内进行水洗，清洗水可采用自来水；
[0027]步骤S4，在纯水槽1内，当除溢胶溶液溶于纯水后形成的工作液的浓度达到饱和时，将其回收补加至母槽除溢胶溶液内，并通过加热将纯水挥发。
[0028]在步骤S1中，多个引线框架27依次竖直设置并装载于清洗架21中，浸泡时，将装载
有引线框架27的清洗架21浸泡于母槽内。滴液时，通过将引线框架27竖直设置，以便于附着在引线框架27上的除溢胶溶液因重力作用向下滴液，滴回至母槽内。
[0029]滴液时间可根据引线框架27上除溢胶溶液的附着情况、及引线框架27的装载量进行调整设置，以便于附着在引线框架27表面的除溢胶溶液尽可能滴回母槽内，一方面可以将除溢胶溶液滴回利用，另一方面通过减少附着在引线框架27上的除溢胶溶液量来减少单次溶于纯水中的除溢胶溶液量，提高纯水的使用率，从而减少清洗水中除溢胶溶液浓度。
[0030]在步骤S4中，当除溢胶溶液溶于纯水后形成的工作液的浓度达到饱和时，可采用分批次补加至母槽中，控制每批次的补加量，避免补加过多导致稀释除溢胶溶液，影响引线框架27除溢胶效果。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路锡化生产工艺中降低COD排放量的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1，将浸泡于母槽内的引线框架(27)取出，并竖直设置位于母槽的上方进行滴液，使附着在引线框架(27)上的除溢胶溶液滴回至母槽内；步骤S2，滴液后，将引线框架(27)浸泡于盛装有纯水的纯水槽(1)内，使附着在引线框架(27)上的除溢胶溶液溶于纯水中；步骤S3，纯水浸泡后，将引线框架(27)从纯水槽(1)内取出，依次浸泡于盛装有清洗水的多个清洗槽内进行水洗；步骤S4，在纯水槽(1)内，当除溢胶溶液溶于纯水后形成的工作液的浓度达到饱和时，将其回收补加至母槽除溢胶溶液内，并通过加热将纯水挥发。2.根据权利要求1所述一种集成电路锡化生产工艺中降低COD排放量的方法，其特征在于，多个所述引线框架(27)依次竖直设置并装载于清洗架(21)中。3.根据权利要求1所述一种集成电路锡化生产工艺中降低COD排放量的方法，其特征在于，在步骤S3中，清洗槽设置有4个，引线框架(27)水清洗后形成废水。4.根据权利要求1所述一种集成电路锡化生产工艺中降低COD排放量的方法，其特征在于，在步骤S4中，加热温度为110
±
5℃。5.根据权利要求1所述一种集成电路锡化生产工艺中降低COD排放量的方法，其特征在于，在步骤2中，所述纯水槽(1)的底部安装有安装台(2)，所述安装台(2)的下表面安装有驱动电机(3)，所述驱动电机(3)的输出端穿过安...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄迅驹，娄秋军，史绪敏，
申请(专利权)人：浙江华越芯装电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：