一种套管介损测量方法技术

本发明专利技术公开了一种套管介损测量方法。所述套管包括依次排布设置的导电杆、电容芯子及绝缘外壳；所述电容芯子包括沿径向排布的各电容屏；所述套管介损测量方法包括：在所述绝缘外壳外表面低绝缘处理；构建介损测量平衡桥；在所述导电杆上连接所述介损测量平衡桥的电源线，所述电源线输入预设电压源；在末电容屏上连接所述介损测量平衡桥的测试线；当所述介损测量平衡桥平衡时，根据介损测量平衡桥参数确定套管介损值；其中，所述介损测量平衡桥参数包括介损测量平衡桥电阻参数及介损测量平衡桥电容参数。本方案消除了湿度、套管外绝缘对介损测量的影响，提高了套管介损测量的准确性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种套管介损测量方法


[0001]本专利技术实施例涉及变压器技术，尤其涉及一种套管介损测量方法。

技术介绍

[0002]电容型高压套管作为典型的油纸绝缘设备，是电力变压器不可或缺的外部连接组件。资料表明，110kV及以上变压器套管事故在事故总数中占有一定的比例，并且随着电压等级的增高，套管造成事故的比例上升。
[0003]变压器常规试验中套管试验是很重要的一部分，套管受潮、老化等会引起套管爆炸，进而引发严重后果。而套管的电容量与介损是反映套管运行质量的关键指标，但在现场试验时介损试验很容易受环境影响，导致介损试验值失真，影响判断。在众多影响因素中，环境湿度是最难解决的，其直接影响到套管表面绝缘情况进而影响介损试验值，而且其对套管介损试验值的影响不是单方面的增长或者减小，而是双方面都有可能，即可能导致介损试验值变大，也可能变小，这样就很可能导致现场试验时的错判或漏判。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种套管介损测量方法，以消除湿度、套管外绝缘对介损测量的影响，提高套管介损试验的准确性。
[0005]本专利技术实施例提供了一种套管介损测量方法，所述套管包括依次排布设置的导电杆、电容芯子及绝缘外壳；所述电容芯子包括沿径向排布的各电容屏；其特征在于，所述套管介损测量方法包括：
[0006]在所述绝缘外壳外表面低绝缘处理；
[0007]构建介损测量平衡桥；
[0008]在所述导电杆上连接所述介损测量平衡桥的电源线，所述电源线输入预设电压源；在末电容屏上连接所述介损测量平衡桥的测试线；
[0009]当所述介损测量平衡桥平衡时，根据介损测量平衡桥参数确定套管介损值；其中，所述介损测量平衡桥参数包括介损测量平衡桥电阻参数及介损测量平衡桥电容参数。
[0010]可选的，所述绝缘外壳包括多个瓷裙；
[0011]在所述绝缘外壳外表面低绝缘处理，包括：
[0012]在各两个所述瓷裙之间并联电阻。
[0013]可选的，在所述绝缘外壳外表面低绝缘处理，包括：
[0014]在所述绝缘外壳外表面涂抹低绝缘物质。
[0015]可选的，所述绝缘外壳包括多个瓷裙；
[0016]在所述绝缘外壳外表面低绝缘处理，包括：
[0017]在各两个所述瓷裙之间并联电抗。
[0018]可选的，所述绝缘外壳包括多个瓷裙；
[0019]在所述绝缘外壳外表面低绝缘处理，包括：
[0020]在各两个所述瓷裙之间并联阻抗。
[0021]可选的，在各两个所述瓷裙之间并联电阻，具体为：
[0022]首端是所述导电杆端部，尾端是所述绝缘外壳底部接地法兰，在各两个所述瓷裙之间并联电阻。
[0023]可选的，所述介损测量平衡桥包括：第一可变电阻、第二电阻、第一可变电容及第二电容；
[0024]所述套管的所述导电杆与所述介损测量平衡桥的电源线电连接，并与所述第二电容的第一端电连接；
[0025]所述套管的所述末电容屏与所述第一可变电阻的第一端电连接；所述第一可变电阻的第二端与所述第二电阻的第一端及所述第一可变电容的第一端电连接，且接地；所述第二电阻及所述第一可变电阻并联电连接；所述第二电阻的第二端及所述第一可变电容的第二端均与所述第二电容的第二端电连接。
[0026]可选的，所述介损测量平衡桥还包括电流计；
[0027]所述电流计的第一端与所述第一可变电阻的第一端电连接，所述电流计的第二端与所述第一可变电容的第二端及所述第二电阻电连接。
[0028]可选的，当所述介损测量平衡桥平衡时，根据介损测量平衡桥参数确定套管介损值，包括：
[0029]当所述电流计示数为零，根据所述第一可变电阻、所述第二电阻、所述第一可变电容及所述第二电容确定套管介损值
[0030]本专利技术实施例，通过在所述绝缘外壳外表面低绝缘处理；并构建介损测量平衡桥；然后在所述导电杆上连接所述介损测量平衡桥的电源线，所述电源线输入预设电压源；在末电容屏上连接所述介损测量平衡桥的测试线；当所述介损测量平衡桥平衡时，根据介损测量平衡桥参数确定套管介损值；其中，所述介损测量平衡桥参数包括介损测量平衡桥电阻参数及介损测量平衡桥电容参数。由于绝缘外壳外部与内部电容芯子之间会有耦合作用，产生耦合电容，当绝缘外壳上某一位置电压与该位置上内部电容芯子上的电压不同时，绝缘外壳与电容芯子之间耦合电容会产生耦合电流，耦合电流会影响末电容屏上的电流阻性分量，会影响介损测量；本方案通过在所述绝缘外壳外表面低绝缘处理，这样处理后，会减小绝缘外壳与电容芯子之间耦合电容产生的耦合电流中的阻性分量，减小耦合电流对末电屏上的电流阻性分量的影响，从而提高介损测量平衡桥测量套管介损的准确性，消除了现有技术中湿度及套管外绝缘对介损测量的影响。
附图说明
[0031]图1是本专利技术实施例提供的一种套管介损测量方法的流程图；
[0032]图2是本专利技术实施例提供的一种套管的结构简易图；
[0033]图3是本专利技术实施例中套管的等效模型图；
[0034]图4是图3仿真模型的仿真效果图；
[0035]图5是本专利技术实施例提供的介损测量平衡桥电路示意图；
[0036]图6是本专利技术实施例提供的另一种套管介损测量方法的结构示意图。
具体实施方式
[0037]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0038]图1是本专利技术实施例提供的一种套管介损测量方法的流程图，如图1所示，该方法包括以下的步骤：
[0039]S110、在绝缘外壳外表面低绝缘处理；
[0040]其中，图2是本专利技术实施例提供的一种套管的结构简易图，如图2所示，本方案中套管可以为电力系统中的电容式变压器套管和穿墙套管；各类型套管包括依次排布设置的导电杆10、电容芯子20及绝缘外壳30；电容芯子20包括径向排布的各电容屏；各径向排布的电容屏为沿径向分布的同轴圆桶形电容式绝缘层，电容屏从里到外在纵向上逐渐缩短，达到纵向上电压能较均匀分布；这里需说明的是，套管的绝缘分为内绝缘和外绝缘，内绝缘即为全部浸在优质的绝缘油中的电容芯子20；外绝缘即为绝缘外壳30，起到电气绝缘和机械支撑作用。可以理解的是，参照图2，在导电杆10施加电压后，内绝缘由电容芯子20中各电容屏串联分压，外绝缘由绝缘外壳30中各个瓷裙31分压。图3是本专利技术实施例中套管的等效模型图，如图3所示，该套管结构可以等效为：电容芯子20相当于多个电容串联，绝缘外壳30相当于多个电阻串联，各电阻串联电连接、各电容串联电连接；绝缘外壳30与电容芯子20在套管任一位置上内外之间产生各耦合电容40；一般地，由于绝缘外壳30与电容芯子20之间产生耦合电容，当绝缘外壳30某一位置的电压与同位置内部电容芯子20的电压不同时，绝缘外壳30与电容芯子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种套管介损测量方法，所述套管包括依次排布设置的导电杆、电容芯子及绝缘外壳；所述电容芯子包括沿径向排布的各电容屏；其特征在于，所述套管介损测量方法包括：在所述绝缘外壳外表面低绝缘处理；构建介损测量平衡桥；在所述导电杆上连接所述介损测量平衡桥的电源线，所述电源线输入预设电压源；在末电容屏上连接所述介损测量平衡桥的测试线；当所述介损测量平衡桥平衡时，根据介损测量平衡桥参数确定套管介损值；其中，所述介损测量平衡桥参数包括介损测量平衡桥电阻参数及介损测量平衡桥电容参数。2.根据权利要求1所述的套管介损测量方法，其特征在于，所述绝缘外壳包括多个瓷裙；在所述绝缘外壳外表面低绝缘处理，包括：在各两个所述瓷裙之间并联电阻。3.根据权利要求1所述的套管介损测量方法，其特征在于，在所述绝缘外壳外表面低绝缘处理，包括：在所述绝缘外壳外表面涂抹低绝缘物质。4.根据权利要求1所述的套管介损测量方法，其特征在于，所述绝缘外壳包括多个瓷裙；在所述绝缘外壳外表面低绝缘处理，包括：在各两个所述瓷裙之间并联电抗。5.根据权利要求1所述的套管介损测量方法，其特征在于，所述绝缘外壳包括多个瓷裙；在所述绝缘外壳外表面低绝缘处理，包括：在各两个所述瓷裙之间并联阻抗。6.根据权利要求2所述的套管介损测量...

【专利技术属性】
技术研发人员：周洁涛，李旭宏，章桂林，李涛，杨协伟，邢惜波，方文田，朱育钊，方逸越，
申请(专利权)人：广东电网有限责任公司揭阳供电局，
类型：发明
国别省市：