一种复合热板单元结构制造技术

本发明专利技术属于半导体制造技术领域，特别涉及一种复合热板单元结构。包括工艺舱、晶圆升降控制机构Ⅰ、加热控制组件、氮气及有机排风组件及复合冷盘组件，其中工艺舱的内部设有盘面，盘面用于放置晶圆，工艺舱用于完成晶圆高级制程工艺；晶圆升降控制机构Ⅰ设置于工艺舱的外侧，用于对放置于盘面上的晶圆进行抬起或落下；加热控制组件设置于工艺舱内，用于控制盘面的加热温度；氮气及有机排风组件与工艺舱连接，用于工艺舱的充氮及排气；复合冷盘组件设置于工艺舱的一侧，用于工艺舱内晶圆的取送及对完成高级制程工艺后的晶圆进行冷却。本发明专利技术提高了晶圆制程效率及良品率，增加复合冷盘在烘烤后预降温，使热板单元的热量不能传递到其它工艺单元。它工艺单元。它工艺单元。

【技术实现步骤摘要】
一种复合热板单元结构


[0001]本专利技术属于半导体制造
，特别涉及一种复合热板单元结构。

技术介绍

[0002]在半导体制造领域中，随着晶圆制程技术的升级，对芯片行业自主要求越来越高，尤其在涂胶、显影等工艺后胶膜成型的稳定性，具有较高的要求。在晶圆的高级制程工艺中，需要对晶圆进行加热或冷却的加热装置，但是目前的加热装置在加热时往往都是通过加热板进行接触式加热,而这种加热方式在工作时由于外界缺少保温措施，加热板散热快，需要持续不断的加热才能维持加热板的温度，耗能高且容易影响距离较近的其它步骤。同时经常出现加热板对晶圆的加热不均匀的问题,这会严重影响晶圆的关键尺寸的均匀性，从而影响晶圆加工生成良率。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种复合热板单元结构，用于晶圆高级制程工艺，以解决现有加热装置的加热板对晶圆的加热不均匀，严重影响晶圆的关键尺寸的均匀性，从而影响晶圆加工生成良率的问题。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0005]本专利技术提供一种复合热板单元结构，包括：
[0006]工艺舱，内部设有盘面，盘面用于放置晶圆，工艺舱用于完成晶圆高级制程工艺；
[0007]晶圆升降控制机构Ⅰ，设置于工艺舱的外侧，用于对放置于盘面上的晶圆进行抬起或落下；
[0008]加热控制组件，设置于工艺舱内，用于控制盘面的加热温度；
[0009]氮气及有机排风组件，与工艺舱连接，用于工艺舱的充氮及排气；/>[0010]复合冷盘组件，设置于工艺舱的一侧，用于工艺舱内晶圆的取送及对完成高级制程工艺后的晶圆进行冷却。
[0011]在一种可能实现的方式中，所述晶圆升降控制机构Ⅰ包括控制舱及设置于控制舱内的pi n组件Ⅰ和高精气动滑台Ⅰ，其中高精气动滑台Ⅰ沿竖直方向输出动力；pi n组件Ⅰ设置于所述工艺舱的底部，且与高精气动滑台Ⅰ连接，pi n组件Ⅰ通过探针与所述工艺舱的底部滑动连接，探针通过升降完成晶圆的抬起和落下。
[0012]在一种可能实现的方式中，所述复合冷盘组件包括复合盘、循环水路、晶圆升降控制机构Ⅱ及气动滑台，其中复合盘设置于气动滑台上，气动滑台可驱动复合盘进出所述工艺舱；复合盘内设有循环水路，循环水路用于晶圆的冷却降温；
[0013]晶圆升降控制机构Ⅱ设置于气动滑台的一侧且位于复合盘的下方，晶圆升降控制机构Ⅱ用于完成复合盘上的晶圆的抬起和落下。
[0014]在一种可能实现的方式中，所述晶圆升降控制机构Ⅱ包括高精气动滑台Ⅱ及与高精气动滑台Ⅱ连接的p i n组件Ⅱ，其中高精气动滑台Ⅱ用于驱动pi n组件Ⅱ升降；p i n
组件Ⅱ通过探针与所述复合盘滑动连接，探针通过升降完成所述复合盘上的晶圆的抬起或落下。
[0015]在一种可能实现的方式中，所述氮气及有机排风组件包括流量计、外进气接头、排风组件及内进气接头，其中内进气接头设置于所述工艺舱的顶部，外进气接头设置于所述控制舱上，且通过进气管路与内进气接头连接，流量计设置于进气管路上；排风组件设置于所述工艺舱的底部。
[0016]在一种可能实现的方式中，所述加热控制组件包括云母加热片、PID温控表及温度传感器，其中云母加热片设置于所述盘面的底部，温度传感器设置于所述工艺舱的底部，用于检测所述盘面的加热温度；PID温控表设置于所述控制舱的前侧，且通过线缆与温度传感器连接，PI D温控表用于显示温度传感器的检测温度。
[0017]在一种可能实现的方式中，所述工艺舱包括保温壳体、舱门及舱门控制机构，其中保温壳体与所述复合冷盘组件相对应的一侧设有舱门，舱门的两侧通过平行连杆机构与保温壳体铰接；舱门控制机构设置于保温壳体的外侧，且输出端与舱门连接。
[0018]在一种可能实现的方式中，所述舱门控制机构包括分别设置于保温壳体两侧的两个舱门控制气缸，各舱门控制气缸的输出端与位于同侧的平行连杆机构铰接，两个舱门控制气缸用于驱动舱门打开或闭合。
[0019]本专利技术的优点及有益效果是：本专利技术提供的一种复合热板单元结构，实现对晶圆的进行均匀加热，提高晶圆的关键尺寸的均匀性，从而提供晶圆加工生成良率。
[0020]本专利技术提高了晶圆高级制程效率及良品率，增加复合冷盘在烘烤后预降温，使热板单元的热量不能传递到其它工艺单元，避免其影响其它单元的工艺制程效果。
[0021]本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0022]下面通过附图和实施例，对本专利技术的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
[0023]附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：
[0024]图1为本专利技术一种复合热板单元结构的内部结构示意图；
[0025]图2为本专利技术一种复合热板单元结构的主视图；
[0026]图3为图2的俯视图；
[0027]图4为图2的左视图；
[0028]图中：1为高精气动滑台Ⅰ，2为内进气接头，3为控制舱，4为p i n组件Ⅰ，5为盘面，6为云母加热片，7为P I D温控表，8为温度传感器，9为保温壳体，10为舱门控制气缸，11为舱门，12为流量计，13为外进气接头，14为排风组件，15为复合盘，16为循环水路，17为p i n组件Ⅱ，18为气动滑台，20为工艺舱，22为平行连杆机构，23为高精气动滑台Ⅱ。
具体实施方式
[0029]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、
“
厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0030]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0031]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0032]以下结合附图对本专利技术的优选本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合热板单元结构，其特征在于，包括：工艺舱(20)，内部设有盘面(5)，盘面(5)用于放置晶圆，工艺舱(20)用于完成晶圆高级制程工艺；加热控制组件，设置于工艺舱(20)内，用于控制盘面(5)的加热温度；氮气及有机排风组件，与工艺舱(20)连接，用于工艺舱(20)的充氮及排气；晶圆升降控制机构Ⅰ，设置于工艺舱(20)的外侧，用于对放置于盘面(5)上的晶圆进行抬起或落下；复合冷盘组件，设置于工艺舱(20)的一侧，用于工艺舱(20)内晶圆的取送及对完成高级制程工艺后的晶圆进行冷却。2.根据权利要求1所述的复合热板单元结构，其特征在于，所述晶圆升降控制机构Ⅰ包括控制舱(3)及设置于控制舱(3)内的pin组件Ⅰ(4)和高精气动滑台Ⅰ(1)，其中高精气动滑台Ⅰ(1)沿竖直方向输出动力；pin组件Ⅰ(4)设置于所述工艺舱(20)的底部，且与高精气动滑台Ⅰ(1)连接，pin组件Ⅰ(4)通过探针与所述工艺舱(20)的底部滑动连接，探针通过升降完成晶圆的抬起和落下。3.根据权利要求2所述的复合热板单元结构，其特征在于，所述复合冷盘组件包括复合盘(15)、循环水路(16)、晶圆升降控制机构Ⅱ及气动滑台(18)，其中复合盘(15)设置于气动滑台(18)上，气动滑台(18)可驱动复合盘(15)进出所述工艺舱(20)；复合盘(15)内设有循环水路(16)，循环水路(16)用于晶圆的冷却降温；晶圆升降控制机构Ⅱ设置于气动滑台(18)的一侧且位于复合盘(15)的下方，晶圆升降控制机构Ⅱ用于完成复合盘(15)上晶圆的抬起和落下。4.根据权利要求3所述的复合热板单元结构，其特征在于，所述晶圆升降控制机构Ⅱ包括高精气动滑台Ⅱ(23)及与高精气动滑台Ⅱ(23)连接的pin组件Ⅱ(17)，其中高精气动滑台Ⅱ(23)用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王阳，魏猛，赵希晨，
申请(专利权)人：芯达半导体设备苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：