发光元件、制造其的方法以及包括其的显示装置制造方法及图纸

一种发光元件可以包括：第一端部和第二端部，在发光元件的长度方向上定位；第一电极，与第一端部对应；第一半导体层，设置在第一电极上；活性层，设置在第一半导体层上；第二半导体层，设置在活性层上；以及第二电极，设置在第二半导体层上并且与第二端部对应。第二电极可以包括设置在第一半导体层上的第一层和设置在第一层上的第二层。第一半导体层可以包括掺杂有p型掺杂剂的p型半导体层。第二半导体层可以包括掺杂有n型掺杂剂的n型半导体层。第一电极可以与第一半导体层欧姆接触。第二电极可以与第二半导体层欧姆接触。第二半导体层欧姆接触。第二半导体层欧姆接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件、制造其的方法以及包括其的显示装置


[0001]专利技术涉及一种发光元件、制造该发光元件的方法以及包括该发光元件的显示装置。

技术介绍

[0002]随着对信息显示器的兴趣和对使用便携式信息媒介的需求增大，显示装置的研究和商业化正在积极进行。

技术实现思路

[0003]技术问题
[0004]专利技术的实施例提供了一种发光元件及制造其的方法，在发光元件中在其两个端部中的每个处形成欧姆电极，并且发光元件的从欧姆电极暴露的一个表面具有恒定的表面粗糙度，使得两个端部具有均匀的特性。
[0005]在公开的实施例中，显示装置包括上述发光元件。
[0006]技术方案
[0007]在实施例中，发光元件可以包括：第一端部和第二端部，在发光元件的长度方向上设置；第一电极，与第一端部对应；第一半导体层，设置在第一电极上；活性层，设置在第一半导体层上；第二半导体层，设置在活性层上；以及第二电极，设置在第二半导体层上并且与第二端部对应。第二电极可以包括设置在第一半导体层上的第一层和设置在第一层上的第二层。
[0008]在实施例中，第一半导体层可以包括掺杂有p型掺杂剂的p型半导体层，第二半导体层可以包括掺杂有n型掺杂剂的n型半导体层。
[0009]在实施例中，第一电极可以与第一半导体层欧姆接触，并且第二电极可以与第二半导体层欧姆接触。
[0010]在实施例中，第一半导体层可以包括掺杂有p型掺杂剂的p型半导体层，并且第二半导体层可以包括掺杂有n型掺杂剂的n型半导体层。<br/>[0011]在实施例中，第一电极可以与第一半导体层欧姆接触，并且第二电极可以与第二半导体层欧姆接触。
[0012]在实施例中，第一层和第二层可以包括透明导电材料。
[0013]在实施例中，第一层可以包括透明金属，并且第二层可以包括透明导电氧化物。
[0014]在实施例中，第二层的外表面可以包括具有整体均匀周期性的不平坦图案。
[0015]在实施例中，第二层的外表面可以包括具有整体不均匀形状的不平坦图案。
[0016]在实施例中，发光元件可以包括：绝缘膜，围绕第一电极、第一半导体层、活性层、第二半导体层和第二电极中的每个的外周表面。在实施例中，绝缘膜的与第二端部对应的区域的厚度可以在长度方向上向上逐渐减小。
[0017]在实施例中，绝缘膜的与第二端部对应的一个区域可以具有与绝缘膜的与第一端
部对应的区域不同的形状。
[0018]在实施例中，绝缘膜可以围绕第二电极的外周表面的一部分，以使第二电极的至少一部分暴露。
[0019]在一个示例性实施例中，第一电极的下表面可以基本上是平坦的并且在长度方向上与第二电极的上表面平行。
[0020]上述发光元件可以通过制造发光元件的方法来制造，所述方法包括以下步骤：提供第一基底；形成可以包括在第一基底的第一表面上堆叠的第一电极、第一半导体层、活性层、第二半导体层和第二电极的发光堆叠件；在第二电极上形成缓冲层；在缓冲层上形成粘合层，并且在粘合层上布置第二基底以将第一基底与第二基底接合；翻转第一基底，使得第一基底的第二表面面向上，第一基底的第一表面和第二表面彼此相对；使用激光剥离方法去除第一基底以使第一电极暴露；在竖直方向上蚀刻发光堆叠件以形成发光堆叠图案并且使缓冲层的区域暴露；在发光堆叠图案的表面上和缓冲层的区域上形成绝缘材料层；在竖直方向上蚀刻绝缘材料层以形成围绕发光堆叠图案的表面的绝缘层；以及使用化学剥离方法将被绝缘层围绕的发光堆叠图案与第二基底分离，以形成至少一个发光元件。
[0021]在实施例中，至少一个发光元件可以包括在发光元件的长度方向上设置的第二电极、第二半导体层、活性层、第一半导体层和第一电极。
[0022]在实施例中，第一半导体层可以包括掺杂有n型掺杂剂的n型半导体层，并且第二半导体层可以包括掺杂有p型掺杂剂的p型半导体层。
[0023]在实施例中，第一电极可以包括设置在第一半导体层上的第一层和设置在第一层上的第二层，并且第一层和第二层可以包括透明导电材料。第一层可以包括透明金属，并且第二层可以包括透明导电氧化物。
[0024]在实施例中，缓冲层可以是包括无机材料的无机绝缘膜。
[0025]在实施例中，形成发光堆叠件可以包括以下步骤：在第一基底上形成第一电极；在第一电极上形成第一半导体层；在第一半导体层上形成活性层；在活性层上形成第二半导体层；以及在第二半导体层上形成第二电极。
[0026]在实施例中，形成发光堆叠图案可以包括以下步骤：在暴露的第一电极上形成掩模；在掩模上形成至少一个精细图案；蚀刻掩模以形成与至少一个精细图案对应的至少一个掩模图案；竖直蚀刻除与至少一个掩模图案对应的一个区域之外的剩余区域以形成凹槽；以及去除至少一个掩模图案。
[0027]根据实施例的显示装置可以包括：第一像素电极和第二像素电极，在基底上在第一方向上彼此间隔开并且在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及发光元件，设置在第一像素电极与第二像素电极之间，并且在发光元件的长度方向上均包括第一端部和第二端部。
[0028]在实施例中，发光元件中的每个可以包括：第一电极，与第一端部对应；第一半导体层，设置在第一电极上；活性层，设置在第一半导体层上；第二半导体层，设置在活性层上；以及第二电极，与第二端部对应并且包括设置在第二半导体层上的第一层和设置在第一层上的第二层。
[0029]在实施例中，在剖视图中，第一端部和第二端部中的每个可以与第一像素电极和第二像素电极中的一个叠置。
[0030]在一个示例性实施例中，第一层和第二层可以包括透明导电材料。
[0031]在实施例中，显示装置还可以包括：第一接触电极，设置在第一像素电极和发光元件中的每个的第一端部上；以及第二接触电极，设置在第二像素电极和发光元件中的每个的第二端部上。第一接触电极可以电连接到第一像素电极，并且第二接触电极可以电连接到第二像素电极。
[0032]有益效果
[0033]在发光元件、制造发光元件的方法以及包括发光元件的显示装置中，由于使用激光剥离方法将与n型半导体层欧姆接触的第一电极与生长基底(第一基底)分离，并且使用化学剥离方法将与p型半导体层欧姆接触的第二电极与支撑基底(第二基底)分离，因此第一电极的分离表面和第二电极的分离表面可以具有恒定的表面粗糙度。因此，可以制造两个端部具有均匀特性的发光元件。
[0034]另外，第一接触电极的与每个发光元件的第一电极接触的接触面积可以同第二接触电极的与对应的发光元件的第二电极接触的接触面积基本上相同或相似。因此，可以使由于每个发光元件的两个端部处的不均匀的接触面积引起的缺陷最小化，从而改善对应的发光元件的可靠性。
[0035]根据本专利技术的一个示例性实施例的效果不限于上述内容，并且更多的各种效果包括在本说明书中。
附图说明
[0036]图1是示出根据专利技术的实施例的发光元件的示意性透视图。
[0037本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，所述发光元件包括：第一端部和第二端部，在所述发光元件的长度方向上设置；第一电极，与所述第一端部对应；第一半导体层，设置在所述第一电极上；活性层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述活性层上；以及第二电极，设置在所述第二半导体层上并且与所述第二端部对应，其中，所述第二电极包括位于所述第一半导体层上的第一层和位于所述第一层上的第二层，所述第一半导体层包括掺杂有p型掺杂剂的p型半导体层，所述第二半导体层包括掺杂有n型掺杂剂的n型半导体层，所述第一电极与所述第一半导体层欧姆接触，并且所述第二电极与所述第二半导体层欧姆接触。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一层和所述第二层包括透明导电材料。3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述第一层包括透明金属，并且所述第二层包括透明导电氧化物。4.根据权利要求3所述的发光元件，其中，所述第二层的外表面包括具有整体均匀周期性的不平坦图案。5.根据权利要求3所述的发光元件，其中，所述第二层的外表面包括具有整体不均匀形状的不平坦图案。6.根据权利要求1所述的发光元件，所述发光元件还包括：绝缘膜，围绕所述第一电极、所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层和所述第二电极中的每个的外周表面。7.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述绝缘膜的与所述第二端部对应的一个区域的厚度在所述长度方向上向上逐渐减小。8.根据权利要求7所述的发光元件，其中，所述绝缘膜的与所述第二端部对应的所述一个区域具有与所述绝缘膜的与所述第一端部对应的一个区域的形状不同的形状。9.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述绝缘膜围绕所述第二电极的所述外周表面的一部分，以使所述第二电极的至少一部分暴露。10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电极的下表面基本上是平坦的并且在所述长度方向上与所述第二电极的上表面平行。11.一种制造发光元件的方法，所述方法包括以下步骤：提供第一基底；形成包括在所述第一基底的第一表面上顺序地堆叠的第一电极、第一半导体层、活性层、第二半导体层和第二电极的发光堆叠件；在所述第二电极上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成粘合层，并且在所述粘合层上布置第二基底以将所述第一基底与所述第二基底接合；翻转所述第一基底，使得所述第一基底的与所述第一表面相对的第二表面面向上，随
后使用激光剥离方法去除所述第一基底以使所述第一电极暴露；在竖直方向上蚀刻所述发光堆叠件以形成发光堆叠图案并且使所述缓冲层的区域暴露；在所述发光堆叠图案的表面上和所述缓冲层的所述区域上形成绝缘材料层，并且在所述竖直方向上蚀刻所述绝缘材料层以形成围绕所述发光堆叠图案的所述表面的绝缘层；以及使用化学剥离方法将由所述绝缘层围绕的所述发光堆叠图案与所述第二基底分离，以形成至少一个发光元件，其中，所述至少一个发光元件包括在所述至少一个发光元件的长度方向上设置的所述第二电极、所述第二半导体层、所述活性层、所述第一半导体层和所述第一电极，所述第一半导体层包括掺杂有n型掺杂剂的n型半导体层，并且所述第二半导体层包括掺杂有p型掺杂剂的p型半导体层。12.根据权利要求11所述的方法，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：车炯来，金东旭，张圣爱，咸智贤，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：