一种籽晶氧化膜移出结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种籽晶氧化膜移出结构，旨在实现浇注时将籽晶顶部的氧化膜移出籽晶腔，使籽晶能够顺利外延生长。为此，本实用新型专利技术实施例提供的籽晶氧化膜移出结构，包括模壳和籽晶，所述籽晶预埋在所述模壳的籽晶腔内，所述籽晶腔的侧部外延形成有移出通道，所述籽晶的顶端位于所述籽晶腔与所述移出通道连接位置处，所述籽晶顶部的氧化膜在浇注熔体的作用下被冲入至所述移出通道中。用下被冲入至所述移出通道中。用下被冲入至所述移出通道中。

【技术实现步骤摘要】
一种籽晶氧化膜移出结构


[0001]本技术属于单晶制备
，尤其涉及一种籽晶氧化膜移出结构。

技术介绍

[0002]目前获得单晶的方法主要是选晶法和籽晶法。选晶法是在引晶段底部大量形核随后在定向凝固过程中通过晶粒间的竞争生长获得单晶，籽晶法则通过预先在铸件底部放置一期望取向的籽晶，在定向凝固过程中以籽晶外延生长的方式长出单晶，此方法可以精确控制单晶铸件的一次和二次枝晶取向。但是目前的籽晶法，装入模壳1中的籽晶2顶部在预热过程中会产生氧化膜5，阻碍籽晶的外延生长，引起杂晶和条带晶缺陷的产生(如图1所示)。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的在于提供一种籽晶氧化膜移出结构，旨在实现浇注时将籽晶顶部的氧化膜移出籽晶腔，使籽晶能够顺利外延生长。
[0004]为此，本技术实施例提供的籽晶氧化膜移出结构，包括模壳和籽晶，所述籽晶预埋在所述模壳的籽晶腔内，所述籽晶腔的侧部外延形成有移出通道，所述籽晶的顶端位于所述籽晶腔与所述移出通道连接位置处，所述籽晶顶部的氧化膜在浇注熔体的作用下被冲入至所述移出通道中。
[0005]具体的，所述移出通道朝外倾斜向上设置，所述籽晶腔的顶部设有浇注熔体进口；其中，所述移出通道的低端与所述籽晶腔连通，所述移出通道的高端封闭设置。
[0006]具体的，所述移出通道朝外倾斜向上延伸后向下弯折与激冷盘连接，所述籽晶腔的顶部设有浇注熔体进口。
[0007]具体的，所述移出通道朝向下弯折后与激冷盘连接，所述籽晶腔的顶端侧部设有浇注熔体进口，所述浇注熔体进口位于所述籽晶上氧化膜的下方。
[0008]与现有技术相比，本技术至少一个实施例具有如下有益效果：通过在模壳上增设移出通道，浇注过程中，利用过热熔体将籽晶顶部氧化膜冲至移出通道中，将氧化膜移出籽晶腔，使籽晶能够顺利外延生长。
附图说明
[0009]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010]图1是现有籽晶安装示意图；
[0011]图2是本技术实施例1提供的籽晶氧化膜移出结构示意图；
[0012]图3是本技术实施例1提供的籽晶氧化膜移出结构浇注示意图；
[0013]图4是本技术实施例2提供的籽晶氧化膜移出结构示意图；
[0014]图5是本技术实施例2提供的籽晶氧化膜移出结构浇注示意图；
[0015]图6是本技术实施例3提供的籽晶氧化膜移出结构示意图；
[0016]图7是本技术实施例3提供的籽晶氧化膜移出结构浇注示意图；
[0017]其中：1、模壳；2、籽晶；3、籽晶腔；4、移出通道；5、氧化膜；6、浇注熔体；7、激冷盘；8、浇注熔体进口。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0019]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0020]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0021]实施例1
[0022]参见图2和图3，一种籽晶氧化膜移出结构，包括模壳1和籽晶2，籽晶2预埋在模壳1的籽晶腔3内，籽晶腔3的侧部外延形成有移出通道4，籽晶2的顶端位于籽晶腔3与移出通道4连接位置处，籽晶2顶部的氧化膜5在浇注熔体6的作用下能够冲入至移出通道4中。
[0023]本实施例通过在模壳1上增设移出通道4，浇注过程中，利用过热浇注熔体6将籽晶顶部氧化膜5冲至移出通道4的封闭端，实现氧化膜5的移出，使得籽晶能够顺利外延生长。
[0024]具体的，移出通道4是相对籽晶腔3朝外倾斜向上设置的，籽晶腔3的顶部设有浇注熔体进口8，浇注熔体6从浇注熔体进口8进入籽晶腔3；其中，移出通道4的低端与籽晶腔3连通，移出通道4的高端封闭设置，氧化膜5在浇注熔体6的冲击作用下冲入移出通道4中实现移出。
[0025]实施例2
[0026]参见图4和图5，与实施例1不同的是，本实施例中移出通道4朝外倾斜向上延伸后向下弯折与激冷盘7连接，浇注熔体进口8设置在籽晶腔3的顶部，浇注熔体6从籽晶腔3顶端进入籽晶腔3后，将氧化膜5顺着移出通道4冲至激冷盘7处，并在激冷盘7冷却作用下快速凝固，这样的设计使得氧化膜5进入移出通道4凝固固定，不存在氧化膜5回流的问题。
[0027]实施例3
[0028]参见图6和图7，与实施例2不同的是，本实施例中移出通道4朝向下弯折后与激冷
盘7连接，浇注熔体进口8设置在籽晶腔3的顶端侧部，且位于籽晶上氧化膜5的下方，这样的设计，可以保证氧化膜5能够顺利进入移出通道4被去除。
[0029]上述实施例仅仅是清楚地说明本技术所作的举例，而非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里也无需也无法对所有的实施例予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本技术的保护范围之中。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种籽晶氧化膜移出结构，包括模壳(1)和籽晶(2)，所述籽晶(2)预埋在所述模壳(1)的籽晶腔(3)内，其特征在于：所述籽晶腔(3)的侧部外延形成有移出通道(4)，所述籽晶(2)的顶端位于所述籽晶腔(3)与所述移出通道(4)连接位置处，所述籽晶(2)顶部的氧化膜(5)在浇注熔体(6)的作用下能够冲入至所述移出通道(4)中。2.根据权利要求1所述的籽晶氧化膜移出结构，其特征在于：所述移出通道(4)朝外倾斜向上设置，所述籽晶腔(3)的顶部设有浇注熔体进口(8)；其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李重行，马德新，魏剑辉，赵欢，张丹，赵运兴，徐维台，
申请(专利权)人：深圳市万泽航空科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：