一种电平选择输出电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电平选择输出电路，包括控制变量output输出端和电路选通choice输出端，还包括光电耦合器U10，光电耦合器U10的输入管脚1与3.3V电源相连，控制变量output输出端经过限流电阻R13后连入光电耦合器U10的输入管脚2，光电耦合器U10的输出端管脚3接地，输出端管脚4连接两条支路，即上拉电阻R14、36V电源和三极管Q2，集电极通过两个串联的分压R16和R17后接36V电源，在两个串联的分压R16和R17之间连接有PMOS场效应管，源极S直接与36V电源相连，漏极D连接有两个串联的二极管D6和D7后接24V电源，且二极管D6和二极管D7的阴极相连，电路选通choice输出端从二极管D6和D7之间引出。该电路成本低、结构简单、电源电压稳定。定。定。

【技术实现步骤摘要】
一种电平选择输出电路


[0001]本技术涉及电平选择电路
，特别是一种电平选择输出电路。

技术介绍

[0002]目前在电平选择电路中，通常采用的是通过动态改变降压IC的匹配电阻来控制降压IC的输出值，从而实现电平选择输出。如此以来，就导致整个系统中所需要的稳定的供电电压受一个变量值的影响，从而不能提供稳定的供电系统。

技术实现思路

[0003]为了解决上述技术问题，本技术具体采用以下技术方案。
[0004]设计一种电平选择输出电路，包括控制变量output输出端和电路选通choice输出端，还包括光电耦合器U10，所述光电耦合器U10的输入管脚1与3.3V电源相连，控制变量output输出端经过限流电阻R13后连入光电耦合器U10的输入管脚2，所述光电耦合器U10的输出端管脚3接地，输出端管脚4连接两条支路，其中一条支路通过连接上拉电阻R14后接36V电源，另一条支路连接三极管Q2，在所述三极管Q2的基极连接有基极电阻R15，所述三极管Q2的发射极接地，集电极通过两个串联的分压R16和R17后接36V电源，在两个串联的分压R16和R17之间连接有PMOS场效应管，且所述PMOS场效应管的栅极G连入两个串联的分压R16和R17之间，源极S直接与36V电源相连，漏极D连接有两个串联的二极管D6和D7后接24V电源，且所述二极管D6和二极管D7的阴极相连，所述电路选通choice输出端从二极管D6和D7之间引出。
[0005]优选的，所述光电耦合器U10的型号为TLP521GB
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S。
[0006]优选的，所述二极管D6和D7的型号为S3MA
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R1
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00001。
[0007]优选的，三极管Q2为NPN型硅管。
[0008]本技术的有益效果在于：
[0009]1.本技术的电平选择输出电路巧妙的运用二极管的单向导通特性，将高电平输出的状态变量来作为低电平电路选通的控制因素,巧妙的将控制器的选路控制量，结合二极管正向压差>0.7V导通的特性来作为选路的依据，大大简化了元器件的数量，节约了成本；同时系统只需要提供两路稳定的输出电压电平，而没有变化降压芯片的匹配电阻，为系统提供了一个稳定的供电电压源，减少了系统因电压变化形成的斩波对电路的干扰。
附图说明
[0010]图1是本技术的电路连接图。
具体实施方式
[0011]以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术，并不用于限定本技术。
[0012]实施例1
[0013]一种电平选择输出电路，如图1所示，包括控制变量output输出端和电路选通choice输出端，控制变量output输出端为控制器MCU选路段的输出端，还包括光电耦合器U10，U10可以起到对后级电路的隔离保护作用，其中光电耦合器U10的型号为TLP521GB
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S。光电耦合器U10的输入管脚1与3.3V电源相连，控制变量output输出端经过限流电阻R13后连入光电耦合器U10的输入管脚2，光电耦合器U10的输出端管脚3接地，输出端管脚4连接两条支路，其中一条支路通过连接上拉电阻R14后接36V电源，另一条支路连接NPN型三极管Q2，在三极管Q2的基极连接有基极电阻R15，三极管Q2的发射极接地，集电极通过两个串联的分压R16和R17后接36V电源。
[0014]在两个串联的分压R16和R17之间连接有PMOS场效应管，且PMOS场效应管的栅极G连入两个串联的分压R16和R17之间，源极S直接与36V电源相连，漏极D连接有两个串联的二极管D6和D7后接24V电源，二极管D6和D7为PANJIT通用二极管，型号为S3MA
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R1
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00001，且二极管D6和二极管D7的阴极相连，电路选通choice输出端从二极管D6和D7之间引出。
[0015]本技术的工作原理为：当控制变量output输出端为高电平时，光电耦合器U10中的发光二极管截止无光源，使光电耦合器U10处于开路状态，此时流经上拉电阻R14的电流只能通过基极电阻R15流向三极管Q2，从而使三极管Q2处于导通状态；此时PMOS场效应管的栅极G电压UG为分压电阻R17分压后的电压值，设本电路中的R16=R17=20KΩ,则UG=18V，源极S的电压US与36V电源电压，此时UG<US，则PMOS场效应管导通，此时二极管D7的阳极电压为24V，阴极电压为36V，即反向电压大于正向电压，而二极管D6的阳极电压为36V,阴极电压为24V，即正向电压大于反向电压，本电路中二极管D6和D7的耐压值为1KV,防止二极管D6和D7被反向电压击穿，故此时二极管D7处于截止状态，二极管D6导通，此时电路选通choice输出端的输出电压值为36V；
[0016]当控制变量output输出端为低电平时，光电耦合器U10中的发光二极管导通发光，使光电耦合器U10处于闭合导通状态，此时与光电耦合器U10连接的一条支路即36V电源电压、上拉电阻R14通过光电耦合器U10后接地。此时，三极管Q2的基极电压为0V小于导通电压0.7V，故此时三极管Q2处于截止状态；后级PMOS场效应管的栅极G电压和源极S电压相等，即UG=US=36V，此时PMOS场效应管处于截止状态，二极管D6截止，二极管D7导通，此时电路选通choice输出端的输出电压为24V。
[0017]本技术利用PMOS场效应管的开关特性和二极管Q2的单向导通特性，来作为电平选择电路的实现基础，从而通过控制电平的高低来选通两个不同电压值的可控输出。
[0018]最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电平选择输出电路，包括控制变量output输出端和电路选通choice输出端，其特征在于，还包括光电耦合器U10，所述光电耦合器U10的输入管脚1与3.3V电源相连，控制变量output输出端经过限流电阻R13后连入光电耦合器U10的输入管脚2，所述光电耦合器U10的输出端管脚3接地，输出端管脚4连接两条支路，其中一条支路通过连接上拉电阻R14后接36V电源，另一条支路连接三极管Q2，在所述三极管Q2的基极连接有基极电阻R15，所述三极管Q2的发射极接地，集电极通过两个串联的分压R16和R17后接36V电源，在两个串联的分压R16和R17之间连接有PMOS场效应管，且所述PMOS场效应管的栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：马锦宝，马峰，孟鑫，乔宽，杨洪广，杨德草，张小翠，
申请(专利权)人：陕西建工安装集团河南有限公司，
类型：新型
国别省市：