驱动二极管的电路制造技术

一种驱动二极管的电路，其特征在于，所述驱动二极管的电路包括：　　　　第一二极管；　　　　与所述第一二极管连接的第一电流调整器，以控制所述第一二极管的电流；　　　　反馈电路，其接收表示所述第一电流调整器的电气状态的反馈信号；及　　　　与外部电源和所述反馈电路连接的直流／直流转换器，以驱动所述第一二极管并且控制所述第一电流调整器的电气状态至预定值。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于驱动光电二极管的驱动器，特别是涉及一种驱动便携式电池装置中的光电二极管的电路。
技术介绍
便携式电池装置通过一个控制器来调节对电池能量的使用，从而驱动光电二极管。现有方式是以一个固定电压来驱动光电二极管，并且通过一个可控制的电流槽或电流源来控制流过光电二极管的电流。然而，在二极管电流较小时，使用电流槽会造成电池能量的大量浪费。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种驱动便携式电池装置中的光电二极管的电路，在光电二极管电流较小时，节省电池功耗。为实现上述目的，本技术驱动二极管的电路包括光电二极管，电流调整器，反馈电路和直流/直流转换器。电流调整器与所述光电二极管连接，以控制所述光电二极管的电流。反馈电路接收一个表示所述电流调整器的电气状态的反馈信号。直流/直流转换器与一个外部电源和所述反馈电路连接，以驱动所述光电二极管并且控制所述电流调整器的电气状态至预定值。本技术所述的驱动二极管的电路，所述第一二极管是光电二极管。本技术所述的驱动二极管的电路，进一步包括误差放大模块，用来比较所述反馈信号与所述预定值以确定传输给所述第一二极管的电能。本技术所述的驱动二极管的电路，所述误差放大模块包括比较器，将所述反馈信号与所述预定值进行比较后输出误差放大信号以确定传输给所述第一二极管的电能；及开关网络，在所述误差信号大于一个固定值时，所述开关网络禁止所述比较器并且输出该固定值。本技术所述的驱动二极管的电路，进一步包括第二二极管；与所述第二二极管连接的第二电流调整器，以控制所述第二二极管的电流；及选择电路，与所述第一电流调整器和第二电流调整器连接，并且产生表示所述第一电流调整器和第二电流调整器的电气状态的反馈信号。本技术所述的驱动二极管的电路，所述反馈信号是所述第一电流调整器和第二电流调整器的电压中的较小值。本技术所述的驱动二极管的电路，所述第一电流调整器是一个电流槽。本技术所述的驱动二极管的电路，进一步包括与所述电流槽连接用来驱动所述电流槽的偏压控制器。本技术所述的驱动二极管的电路，所述偏压控制器包括第一MOS FET，其栅极与所述电流槽的栅极连接，该第一MOSFET与所述电流槽工作在线性区；及第二MOSFET，其栅极连接至所述反馈信号。本技术还提供一种驱动若干个二极管的电路，所述驱动若干个二极管的电路包括若干个电流调整器，分别与若干个二极管连接以控制各个二极管的电流；与所述若干个电流调整器连接的选择电路，从所述若干个电流调整器的压降电压中选择一个最小的电压；反馈电路，产生一个表示所述最小电压的反馈信号；及与外部电源和所述反馈电路连接的直流/直流转换器，以提供电能给所述若干个二极管并且控制所述各个电流调整器的压降电压至预定值。本技术还提供一种驱动若干个二极管的电路，所述选择电路包括若干个并行连接的晶体管，其基极分别与所述的若干个电流调整器连接，集电极电压相同且表示所述若干个电流调整器的压降电压中的最小电压。本技术还提供一种驱动若干个二极管的电路，进一步包括与所述直流/直流转换器和所述反馈电路连接的误差放大模块，该误差放大模块将所述反馈电压的所述最小电压和预定电压比较，以产生表示所述最小电压和所述预定电压之差的输出信号，从而确定提供给所述若干个二极管的所述电能。与现有技术相比，由于本技术利用表示电流调整器的电气状态的反馈信号来控制直流/直流转换器对光电二极管的驱动。因此，在二极管电流较小时，通过该反馈信号来调节电流调整器的压降使其达到最小值。附图说明图1是本技术一个实施例的光电二极管驱动电路的框图；图2是本技术一个实施例的偏压控制器的电路图；图3是本技术一个实施例的电流数字模拟转换器的电路图；图4是本技术一个实施例的电压选择逻辑电路的电路图；图5是本技术一个实施例的误差放大模块的电路图；图6是本技术一个实施例的驱动若干个光电二极管的流程图。具体实施方式本技术的其它特性和优点将在以下详细描述并结合图示的说明中更为明显，其中相同数字表示相同元件。下面将依据本技术的最佳实施例对光电二极管的驱动电路进行描述。虽然本技术将针对最佳实施例进行描述，但应当认识到这些实施例并不是对本技术的限制。相反，本技术旨在涵盖各种包括在本技术权利要求所定义的精神和范围内的一些修改、变动及等同物。此外，在接下来对技术的详细描述中，阐述的多个特定条件只是便于全面理解本技术。本领域的普通技术人员应当认识到本技术也可以在脱离这些特定条件下实现。如图1所示是本技术一个实施例的光电二极管驱动电路100。该驱动电路100用来驱动三个光电二极管101、102、103。对本领域的普通技术人员来说所述三个光电二极管101、102、103可以分别是红、绿、蓝三种光电二极管，用来作为白光源。进一步地，驱动电路100可以用来驱动一个或多个光电二极管。应当理解，驱动电路100也可以用来驱动一个或多个二极管。一个输入电压源Vin连接至DC/DC转换器，如升压型转换器110。该升压型转换器110与所述光电二极管101、102、103连接，以提供一个电压用来驱动所述光电二极管101、102、103。三个N型金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)用作电流调整器，也就是，电流槽121、122、123。N型MOSFET 121、122、123的漏极分别与光电二极管101、102、103耦合。N型MOSFET 121、122、123的源极耦合至接地端。N型MOSFET121、122、123的栅极分别与三个偏压控制器131、132、133耦合。MOSFET 121、122、123的漏极电压信号Vds1、Vds2、Vds3分别输入至所述三个偏压控制器131、132、133。内置集成电路(Inter-Integrated Circuit，I2C)控制器146与三个电流数字模拟转换器(DAC)141、142、143连接。所述三个电流DAC 141、142、143分别与所述三个偏压控制器131、132、133连接。对本领域的普通技术人员来说，驱动电路100变更为使用三个P型MOSFET作为电流源来代替电流槽121、122、123是显而易见的。两个电流控制信号，时钟信号Scl和数据信号Sdata输入至I2C控制器146，从而I2C控制器146提供电流设置信息，例如，3比特数字信息，给电流DAC 141、142、143。基于所述的电流设置信息，电流DAC 141、142、143产生三个电流信号Iset1、Iset2、Iset3，分别传送给所述的三个偏压控制器131、132、133。偏压控制器131、132、133分别控制电流槽121、122、123的漏极电流，也就是汲入电流。反馈信号，如电流槽121、122、123的漏极电压分别输入到偏压控制器131、132、133。根据电流DAC 141、142、143输出的电流信号和电流槽121、122、123的漏极电压，偏压控制器131、132、133分别给MOSFET 121、122、123的栅极提供电压，以精确调节MOSFET 121、122、123的漏极电流大小，从而控制光电二极管101、102、1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王佛贤，法拉·坡贝斯库斯塔内斯缇，韩洺光，侯晓华，林春喜，
申请(专利权)人：美国凹凸微系有限公司，
类型：实用新型
国别省市：