一种PECVD镀膜装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术适用于PECVD镀膜技术领域，提供了一种PECVD镀膜装置，PECVD镀膜装置包括：外腔体，所述外腔体内设有外腔；以及设置于所述外腔内的内腔体，所述内腔体内设有与所述外腔连通的内腔，且所述内腔体设置有第一加热件。本实用新型专利技术提供的PECVD镀膜装置通过在内腔体设置第一加热件，利用第一加热件对内腔体进行加热，使得内腔体温度可调节，可根据镀膜工艺需求随时改变镀膜温度场的分布，方便调出最佳的镀膜工艺，便于满足不同镀膜工艺需求。便于满足不同镀膜工艺需求。便于满足不同镀膜工艺需求。

【技术实现步骤摘要】
一种PECVD镀膜装置


[0001]本技术涉及PECVD镀膜
，具体涉及一种PECVD镀膜装置。

技术介绍

[0002]等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)镀膜装置通过微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，利用等离子体化学活性很强，很容易发生反应的原理，从而在待镀工件上沉积出所需要的薄膜。
[0003]现有技术中，PECVD镀膜装置主要包括外腔体、设置外腔体内的内腔体、及设置于内腔体内依次平行间隔设置的多个电极板，相邻两个电极板之间放置待镀工件进行镀膜。其中，现有技术的内腔体均没有设置加热件，无法对内腔体进行加热，从而无法根据镀膜工艺需求调节内腔体的温度，难以满足不同的镀膜工艺要求。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种PECVD镀膜装置，旨在解决现有技术的PECVD镀膜装置无法对内腔体温度进行调节，难以满足不同镀膜工艺要求的问题。
[0005]本技术是这样实现的，提供一种PECVD镀膜装置，包括：
[0006]外腔体，所述外腔体内设有外腔；以及
[0007]设置于所述外腔内的内腔体，所述内腔体内设有与所述外腔连通的内腔，且所述内腔体设置有第一加热件。
[0008]优选的，所述内腔体包括：
[0009]若干个内腔壁，若干个所述内腔壁围成具有开口的所述内腔；
[0010]盖合所述开口的内腔门，所述内腔壁和/或所述内腔门设置有所述第一加热件。
[0011]优选的，所述外腔体开设有与所述外腔内部连通的进气口，所述第一加热件与所述进气口相对设置。
[0012]优选的，所述内腔门包括：
[0013]第一门板；以及
[0014]与所述第一门板相盖合的第二门板，所述第一加热件封装于所述第一门板与所述第二门板之间。
[0015]优选的，所述第一门板或所述第二门板设有与所述第一加热件配合的凹槽，所述第一加热件收纳于所述凹槽内。
[0016]优选的，还包括：
[0017]安装于所述外腔体的外腔壁上的安装座，所述安装座设置有安装接口；
[0018]与所述安装接口配合的真空航插，所述真空航插一端与所述安装接口插接并与所述第一加热件电连接，所述真空航插另一端电连接电源。
[0019]优选的，所述第一加热件为硅胶加热片。
[0020]优选的，所述外腔体的外腔壁包裹设置有第二加热件。
[0021]优选的，所述第一门板、所述第一加热件及所述第二门板通过紧固件固定于一体。
[0022]本技术提供的一种PECVD镀膜装置，通过在内腔体设置第一加热件，利用第一加热件对内腔体进行加热，使得内腔体温度可调节，从而可根据镀膜工艺需求随时改变镀膜温度场的分布，方便调出最佳的镀膜工艺，可以满足不同镀膜工艺需求。
附图说明
[0023]图1为本技术实施例提供的一种PECVD镀膜装置的立体图；
[0024]图2为本技术实施例提供的一种PECVD镀膜装置的第一立体分解图；
[0025]图3为本技术实施例提供的一种PECVD镀膜装置的第二立体分解图；
[0026]图4为本技术实施例提供的一种PECVD镀膜装置的第三立体分解图；
[0027]图5为本技术实施例提供的一种PECVD镀膜装置一部分结构的立体分解图；
[0028]图6为本技术实施例提供的一种PECVD镀膜装置另一部分结构的立体图；
[0029]图7为图1中局部A的放大图。
具体实施方式
[0030]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0031]本技术实施例提供的一种PECVD镀膜装置，通过在内腔体设置第一加热件，利用第一加热件直接对内腔体进行加热，使得内腔体温度可调节，从而可根据镀膜工艺需求随时改变镀膜温度场的分布，方便调出最佳的镀膜工艺，可以满足不同镀膜工艺需求。
[0032]请参照图1
‑
图5，本技术实施例提供一种PECVD镀膜装置，包括：
[0033]外腔体1，外腔体1内设有外腔10；以及
[0034]设置于外腔10内的内腔体21，内腔体21内设有与外腔20连通的内腔20，且内腔体21设置有第一加热件23。
[0035]本技术实施例中，通过在内腔体21设置第一加热件23，可以利用第一加热件23工作对内腔体21进行加热来改变内腔体21的温度，从而可以改变放置在内腔20内的待镀工件的温度，实现待镀工件温度的可调节，这样可根据镀膜工艺需求随时改变内腔体21的温度，从而调节镀膜温度场的分布，方便调出最佳镀膜工艺，可以满足不同镀膜工艺需求。例如，需要改变工件的镀膜厚度时，可以通过控制第一加热件23的加热时间、加热功率等方式来调节内腔体21的温度，使内腔体21的温度处于一定温度范围，从而使待镀工件上生成的镀膜厚度达到要求。
[0036]作为本技术的一个实施例，外腔体1包括依次连接的若干个外腔壁11、及外腔门(图未示)，若干个外腔壁11连接围成外腔10，外腔门用于打开或密封外腔10。
[0037]本实施例中，外腔体1为长方体结构，外腔壁11的数量为五个，五个外腔壁11依次连接并与外腔门形成封闭的外腔10。
[0038]本技术实施例中，内腔体21的数量不限，可以是一个、两个或三个以上。其中，图1
‑
图3中示出的内腔体21的数量为两个，且各内腔体21的结构完全相同，每个内腔体21内
依次间隔设置有多个电极板22。
[0039]本技术实施例中，第一加热件23可以设置在内腔体21的任意位置，可以根据镀膜工艺需要灵活设置第一加热件23在内腔体21的位置。
[0040]作为本技术的一个实施例，外腔体1开设有与外腔10连通的进气口(图未示出)，第一加热件23与进气口相对设置。具体的，进气口设置于外腔体1的外腔门上。
[0041]本实施例中，外腔体1的进气口用于通入工艺气体，工艺气体从进气口进入外腔10内，再扩散进入内腔20内，以进行待镀工件的镀膜。
[0042]本实施例中，由于第一加热件23与进气口相对设置，而内腔体21设置第一加热件23的位置通过第一加热件23加热，工艺气体从进气口吹向内腔体21设置有第一加热件23的位置，避免从进气口进入的工艺气体遇到温度较低的内腔体21液化造成工艺气体浪费，从而提升工艺气体的利用效率。因此，既可以利用第一加热件23工作产生热量直接对内腔体21进行加热，可根据镀膜工艺需求随时改变镀膜温度场的分布，方便调出工件的最佳镀膜工艺，同时可以避免工艺气体遇冷液化，提升工艺气体的利用率。
[0043]本技术实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种PECVD镀膜装置，其特征在于，包括：外腔体，所述外腔体内设有外腔；以及设置于所述外腔内的内腔体，所述内腔体内设有与所述外腔连通的内腔，且所述内腔体设置有第一加热件。2.根据权利要求1所述的一种PECVD镀膜装置，其特征在于，所述内腔体包括：若干个内腔壁，若干个所述内腔壁围成具有开口的所述内腔；盖合所述开口的内腔门，所述内腔壁和/或所述内腔门设置有所述第一加热件。3.根据权利要求1所述的一种PECVD镀膜装置，其特征在于，所述外腔体开设有与所述外腔内部连通的进气口，所述第一加热件与所述进气口相对设置。4.根据权利要求2所述的一种PECVD镀膜装置，其特征在于，所述内腔门包括：第一门板；以及与所述第一门板相盖合的第二门板，所述第一加热件封装于所述第一门板与所述第二门板之间。5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：安祥乐，云洋，苏建华，
申请(专利权)人：深圳奥拦科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：