【技术实现步骤摘要】
一种过流保护电路及芯片
[0001]本专利技术属于微电子集成电路
，具体涉及一种过流保护电路及芯片。
技术介绍
[0002]H桥电路可应用在芯片中，用于电机驱动，芯片输出信号VOUTP和VOUTN通过输出管脚，外接电机负载相连接，正常工作下，输出电流有2条主要流向，参看附图1和附图2，一是从MN1的源极，通过负载流向MN4的漏极，二是从MN3的源极，通过负载流向MN2的漏极。芯片使用中的正常升温都可通过过温保护电路消除，但是当负载启动、高温保护退出、负载堵转时，输出电流瞬间增大且增加较大，超出安全工作范围时，过温保护电路需要反应时间，而电流瞬间增大通过，此时过温保护电路无法及时响应让芯片断电，容易使芯片烧毁。
技术实现思路
[0003]为解决上述现有技术问题，本专利技术提供一种过流保护电路及芯片。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：
[0005]提供一种过流保护电路，应用于H桥电路，所述H桥电路包括上管驱动电路A1、上管驱动电路A2、下管驱动电路B1、下管驱动电路B2、上管驱动管MN1、上管驱动管MN7、下管驱动管MN2和下管驱动管MN8，其特征在于，包括：
[0006]电流源偏置模块；
[0007]过流检测模块；
[0008]过流限制模块；
[0009]其中，所述电流源偏置模块被配置为设置过流限制模块的最低触发电压Va；
[0010]其中，所述过流检测模块被配置为检测输出电压VOUTN或VOUTP的值Vo；>[0011]其中，所述过流限制模块被配置为拉低上管驱动管MN1或上管驱动管MN7的输出电压；
[0012]其中，当Vo≥Va时，所述过流限制模块触发，上管驱动管MN1或上管驱动管MN7的输出电压被拉低；且，
[0013]当Vo＜Va时，所述过流限制模块不触发；
[0014]优选的，所述电流源偏置模块的输入端与Vcc连接；
[0015]其中，所述电流源偏置模块的第一输出端接地；
[0016]其中，所述电流源偏置模块的第二输出端与过流检测模块的第一输入端连接；
[0017]其中，所述过流检测模块的第二输入端C1和第一输入端C2分别与上管驱动管MN1、上管驱动管MN7的源极连接；
[0018]其中，所述过流检测模块的第三输入端D1和第一输入端D2分别与下管驱动电路B1的输出端、下管驱动电路B2的输出端连接；
[0019]其中，所述过流检测模块的输出端E1和输出端E2分别与过流限制模块的第一输入端F1、第一输入端F2连接；
[0020]其中，所述过流限制模块的第二输入端G1和第二输入端G2分别与上管驱动电路A1的输出端、上管驱动电路A2的输出端连接；
[0021]其中，所述过流限制模块的输出端接地；
[0022]优选的，所述过流检测模块包括：
[0023]MOS管MN3；MOS管MN9；
[0024]CS检测信号；
[0025]其中，所述MOS管MN3的漏极与上管驱动管MN1的源极连接；且，
[0026]所述MOS管MN3的栅极与下管驱动电路B1的输出端连接；
[0027]其中，所述MOS管MN9的漏极与上管驱动管MN7的源极连接；且，
[0028]所述MOS管MN9的栅极与下管驱动电路B2连接；
[0029]其中，所述过流限制模块的第一输入端F1、MOS管MN3的源极、电流源偏置模块的第二输出端、MOS管MN9的源极、过流限制模块的第一输入端F2被导线L1顺序连接；
[0030]其中，所述CS检测信号设置在导线L1上；
[0031]优选的，所述导线L1上MOS管MN9的源极与电流源偏置模块的第二输出端之间设置有CS检测信号；
[0032]优选的，所述过流限制模块包括：
[0033]MOS管MN4；MOS管MN10；
[0034]其中，所述MOS管MN4的栅极与过流检测模块第一输出端E1连接；且，
[0035]所述MOS管MN4的漏极与上管驱动电路A1的输出端连接；且，
[0036]所述MOS管MN4的源极接地；
[0037]其中，所述MOS管MN10的栅极与过流检测模块第一输出端E2连接；且，
[0038]所述MOS管MN10的漏极与上管驱动电路A2的输出端连接；且，
[0039]所述MOS管MN10的源极接地；
[0040]优选的，所述电流源偏置模块包括：
[0041]LDO；Ibias；
[0042]其中，所述LDO与Ibias串联；
[0043]其中，所述LDO的输入端与Vcc连接；
[0044]其中，所述Ibias的输出端与过流检测模块的第一输入端连接；
[0045]优选的，所述电流源偏置模块包括：
[0046]MOS管MN6；MOS管MN12；
[0047]其中，所述MOS管MN6的栅极与MOS管MN12的栅极连接；且，
[0048]所述连接处引出导线L2与Ibias输出端连接；
[0049]其中，所述MOS管MN6的漏极与过流检测电路第一输入端连接；且，
[0050]所述MOS管MN6的源极接地；
[0051]其中，所述MOS管MN12的漏极与Ibias输出端连接；且，
[0052]所述MOS管MN12的源极接地；
[0053]优选的，所述过流保护电路包括：
[0054]防误触模块；
[0055]其中，所述防误触模块被配置为防止输出电压VOUTP、VOUTN高低时序信号翻转时
触发过流限制模块；
[0056]优选的，所述防误触模块的第一输入端H1、防误触模块的第一输入端H2分别与下管驱动电路B1和下管驱动电路B2连接；
[0057]其中，防误触模块的第二输入端J1、防误触模块的第二输入端J2分别与MOS管MN4的源极、MOS管MN10的源极连接；
[0058]其中，所述防误触模块的输出端接地；
[0059]优选的，所述防误触模块包括：
[0060]MOS管MN5；MOS管MN11；与非门；
[0061]其中，所述MOS管MN5的漏极与MOS管MN4的源极连接；且，
[0062]所述MOS管MN5的栅极与与非门输出端连接；且，
[0063]所述MOS管MN5的源极接地；
[0064]其中，所述MOS管MN11的漏极与MOS管MN10的源极连接；且，
[0065]所述MOS管MN11的栅极与与非门输出端连接；且，
[0066]所述MOS管MN11的源极接地；
[0067]其中，与非门的输入端H1与下管驱动电路B1输出端连接；
[0068]其中，与非门的输入端H2与下管驱动电路B2输出端连接；
[0069]一种芯片，其特征在于，包括：
[0070]H桥电路；
[007本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种过流保护电路，应用于H桥电路，所述H桥电路包括上管驱动电路A1、上管驱动电路A2、下管驱动电路B1、下管驱动电路B2、上管驱动管MN1、上管驱动管MN7、下管驱动管MN2和下管驱动管MN8，其特征在于，包括：电流源偏置模块；过流检测模块；过流限制模块；其中，所述电流源偏置模块被配置为设置过流限制模块的最低触发电压Va；其中，所述过流检测模块被配置为检测输出电压VOUTN或VOUTP的值Vo；其中，所述过流限制模块被配置为拉低上管驱动管MN1或上管驱动管MN7的输出电压；其中，当Vo≥Va时，所述过流限制模块触发，上管驱动管MN1或上管驱动管MN7的输出电压被拉低；且，当Vo＜Va时，所述过流限制模块不触发。2.根据权利要求1所述的过流保护电路，其特征在于，所述电流源偏置模块的输入端与Vcc连接；其中，所述电流源偏置模块的第一输出端接地；其中，所述电流源偏置模块的第二输出端与过流检测模块的第一输入端连接；其中，所述过流检测模块的第二输入端C1和第一输入端C2分别与上管驱动管MN1、上管驱动管MN7的源极连接；其中，所述过流检测模块的第三输入端D1和第一输入端D2分别与下管驱动电路B1的输出端、下管驱动电路B2的输出端连接；其中，所述过流检测模块的输出端E1和输出端E2分别与过流限制模块的第一输入端F1、第一输入端F2连接；其中，所述过流限制模块的第二输入端G1和第二输入端G2分别与上管驱动电路A1的输出端、上管驱动电路A2的输出端连接；其中，所述过流限制模块的输出端接地。3.根据权利要求2所述的过流保护电路，其特征在于，所述过流检测模块包括：MOS管MN3；MOS管MN9；CS检测信号；其中，所述MOS管MN3的漏极与上管驱动管MN1的源极连接；且，所述MOS管MN3的栅极与下管驱动电路B1的输出端连接；其中，所述MOS管MN9的漏极与上管驱动管MN7的源极连接；且，所述MOS管MN9的栅极与下管驱动电路B2连接；其中，所述过流限制模块的第一输入端F1、MOS管MN3的源极、电流源偏置模块的第二输出端、MOS管MN9的源极、过流限制模块的第一输入端F2被导线L1顺序连接；其中，所述CS检测信号设置在导线L1上。4.根据权利要求3所述的过流保护电路，其特征在于，所述导线L1上MOS管MN9的源极与电流源偏置模块的第二输出端之间设置有CS检测信号。5.根据权利要求4所述的过流保护电路，其特征在于，所述过流限制模块包括：
MOS管MN4；...
【专利技术属性】
技术研发人员：俞铁刚，
申请(专利权)人：杭州朋声科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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