本公开提供了一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质，涉及半导体技术领域。方法主要包括：确定预设注入条件；在预设注入条件下，根据初始新装机台与基准机台的工艺参数，对初始新装机台进行剂量修正，得到修正新装机台；对修正新装机台与基准机台进行二次离子质谱SIMS分析，得到SIMS结果；根据SIMS结果确定修正新装机台与基准机台的匹配结果。本公开提供的一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质，可以降低新装机台与基准机台的RS匹配，但是SIMS结果不匹配的概率，从而进一步提升新装机台与基准机台的匹配效率，并降低新装机台与基准机台的匹配成本。新装机台与基准机台的匹配成本。新装机台与基准机台的匹配成本。
【技术实现步骤摘要】
一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质
[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质。
技术介绍
[0002]在半导体制造过程中，需要对新装离子注入机台与基准(Baseline)离子注入机台进行工艺参数的匹配。现有技术通常先计算出新装机台与基准机台方块电阻(RS)的差异值，并根据该差异值对新装机台的剂量补偿系数进行微调，使新装机台与基准机台的RS匹配，然后根据二次离子质谱(SIMS，Secondary Ion Mass Spectroscopy)的曲线图(Profile)重合程度确认新装机台与基准机台是否匹配。
[0003]然而，上述现有技术可能存在新装机台与基准机台的RS匹配，但是SIMS结果不匹配的情况，此时就需要重新微调新装机台的剂量补偿系数，然后重新测量SIMS，直至SIMS结果完全匹配。这样不仅会降低新装机台与基准机台的匹配效率，而且反复测量SIMS也会增加新装机台与基准机台的匹配成本。
技术实现思路
[0004]本公开提供了一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质，以至少解决现有技术中存在的以上技术问题。
[0005]根据本公开的第一方面，提供了一种离子注入机台匹配方法，该方法包括：确定预设注入条件；在所述预设注入条件下，根据初始新装机台与基准机台的工艺参数，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到修正新装机台；对所述修正新装机台与所述基准机台进行二次离子质谱SIMS分析，得到SIMS结果；根据所述SIMS结果确定所述修正新装机台与所述基准机台的匹配结果。
[0006]在一可实施方式中，根据初始新装机台与基准机台的工艺参数，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到修正新装机台，包括：根据所述初始新装机台和所述基准机台的方块电阻值，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到第一新装机台；对所述第一新装机台和所述基准机台进行热波测试，得到所述第一新装机台对应的第一热波图和所述基准机台对应的第二热波图；根据所述第一热波图和所述第二热波图，对所述第一新装机台进行热波匹配，得到所述修正新装机台。
[0007]在一可实施方式中，所述根据所述初始新装机台和所述基准机台的方块电阻值，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到第一新装机台，包括：对所述初始新装机台和所述基准机台进行方块电阻值测量，得到所述初始新装机台对应的第一方块电阻值和所述基准机台对应的第二方块电阻值；根据所述第一方块电阻值和所述第二方块电阻值，计算所述初始新装机台的剂量修正量；根据所述剂量修正量，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到所述第一新装机台。
[0008]在一可实施方式中，所述根据所述第一方块电阻值和所述第二方块电阻值，计算
所述初始新装机台的剂量修正量，包括：根据所述预设注入条件和所述第一方块电阻值，确定多组修正点，所述修正点包括预设注入剂量和与其对应的第一方块电阻值；对所述多组修正点进行线性拟合，得到修正曲线；根据所述修正曲线和所述第二方块电阻值，计算所述初始新装机台的剂量修正量。
[0009]在一可实施方式中，所述根据所述剂量修正量，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到所述第一新装机台，包括：判断所述剂量修正量是否满足第一预设阈值，得到第一判断结果；所述第一判断结果为是，则将所述初始新装机台确定为所述第一新装机台；所述第一判断结果为否，则根据所述剂量修正量，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到所述第一新装机台。
[0010]在一可实施方式中，所述根据所述第一热波图和所述第二热波图，对所述第一新装机台进行热波匹配，得到所述修正新装机台，包括：计算所述第一热波图和所述第二热波图的差异值；判断所述差异值是否满足第二预设阈值，得到第二判断结果；所述第二判断结果为是，则将所述第一新装机台确定为所述修正新装机台；所述第二判断结果为否，则对所述第一新装机台进行热波匹配，并根据热波匹配后的第一新装机台和所述基准机台的方块电阻值，重新对热波匹配后的第一新装机台进行剂量修正，直到所述第二判断结果为是。
[0011]在一可实施方式中，在所述根据所述初始新装机台和所述基准机台的方块电阻值，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到第一新装机台前，所述方法还包括：对所述初始新装机台和所述基准机台进行热波测试，得到所述初始新装机台对应的第三热波图和所述基准机台对应的第四热波图；判断所述第三热波图和所述第四热波图的差异值是否满足第三预设阈值，得到第三判断结果；所述第三判断结果为否，则根据所述第三热波图和所述第四热波图，对所述初始新装机台进行热波匹配。
[0012]在一可实施方式中，所述根据所述SIMS结果确定所述修正新装机台与所述基准机台的匹配结果，包括：所述SIMS结果匹配，则确定所述修正新装机台与所述基准机台匹配成功；所述SIMS结果不匹配，则确定所述修正新装机台与所述基准机台匹配失败。
[0013]根据本公开的第二方面，提供了一种离子注入机台匹配装置，该装置包括：第一确定模块，用于确定预设注入条件；修正模块，用于在所述预设注入条件下，根据初始新装机台与基准机台的工艺参数，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到修正新装机台；分析模块，用于对所述修正新装机台与所述基准机台进行二次离子质谱SIMS分析，得到SIMS结果；第二确定模块，用于根据所述SIMS结果确定所述修正新装机台与所述基准机台的匹配结果。
[0014]根据本公开的第三方面，提供了一种电子设备，包括：
[0015]至少一个处理器；以及
[0016]与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
[0017]所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行本公开所述的方法。
[0018]根据本公开的第四方面，提供了一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，所述计算机指令用于使所述计算机执行本公开所述的方法。
[0019]本公开的一种离子注入机台匹配方法、装置、设备及存储介质，在预设注入条件下，根据初始新装机台与基准机台的工艺参数，对初始新装机台进行剂量修正，得到修正新
装机台，其中，对初始新装机台进行剂量修正时，首先根据初始新装机台和基准机台的方块电阻值，对初始新装机台进行剂量修正，得到第一新装机台，然后对第一新装机台和基准机台进行热波测试，得到第一新装机台对应的第一热波图和基准机台对应的第二热波图，最后根据第一热波图和第二热波图，对第一新装机台进行热波匹配，得到修正新装机台。由此，将基于方块电阻值的剂量修正与基于热波图的热波匹配相结合，对初始新装机台进行剂量修正，得到修正新装机台，之后再对修正新装机台与基准机台进行二次离子质谱SIMS分析，可以降低新装机台与基准机台的RS匹配，但是SIMS结果不匹配的概率，从而进一步提升新装机台与基准机台的匹配效率，并降低新装机台与基准机台的匹配成本。
[0020]应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本公开的实施例的关键或重要特征，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种离子注入机台匹配方法，其特征在于，所述方法包括：确定预设注入条件；在所述预设注入条件下，根据初始新装机台与基准机台的工艺参数，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到修正新装机台；对所述修正新装机台与所述基准机台进行二次离子质谱SIMS分析，得到SIMS结果；根据所述SIMS结果确定所述修正新装机台与所述基准机台的匹配结果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据初始新装机台与基准机台的工艺参数，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到修正新装机台，包括：根据所述初始新装机台和所述基准机台的方块电阻值，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到第一新装机台；对所述第一新装机台和所述基准机台进行热波测试，得到所述第一新装机台对应的第一热波图和所述基准机台对应的第二热波图；根据所述第一热波图和所述第二热波图，对所述第一新装机台进行热波匹配，得到所述修正新装机台。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述初始新装机台和所述基准机台的方块电阻值，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到第一新装机台，包括：对所述初始新装机台和所述基准机台进行方块电阻值测量，得到所述初始新装机台对应的第一方块电阻值和所述基准机台对应的第二方块电阻值；根据所述第一方块电阻值和所述第二方块电阻值，计算所述初始新装机台的剂量修正量；根据所述剂量修正量，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到所述第一新装机台。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一方块电阻值和所述第二方块电阻值，计算所述初始新装机台的剂量修正量，包括：根据所述预设注入条件和所述第一方块电阻值，确定多组修正点，所述修正点包括预设注入剂量和与其对应的第一方块电阻值；对所述多组修正点进行线性拟合，得到修正曲线；根据所述修正曲线和所述第二方块电阻值，计算所述初始新装机台的剂量修正量。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述剂量修正量，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到所述第一新装机台，包括：判断所述剂量修正量是否满足第一预设阈值，得到第一判断结果；所述第一判断结果为是，则将所述初始新装机台确定为所述第一新装机台；所述第一判断结果为否，则根据所述剂量修正量，对所述初始新装机台进行剂量修正，得到所述第一新装机台。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一热波图和所述第二热波图，对...
【专利技术属性】
技术研发人员：蓝玉国，李梅霞，祁正荣，陈展奋，
申请(专利权)人：杭州富芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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